检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 1999年第2期20卷 122-127页

作者：孙军强张新亮陈娟黄德修易河清华中理工大学光电子工程系武汉邮电科学研究院

本文建立了包括增益压缩、增益波动的基于半导体光放大器四波混频波长转换的理论模型．讨论了泵浦光、信号光、转换光的增益差异以及增益压缩对波长转换的影响．结果表明，处在增益峰值的泵浦光和小的增益压缩率，有助波长转换效率的提高．

关键词：半导体光放大器增益全光型波长转换

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半导体光放大器的研究进展与新应用

光通信技术 2004年第4期28卷 18-21页

作者：李保海吴重庆付松年张勇北京交通大学理学院

综述了为改进半导体光放大器性能在优化结构设计、采用新结构、新工艺和新材料方面的研究进展。并介绍SOA在放大、波长变换、光逻辑门和无线光通信等方面的应用。

关键词：半导体光放大器波长变换光逻辑门无线光通信

基于半导体光放大器和整形滤波器的40Gb／s的归零正码波长变换研究

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光学学报 2008年第2期28卷 249-254页

作者：张爱旭于晋龙王耀天崔跃胡浩杨恩泽天津大学计算机学院天津300072 天津大学电子信息学院光纤通信实验室天津300072

理论上分析了通过整形滤波器方法实现正码波长变换的原理,并讨论了滤波器带宽及偏移方向对正码脉冲效果的影响,解释了目前实验报道中多采用蓝移滤波方案的技术根由。在实验上利用半导体光放大器(SOA)和通带滤波器完成了40Gb/s的归零码... 详细信息

理论上分析了通过整形滤波器方法实现正码波长变换的原理,并讨论了滤波器带宽及偏移方向对正码脉冲效果的影响,解释了目前实验报道中多采用蓝移滤波方案的技术根由。在实验上利用半导体光放大器(SOA)和通带滤波器完成了40Gb/s的归零码波长变换实验,验证了理论分析的结构,证明了整形滤波器加半导体光放大器的方案可以实现正码的波长变换。这对于简化网络的设计,提高信号传输质量都有重要的意义。

关键词：光纤通信正码波长变换带通滤波器半导体光放大器

基于非线性偏振旋转效应的半导体光放大器级联式高速全光开关

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光学学报 2015年第7期35卷 298-305页

作者：朱哲盛新志毛雅亚吴重庆王苒王颖北京交通大学理学院发光与光信息教育部重点实验室北京100044

根据级联半导体光放大器（SOA）的偏振主态对准（PSP）与邦加球相关性之间的关系,研究了多级SOA级联式系统的偏振主态对准方法。提出了基于非线性偏振旋转效应（NPR）的多级SOA级联式全光开关结构。实际搭建出两级SOA级联式全光开关实... 详细信息

根据级联半导体光放大器（SOA）的偏振主态对准（PSP）与邦加球相关性之间的关系,研究了多级SOA级联式系统的偏振主态对准方法。提出了基于非线性偏振旋转效应（NPR）的多级SOA级联式全光开关结构。实际搭建出两级SOA级联式全光开关实验系统,并以幅值为6 m W的方波控制光对50μW信号光实现了全光开关操作,开关速度达到200 ps,优于传统的电光开关,并存在较大的提升空间。工作波段位于1510-1570 nm,插损为3.62 d B,功耗为12 m W。开关速度快、插损小、功耗低并与光纤通信系统兼容性好。该全光开关的研制成功,将有助于推动全光开关和全光网络技术的发展,以及光计算和全光信号处理等领域的技术进步。

关键词：光学器件光开关级联半导体光放大器非线性偏振旋转

基于半导体光放大器的纳秒脉冲串激光种子源系统

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中国激光 2024年第14期51卷 72-79页

作者：黄磊邱基斯齐耀东袁峰刘昊中国科学院空天信息创新研究院光学工程研究部北京100094 中国科学院大学光电学院北京100094

设计了一种基于半导体光放大器的纳秒脉冲串激光种子源系统。在该系统中,半导体光放大器具有40 dB以上的高消光比,可实现高信噪比的脉冲串激光输出。利用半导体光放大器腔外调制窄线宽连续激光光源,研究了不同重复频率下纳秒脉冲串激光... 详细信息

设计了一种基于半导体光放大器的纳秒脉冲串激光种子源系统。在该系统中,半导体光放大器具有40 dB以上的高消光比,可实现高信噪比的脉冲串激光输出。利用半导体光放大器腔外调制窄线宽连续激光光源,研究了不同重复频率下纳秒脉冲串激光的输出特性,通过调控触发信号实现了子脉冲重复频率为10~100 kHz、子脉冲脉宽为8.6~88.2 ns、单脉冲能量为0.892~6.124μJ的高光束质量1064 nm脉冲串激光输出,最大平均功率为86.4 mW,输出不稳定度为1.66%,横向光束质量因子(M_(x)^(2))和纵向光束质量因子(M_(y)^(2))分别为1.12和1.16。该系统可作为高平均功率纳秒脉冲串激光器的种子源系统。

关键词：激光器半导体光放大器脉冲串激光激光器种子系统

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半导体光放大器的色散特性

激光与光电子学进展 2014年第7期51卷 30-34页

作者：林青简阳天王苒王智吴重庆北京交通大学理学院光信息科学与技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

半导体光放大器（SOA）是光信号处理的关键器件，其非线性过程是实现全光信号处理的基础，群速度色散（GVD）直接影响非线性效应的强弱。基于Kramers-Kronig 关系，得到了SOA 群速度色散与增益之间的关系，提出一种通过测量SOA 的增益... 详细信息

半导体光放大器（SOA）是光信号处理的关键器件，其非线性过程是实现全光信号处理的基础，群速度色散（GVD）直接影响非线性效应的强弱。基于Kramers-Kronig 关系，得到了SOA 群速度色散与增益之间的关系，提出一种通过测量SOA 的增益谱，得到群速度色散的简单易行的实验方法，在小信号输入条件下验证了该方法的可靠性。利用该方法，在1530～1610 nm 波长范围内，测量得到SOA 群速度色散比较平坦，而且随输入光功率和注入电流变化不大，增益峰值波长与零色散波长随注入电流增大而蓝移，随输入光功率增大而红移，且零色散波长大于增益峰值波长。

关键词：非线性光学全光信号处理半导体光放大器增益群速度色散

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半导体光放大器增益饱和及其开关特性的研究

光通信技术 1997年第1期21卷 38-41页

作者：任雪斌刘雪峰黄德修华中理工大学光电子系武汉430074

从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的增益特性表达式。根据半导体光放大器增益饱和特性，研究了开关特性。

关键词：半导体光放大器增益饱和光子开关放大器

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半导体光放大器的增益特性和偏振特性

激光技术 2005年第5期29卷 462-465,483页

作者：崔迎超张书练冯金垣华南理工大学理学院应用物理系广州510640 清华大学精密测试技术与仪器国家重点实验室北京100084

介绍了半导体光放大器的两个重要特性:增益特性和偏振特性。增益特性中,描述了放大器中增益调制现象和增益饱和现象,并介绍了提高半导体光放大器增益的方法。偏振特性中,分析了半导体光放大器增益偏振敏感产生的原因,并列举了低偏振敏... 详细信息

介绍了半导体光放大器的两个重要特性:增益特性和偏振特性。增益特性中,描述了放大器中增益调制现象和增益饱和现象,并介绍了提高半导体光放大器增益的方法。偏振特性中,分析了半导体光放大器增益偏振敏感产生的原因,并列举了低偏振敏感度放大器的实现方法。最后报道了近几年才被注意的半导体光放大器相位偏振敏感特性。

关键词：半导体光放大器增益调制增益饱和增益偏振敏感度相位偏振敏感度

一种新型高增益、低噪声980nm微腔半导体光放大器的数值分析(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第5期27卷 321-325页

作者：张泉郑厚植中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字... 详细信息

提出了一种新型微腔半导体光放大器结构,该半导体放大器在普通行波光放大器的波导结构上引入了上下布拉格反射镜,并在波导前后两侧的上端面上分别刻蚀出入射和出射光学窗口,其上蒸镀增透膜层.信号光以一定的倾角斜入射到波导中,以之字型路线沿波导传播.提出了一个完整的、考虑了微腔特性的稳态模型,系统模拟了微腔半导体光放大器的特性.结果表明该微腔半导体光放大器的光纤到光纤增益可达40dB,而噪声指数只有3.5dB.

关键词：半导体光放大器布拉格反射镜放大的自发辐射增益噪声指数

金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究

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物理学报 2004年第12期53卷 4257-4261页

作者：马宏朱光喜陈四海易新建华中科技大学光电子工程系武汉430074 华中科技大学电子与信息工程系武汉430074

采用低压金属有机化学气相外延设备进行了 1 3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究 .通过x射线双晶衍射和光致发光谱对生长材料进行测试和分析 .基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混... 详细信息

采用低压金属有机化学气相外延设备进行了 1 3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究 .通过x射线双晶衍射和光致发光谱对生长材料进行测试和分析 .基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 ( 4CW3TW)结构有源区 ,并采用 7°斜腔脊型波导结构以有效抑制腔面反射 ,经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器光纤光纤小信号增益达 2 1 5dB ,在 12 80— 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB .

关键词：应变量子阱半导体光放大器偏振无关 CW 波导结构低压金属有机化学气相外延偏振灵敏度减反膜蒸镀光致发光谱