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低电压大电流开关电源电路拓扑和控制方法研究

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机车电传动 2002年第5期 31-33,36页

作者：吴松荣王凤岩许建平西南交通大学电气工程学院四川成都610031

针对微处理器对低压大电流开关电源负载动态响应性能的特殊要求,分析了满足未来微处理器电源性能指标要求的新型开关电源拓扑结构和控制方法,表明交错并联SR-BUCK变换器电路输出纹波幅值小,等效效率高;V2控制方法可显著改善开关变换器... 详细信息

针对微处理器对低压大电流开关电源负载动态响应性能的特殊要求,分析了满足未来微处理器电源性能指标要求的新型开关电源拓扑结构和控制方法,表明交错并联SR-BUCK变换器电路输出纹波幅值小,等效效率高;V2控制方法可显著改善开关变换器的输入和负载响应速度。

关键词：低电压大电流拓扑结构变换器控制方法开关电源电路

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低电压、电流模型带隙基准参考电路的设计

低电压、电流模型带隙基准参考电路的设计

作者：贝卡（Dondi Rebecca Cornelius）北京理工大学

学位级别：硕士

带隙基准电路是模拟电路中的一个十分重要的组成部分,尤其在模数转换电路中,输入电压需要和若干参考电压进行比较,以判断对应的数字值。带隙基准电路同时也应用于DRAM/Flash存储器、电源电路、直流偏置电压和数模转换器(DAC)中。本文设... 详细信息

带隙基准电路是模拟电路中的一个十分重要的组成部分,尤其在模数转换电路中,输入电压需要和若干参考电压进行比较,以判断对应的数字值。带隙基准电路同时也应用于DRAM/Flash存储器、电源电路、直流偏置电压和数模转换器(DAC)中。本文设计了一个不受温度和电源电压影响的高鲁棒性、低压、电流模式的CMOS带隙基准参考源。电路工作的结温度为0～100摄氏度,输入电压为0.8～1.8V,可以提供稳定的0.6V电压输出。电路使用UMC 180nm CMOS工艺实现,并使用Cadence软件进行了仿真验证。所设计的电路由折叠式共源共栅运算放大器(OPA)、电流镜、启动电路和偏置电路组成。根据电路仿真的结果,可以得到电路的温度系数为20ppm/℃。当在较低的输入电压下工作时,电路的功耗很小。第一章和第二章介绍了带隙基准电路的背景和别人所做的研究成果,以及减小电源电压的几种方法。第三章、第四章介绍了电路的详细结构、设计实现和仿真结果。

关键词：带隙基准温度系数低电压高鲁棒电流模

一种低电压无采样保持运放14 bit,100 MS/s流水线型模数转换器的65 nm CMOS工艺实现

同方学位论文库评论

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复旦学报（自然科学版） 2016年第1期55卷 43-50页

作者：张新龙薛盼姜培复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一款低电压实现的14bit,100MS/s流水线型模数转换器(Pipelined ADC),该ADC前端采用无采样保持运放结构来降低功耗和减小噪声,减少了第一级采样网络孔径误差和非线性电荷注入的影响.通过选取合适的输入采样电容容值解决了kT/C噪声... 详细信息

设计了一款低电压实现的14bit,100MS/s流水线型模数转换器(Pipelined ADC),该ADC前端采用无采样保持运放结构来降低功耗和减小噪声,减少了第一级采样网络孔径误差和非线性电荷注入的影响.通过选取合适的输入采样电容容值解决了kT/C噪声和电容不匹配的问题,并设计了符合系统要求的低电压高速高增益运放.该模数转换器同时也包含了带隙基准、分布时钟产生电路、参考电压和共模电压缓冲器等电路模块.芯片采用TSMC 65nm GP 1P9M CMOS工艺实现,面积为3.2 mm2(包含PAD).测试结果表明,当采样率为20MS/s,输入信号频率为1.869MHz时,信噪比(SNR)为66.40dB,信噪失真比(SNDR)为65.21dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.44dB,有效位数(ENOB)为10.54bit.电源电压为1.2 V,整个模数转换器的总功耗为260mW.

关键词：低电压流水线型模数转换器无采样保持运放结构高速高精度

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低电压电磁成形铆接关键问题的探讨

锻压装备与制造技术 2003年第6期38卷 31-33页

作者：朱春东刘卫华夏志林武汉理工大学湖北武汉430070

介绍了电磁铆接的优点,叙述了低电压电磁成形铆接的技术参数及手持电磁铆枪相关技术问题的解决。

关键词：电磁铆接低电压电磁铆枪技术参数飞机制造

低电压InGaZnO双电层薄膜晶体管及其阈值电压调控

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低电压InGaZnO双电层薄膜晶体管及其阈值电压调控

作者：刘瑞超河北工业大学

学位级别：硕士

InGa ZnO薄膜晶体管(IGZO TFT),由于具有高迁移率(能达到10cm2V-1s-1)、全透明、低温制备和非晶沟道结构等优势,在平板显示和传感器领域具有广泛的应用价值。传统致密的栅介质通常具有较小的电容,导致IGZO TFT的工作电压较高(通常大于10... 详细信息

InGa ZnO薄膜晶体管(IGZO TFT),由于具有高迁移率(能达到10cm2V-1s-1)、全透明、低温制备和非晶沟道结构等优势,在平板显示和传感器领域具有广泛的应用价值。传统致密的栅介质通常具有较小的电容,导致IGZO TFT的工作电压较高(通常大于10V),这限制了IGZO TFT在便携式产品中的应用。SiO和AlO质子导体膜能够在栅介质/半导体界面处形成大的双电层电容(EDLC)(≥1μFcm-2),以SiO和AlO质子导体膜为栅介质的IGZO双电层薄膜晶体管(IGZO EDLT)的工作电压能降到3V以内。本文主要包括以下内容:(1)通过等离子体化学气相沉积制备SiO和AlO质子导体膜,SiO质子导体膜的EDLC高达4.6μFcm-2,AlO质子导体膜的EDLC高达1μFcm-2。研究了工作气压对AlO质子导体膜的EDLC的影响,工作气压40Pa下制备的AlO质子导体膜有较好的性能。(2)使用SiO质子导体膜为栅介质,通过两步掩膜法和一步掩膜法沉积沟道和源-漏极,制备IGZO EDLT,并改变IGZO沟道层厚度调控阈值电压。采用两步掩膜法制备的IGZO EDLT的工作电压≤2V,实现了低电压工作,随着沟道厚度由91nm减少到40nm,阈值电压由0.22V增加到0.75V。采用一步掩膜法制备的不同沟道厚度的IGZO EDLT,其工作电压为1.5V,同样实现了低电压工作,随着沟道厚度由45nm减少到8nm,阈值电压由-0.64V增加到0.65V。(3)研究了不同工作气压下制备的AlO质子导体膜栅介质对IGZO EDLT工作电压的影响。10Pa和20Pa的工作气压下制备的AlO质子导体膜为栅介质的IGZO EDLT的工作电压分别为14V和10V,不能实现低电压工作。40Pa工作气压下制备的AlO质子导体膜为栅介质的IGZO EDLT具有3V的低工作电压。通过改变沟道厚度调控了AlO质子导体膜为栅介质的IGZO EDLT的阈值电压,当沟道厚度由45nm减少到8nm,阈值电压由-0.05V增加到0.82V。

关键词：质子导体膜低电压 InGaZnO沟道双电层阈值电压

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低电压集成电泳芯片的研制

光学精密工程 2003年第2期11卷 130-135页

作者：吴英温志渝张正元蒋子平黄尚廉重庆大学光电工程学院重庆400044

电泳芯片是一种重要的微型分析仪器。针对目前电泳芯片分离电压高、难以实现真正的一体化集成等问题,利用在分离通道上分段、交替、循环施加电压的方法提出了电泳芯片低电压分离的模型。依据该模型对这种低电压集成电泳芯片的研制工艺... 详细信息

电泳芯片是一种重要的微型分析仪器。针对目前电泳芯片分离电压高、难以实现真正的一体化集成等问题,利用在分离通道上分段、交替、循环施加电压的方法提出了电泳芯片低电压分离的模型。依据该模型对这种低电压集成电泳芯片的研制工艺和控制系统进行了研究,研制出了相应的样品。初步实验表明,该电泳芯片的低电压分离的思想可为分析仪器的集成化、便携式设计提供一定的方法。

关键词：低电压集成电泳芯片研制控制系统