检索结果-南通市图书馆

导航与控制 2005年第4期12卷 48-48页

作者：孙洪强徐宇新（审核）

体硅工艺是一种通过腐蚀技术将硅基片有选择性地除去一部分以形成微机械结构的工艺。典型的体硅工艺是应用腐蚀和键合方法来对硅片进行微机械加工，其加工厚度为几十至数百微米，设备和工艺简单，在微机械的研究中具有重要地位。

关键词：体硅工艺微机械结构微机械加工腐蚀技术键合方法硅基片硅片

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体硅工艺微振动传感器的研制

哈尔滨工业大学学报 2004年第8期36卷 1092-1094页

作者：霍明学曲凤秋王喜莲刘晓为陈强陈伟平张宏华哈尔滨工业大学中心黑龙江哈尔滨150001

体硅工艺微振动传感器与表面工艺微振动传感器相比,具有灵敏度高、噪声低等优点.本文研制的体硅工艺微振动传感器,其敏感单元为叉指电极结构,弹性梁采用新颖的多级折梁结构.利用硅深槽刻蚀技术(ICP)制作微振动传感器,ICP的最大刻蚀深度... 详细信息

体硅工艺微振动传感器与表面工艺微振动传感器相比,具有灵敏度高、噪声低等优点.本文研制的体硅工艺微振动传感器,其敏感单元为叉指电极结构,弹性梁采用新颖的多级折梁结构.利用硅深槽刻蚀技术(ICP)制作微振动传感器,ICP的最大刻蚀深度可达400μm,最小线条宽度小于1μm.传感器的灵敏度可达56 8fF/g,测量范围-5g～5g,抗过载能力高于1000g,共振频率为2 5kHz.

关键词：体硅工艺微振动传感器多级折梁 ICP 硅深槽刻蚀技术机械灵敏度

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基于体硅工艺的微夹持器设计

清华大学学报（自然科学版） 2003年第5期43卷 655-658页

作者：李勇李玉和李庆祥訾艳阳清华大学精密仪器及机械学系北京100084

为克服静电致动微夹持器夹持力小、运动范围小的弱点,设计并研制了一种基于体硅工艺的微夹持器。建立了S形柔性夹持臂力学模型,借助有限元方法进行结构优化、夹持臂模态分析以及静电驱动器对微操作对象影响的估算。研制成一种大深宽比... 详细信息

为克服静电致动微夹持器夹持力小、运动范围小的弱点,设计并研制了一种基于体硅工艺的微夹持器。建立了S形柔性夹持臂力学模型,借助有限元方法进行结构优化、夹持臂模态分析以及静电驱动器对微操作对象影响的估算。研制成一种大深宽比梳状静电驱动微夹持器,释放了等效长度达5.470mm的柔性夹持臂。该夹持器采用了导电型并接地连接的柔性微夹持臂,可防止静电对操作的影响,柔性结构有效解决了静电力小与硅材料的弹性模量高之间的矛盾,使微夹持器的夹持力输出大大增加。

关键词：体硅工艺微夹持器有限元方法 S形柔性夹持臂机械设计

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基于体硅工艺的GLV光学调制器的研制

光通信技术 2012年第4期36卷 22-24页

作者：刘英明徐静李四华吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰... 详细信息

采用体硅微加工工艺制作了一种基于光栅光阀(GLV)的光学调制器,使用仿真软件对器件参数进行了优化设计。对加工出来的器件进行了测试,并对测试结果进行了分析。器件成功的实现了光学调制的功能,采用10kHz的方波信号进行调制时,得到了峰峰值为50mv,响应时间为10μs的调制后波形。

关键词：体硅工艺光栅光阀光学调制器绝缘体上硅消光比

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紫外皮秒激光刻蚀体硅工艺研究

应用激光 2019年第6期39卷 1002-1005页

作者：骆公序荆超汪于涛王丽沈佳俊上海市激光技术研究所上海200233 上海市激光束精细加工重点实验室上海200233

针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究。通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1μm,单次加工用时0.5 s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的20... 详细信息

针对体硅的加工应用,开展皮秒紫外激光三维刻蚀单晶硅工艺研究。通过工艺实验,得出在激光脉冲能量6μJ,固定XY点间距4μm,在单晶硅上刻蚀600μm×600μm方槽,单次去除的深度在1μm,单次加工用时0.5 s,加工的侧壁在14°,可以获得较好的200μm深度的三维结构。皮秒紫外激光体硅加工在工艺流程上更为简洁,加工效率高,对环境污染小,设备成本小。

关键词：激光应用体硅工艺激光直接加工紫外皮秒激光

基于体硅工艺的静电致动微夹持器制作工艺分析

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光学精密工程 2003年第2期11卷 109-113页

作者：李勇李玉和李庆祥訾艳阳清华大学精密仪器与机械学系北京100084

介绍了一种基于体硅工艺的大尺寸、大深宽比梳状静电致动微夹持器的制作工艺。对微夹持器制作中的关键工艺进行分析,重点分析ICP蚀刻工艺的蚀刻时间对结构的影响,总结导致器件失效的原因,探讨了减少失效的方法。加工过程中采用分步加工... 详细信息

介绍了一种基于体硅工艺的大尺寸、大深宽比梳状静电致动微夹持器的制作工艺。对微夹持器制作中的关键工艺进行分析,重点分析ICP蚀刻工艺的蚀刻时间对结构的影响,总结导致器件失效的原因,探讨了减少失效的方法。加工过程中采用分步加工的办法控制蚀刻时间,成功的释放了宽6μm,厚60μm,等效长度达5470μm的悬臂梁型微夹持臂。研制出一种良好性能的具有S形柔性结构夹持臂的梳状静电致动微夹持器。

关键词：体硅工艺静电致动微夹持器电感耦合等离子体蚀刻制作工艺微细加工

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基于体硅工艺的大厚度硅基垂直互联结构

山东工业技术 2020年第1期 84-87页

作者：曾鸿江中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088 安徽省天线与微波工程实验室安徽合肥230088

针对传统的圆柱型硅通孔(TSV)垂直互联结构的厚度薄、结构可靠性低等缺陷,本文设计了一种新型基于MEMS体硅腐蚀工艺的硅基垂直互联结构。这种新型硅基垂直互联结构具有大厚度、低成本、易于与硅基CMOS工艺兼容等优点,可运用于三维硅基... 详细信息

针对传统的圆柱型硅通孔(TSV)垂直互联结构的厚度薄、结构可靠性低等缺陷,本文设计了一种新型基于MEMS体硅腐蚀工艺的硅基垂直互联结构。这种新型硅基垂直互联结构具有大厚度、低成本、易于与硅基CMOS工艺兼容等优点,可运用于三维硅基微系统的封装集成技术。

关键词：硅基板垂直互联结构体硅工艺

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体硅热膜传感器单片集成工艺的研究

微纳电子技术 2010年第7期47卷 437-442,450页

作者：邹学锋沈路何洪涛中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺... 详细信息

针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺技术,可以实现具备最小体积、最低成本的MEMS器件。通过这种嵌入式热膜式传感器和CMOS处理电路的单片集成制造工艺,实现了一款热膜式传感器和IC放大电路的集成部件,并完成了相关基本电性能测试和传感器功能的演示验证,证明了设计的工艺路线的可行性。

关键词：微电子机械系统体硅工艺单片集成温度兼容性交叉污染

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基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工

功能材料与器件学报 2011年第3期17卷 313-318页

作者：黄占喜吴亚明李四华中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中科院研究生院北京10003

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底... 详细信息

本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工。通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜。该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Re-active Ion Etching,DR IE)、湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶、深坑底部精细结构、微结构释放等MEMS工艺。

关键词： MEMS 光刻多掩膜体硅工艺

基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究

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电子与封装 2015年第7期15卷 37-40页

作者：刘晓兰朱政强党元兰徐亚新河北诺亚人力资源开发有限公司石家庄050035 中国电子科技集团公司第54研究所石家庄050081 北京航天控制仪器研究所北京100096

针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的... 详细信息

针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数,采用厚度为400μm的N型硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。

关键词：体硅工艺悬浮微结构硅基深槽腐蚀 ICP刻蚀