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500 kV HGIS雷电冲击试验击穿的原因分析

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高压电器 2013年第12期49卷 145-149页

作者：胡伟涛国网河北省电力公司检修分公司石家庄050070

阐述了超高压GIS设备在出厂检验时需要作雷电冲击试验,能有效检查制造、装配工艺等环节出现的问题。简述了一台500 kV HGIS在进行雷电冲击试验(出厂试验)时击穿的现象,查找故障的方法,确定故障气室后,通过内窥镜发现放电点在套管上,将... 详细信息

阐述了超高压GIS设备在出厂检验时需要作雷电冲击试验,能有效检查制造、装配工艺等环节出现的问题。简述了一台500 kV HGIS在进行雷电冲击试验(出厂试验)时击穿的现象,查找故障的方法,确定故障气室后,通过内窥镜发现放电点在套管上,将故障套管拆除后,更换上雷电冲击试验通过的套管后,雷电冲击试验通过。对故障套管解体后,在导电杆和屏蔽罩上发现了明显放电点,装配车间清洁度不够,致使装配质量具有分散性,导致雷电冲击试验击穿,并提出了防范措施。

关键词： HGIS 雷电冲击试验击穿

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薄栅氮化物的击穿特性

固体电子学研究与进展 2002年第3期22卷 321-322,338页

作者：张国强陆妩艾尔肯余学锋任迪远严荣良中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011

研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。

关键词：薄栅氮化物金属-氧化物-硅结构击穿击穿电场

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PZT95/5铁电陶瓷击穿的统计分析

高电压技术 2001年第2期27卷 24-25页

作者：贺元吉张亚洲李传胪国防科技大学理学院长沙410073

采用垂直加载冲击波方式实验研究了 PZT95 / 5铁电陶瓷的电击穿现象。对实验数据的统计分析表明 ,PZT95 /5的击穿可用弱点击穿理论解释 ,符合 weibull分布 ,其几何效应参数≈

关键词：铁电陶瓷击穿 weibull分布 PZT95/5

可调谐TEACO_2激光辐照SiH_4击穿过程的研究

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中国激光 1992年第8期19卷 624-627页

作者：张连水张贵银傅广生韩理张开锡河北大学物理系 071002

一、引言激光等离子体淀积硅膜在半导体工业得到广泛应用。在这种技术中,SIH。通常被用做各种硅膜生长的高纯硅源。现已有很多关于SIH_4激光等离子体淀积过程的报道~[1～3]。

关键词： CO2 激光硅膜等离子体击穿

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栅氧化层击穿的统一逾渗模型

西安电子科技大学学报 2004年第1期31卷 54-58页

作者：马仲发庄奕琪杜磊包军林万长兴李伟华西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动... 详细信息

综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动力学进行了统一的描述,使得该模型无论在高场强还是低场强情况下所得的结果,均能较好地描述氧化层击穿过程,从而对长期以来有关栅氧化层击穿的E模型和1/E模型之争做出了较为合理的解释.

关键词：栅氧化层击穿逾渗模型缺陷产生机制 MOS集成电路

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激光诱导火花点火击穿阈值分析及试验对比

激光杂志 2011年第5期32卷 39-41页

作者：李强魏建勤桂林航天工业高等专科学校广西桂林541004 浙江大学动力机械及车辆工程研究所浙江杭州310027

激光诱导火花点火具有点燃稀混合气从而降低排放的潜力,因此成为近年来内燃机燃烧的研究热点之一。对激光诱导火花点火击穿阈值解析式的量纲进行了分析,并与文献中的试验结果进行了对比。理论预测及试验结果均表明:当环境压力为大气压... 详细信息

激光诱导火花点火具有点燃稀混合气从而降低排放的潜力,因此成为近年来内燃机燃烧的研究热点之一。对激光诱导火花点火击穿阈值解析式的量纲进行了分析,并与文献中的试验结果进行了对比。理论预测及试验结果均表明:当环境压力为大气压力或内燃机压缩终了压力、同时激光波长为1064nm或532nm时,激光诱导击穿阈值随压力的增大而减小,但计算阈值和试验阈值减小的规律不同。由试验所得到的激光诱导击穿阈值与压力的-0.3^-0.7次方成正比,而由解析式所得到的激光诱导击穿阈值与压力的-1^-2次方成正比。

关键词：激光火花点火击穿内燃机

稀土氧化物掺杂BaTiO3陶瓷的击穿问题研究

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稀有金属材料与工程 2005年第Z2期34卷 908-911页

作者：吉岸王晓慧陈仁政李龙土桂治轮张力清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室北京100084 清华同方股份有限公司北京100084

研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂... 详细信息

研究了BaTiO3基陶瓷的耐压性能.对陶瓷材料的烧结工艺尤其是在还原性气氛的烧成条件下,掺杂BaTiO3基陶瓷中发生的各种缺陷反应机制进行了初步的研究,总结和阐述了掺杂剂浓度、烧成条件对BaTiO3基陶瓷耐压强度的影响.结果表明:Y2O3掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由Y2O3在瓷体中的缺陷化学反应所决定,在掺杂质量分数≤1.0%范围内,在≤0.5%之前,瓷体击穿场强呈下降趋势,之后则保持不变或稍有上升;MnO2掺杂对钛酸钡瓷体击穿场强的影响由MnO2在瓷体中的缺陷化学反应与MnO2在瓷体晶界层的分布共同决定,总体表现为随掺杂浓度的增加瓷体击穿电压逐渐下降;Y2O3和MnO2共同掺杂时,它们之间对钛酸钡瓷体击穿场强的调制规律是相对独立的,只是在击穿场强的绝对值方面有所影响;氧分压越低的烧结机制,越容易引起瓷体击穿场强的下降.

关键词：钛酸钡(BT) 击穿贱金属

恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性

维普期刊数据库评论

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Journal of Semiconductors 2004年第8期25卷 1009-1012页

作者：韩德栋康晋锋王成钢刘晓彦韩汝琦王玮北京大学微电子学研究所北京100871

利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 ... 详细信息

利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 I- V特性和 C- V特性的影响 .实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生 ,与栅氧化层面积有很大的关系 ,面积大的电容比较容易发生击穿 .分析比较了软击穿和硬击穿的区别。

关键词：恒电流应力高κ HfO2 击穿

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聚合物击穿的陷阱理论及其在聚丙烯上的验证

电工技术学报 1993年第3期8卷 47-51页

作者：屠德民王新生刘付德杨百屯刘耀南西安交通大学

作者根据申荷在陷哄过程中非辐射能量转移产生热电子的原理,在阐明聚合物的瞬时击穿机理后,把陷阱作为击穿电压和化学结构之问的联系参数,推出聚合物在电场长期作用下击穿的寿命公式,为现有的经验公式增添了明确的物理意义。文章最后通... 详细信息

作者根据申荷在陷哄过程中非辐射能量转移产生热电子的原理,在阐明聚合物的瞬时击穿机理后,把陷阱作为击穿电压和化学结构之问的联系参数,推出聚合物在电场长期作用下击穿的寿命公式,为现有的经验公式增添了明确的物理意义。文章最后通过聚丙烯的游离基、表面电位增量和击穿电压的测量,找到了三者之间的一致关系,证明在不同电场强度下聚丙烯发生击穿的条件是陷阱密度达到同一临界值,陷阱密度可作为评定聚丙烯电老化破坏程度的非破坏忖参数。

关键词：聚丙烯击穿陷阱理论