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低电压满电源幅度CMOS运算放大器设计

固体电子学研究与进展 2004年第3期24卷 373-380页

作者：徐栋麟林越杨柯程旭任俊彦许俊复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了... 详细信息

回顾了在标准 CMOS工艺下 ,满幅度运放设计的各个发展阶段 ,结合笔者实际设计和测试的相关电路 ,较为详细地评述了它们的设计方法和各自的优缺点 ,着重阐述了低工作电压设计思想和如何做到输入级跨导的满幅度范围内恒定 ,使读者清楚了解该类运放的各自特点和发展趋势 ,为数模混合设计和系统级集成设计中采用何种运放结构提供了参考。在此基础上 ,提出了一种共模偏置电压具有严格的对称性能的新型满电源幅度运算放大器结构。

关键词：满电源幅度运算放大器低电压 CMOS

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低电压低功耗音频Σ-ΔADC调制器设计

湖南大学学报（自然科学版） 2021年第8期48卷 125-132页

作者：张涛何鹏刘劲武汉科技大学信息科学与工程学院湖北武汉400080

针对应用于音频设备中的Σ-ΔADC,提出一款改进的Σ-ΔADC调制器.该调制器结构改进传统调制器的结构并对调制器系数进行优化,克服传统Σ-ΔADC调制器结构的缺点,同时对调制器中的两个关键电路即OTA放大器和比较器也进行优化,极大改善了... 详细信息

针对应用于音频设备中的Σ-ΔADC,提出一款改进的Σ-ΔADC调制器.该调制器结构改进传统调制器的结构并对调制器系数进行优化,克服传统Σ-ΔADC调制器结构的缺点,同时对调制器中的两个关键电路即OTA放大器和比较器也进行优化,极大改善了OTA放大器和比较器性能.改进后的调制器具有低电压、低功耗、高精度和较好的鲁棒性的特点.该调制器采用1.2 V低电压供电,过采样比(OSR)为128,采样频率为6.144 MHz,信号带宽为20 kHz.基于SMIC0.11μm的工艺下,完成了Σ-ΔADC调制器的版图设计,并最终流片成功.芯片流片后的成测结果表明,调制器的信噪比达到102.4 dB,有效位达到16.7 bit,调制器的整体功耗仅1.17 mW左右,整个调制器的版图的面积仅为0.122 mm2左右.调制器的成测性能指标表明,该调制器是音频芯片中Σ-ΔADC电路的良好选择.

关键词：模数转换器 Σ-Δ调制器低功耗低电压

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低电压环形振荡器设计

通信学报 2007年第6期28卷 62-65,73页

作者：江金光李天望武汉大学卫星导航定位技术研究中心湖北武汉430079

提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率。仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz。

关键词：低电压环形振荡器调节范围

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低电压电磁铆接成形工艺的研究

中国机械工程 2005年第16期16卷 1465-1467页

作者：朱春东刘卫华黄尚宇武汉理工大学武汉430070

研究了低电压电磁铆接贮能放电次数与铆钉头部形变量的关系;论述了增加放电次数并不能有效地增加铆钉头部形变量;通过合理地选择电容、电压等工艺参数,一次充放电可以达到铆接效果,精确控制铆接质量;论证了低电压电磁铆接适合对复合材... 详细信息

研究了低电压电磁铆接贮能放电次数与铆钉头部形变量的关系;论述了增加放电次数并不能有效地增加铆钉头部形变量;通过合理地选择电容、电压等工艺参数,一次充放电可以达到铆接效果,精确控制铆接质量;论证了低电压电磁铆接适合对复合材料的连接;通过拉脱试验证明,低电压电磁铆接强度明显高于锤铆强度。

关键词：低电压电磁铆接强度

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低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计

华中科技大学学报（自然科学版） 2017年第9期45卷 1-5页

作者：陈黎明陈铖颖袁甲杨骏厦门理工学院光电与通信工程学院福建厦门361024 中国科学院微电子研究所北京100029

基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺... 详细信息

基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3V降至2.0V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7%.

关键词：人工耳蜗低电压超低功耗统计静态时序分析超大规模集成电路(VLSI)

低电压驱动毛细管电泳芯片电势分布的数值计算

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仪器仪表学报 2005年第Z1期26卷 183-184页

作者：陈里铭闫卫平刘军民大连理工大学电子工程系大连116024

低电压驱动阵列电极式毛细管电泳芯片是针对毛细管电泳芯片分离电压高、系统体积庞大的缺点,在原有芯片的结构上进行改进的电泳芯片。通过建立数学模型,计算了设置阵列电极后毛细管电泳微沟道内的电势分布,并与常规进样条件下微沟道内... 详细信息

低电压驱动阵列电极式毛细管电泳芯片是针对毛细管电泳芯片分离电压高、系统体积庞大的缺点,在原有芯片的结构上进行改进的电泳芯片。通过建立数学模型,计算了设置阵列电极后毛细管电泳微沟道内的电势分布,并与常规进样条件下微沟道内的电势分布进行比较,结果表明该方法可以使分离电压大幅度下降。

关键词：毛细管电泳芯片阵列电极低电压数值计算

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低电压电磁压制PZT粉末致密度的试验研究

中国机械工程 2006年第19期17卷 2063-2066页

作者：孙伟黄尚宇孟正华欧阳伟武汉理工大学武汉430070

将电磁成形技术用于粉末材料致密度研究中,以PZT粉末为研究对象,对其进行低电压电磁压制成形。分析了线圈匝数和放大器锥角等因素对压坯和制品致密度的影响。试验结果表明:增加放电线圈匝数能够提高陶瓷坯体和制品的致密度;当放大器锥角... 详细信息

将电磁成形技术用于粉末材料致密度研究中,以PZT粉末为研究对象,对其进行低电压电磁压制成形。分析了线圈匝数和放大器锥角等因素对压坯和制品致密度的影响。试验结果表明:增加放电线圈匝数能够提高陶瓷坯体和制品的致密度;当放大器锥角为45°时,陶瓷粉末的压制密度和烧结密度最大。低电压电磁压制成形方法比静力压制成形方法更能细化制品组织并提高某些压电性能。

关键词：低电压电磁压制 PZT粉末密度

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面向类脑计算的低电压忆阻器研究进展

物理学报 2024年第20期73卷 131-155页

作者：贡以纯明建宇吴思齐仪明东解令海黄维凌海峰南京邮电大学材料科学与工程学院有机电子与信息显示国家重点实验室南京210023

忆阻器是非易失性存储器和神经形态计算的优秀候选者.电压调制作为其关键性能策略,是获得纳瓦超低功耗、飞焦超低能耗工作的基础,有助于打破功耗墙、突破后摩尔时代算力瓶颈.然而基于高密度集成忆阻器阵列的类脑计算架构还需重点考虑开... 详细信息

忆阻器是非易失性存储器和神经形态计算的优秀候选者.电压调制作为其关键性能策略,是获得纳瓦超低功耗、飞焦超低能耗工作的基础,有助于打破功耗墙、突破后摩尔时代算力瓶颈.然而基于高密度集成忆阻器阵列的类脑计算架构还需重点考虑开/关比、高速响应、保留时间和耐久性等器件稳定性参数.因此如何在低电场下实现离子/电子的高效、稳定驱动,构筑电压低于1 V的低电压、高性能忆阻器成为了当前实现类脑计算能效系统的关键问题.本文综述了近年来面向类脑计算的低电压忆阻器的研究进展.首先,探讨了低电压忆阻器的机制,包括电化学金属化机制和价态变化机制.在此基础上,系统总结了各材料体系在低电压忆阻器中的优势,涵盖了过渡金属氧化物、二维材料和有机材料等.进一步围绕材料工程、掺杂工程、界面工程提出了相应的低电压忆阻器实现策略,最后,展望了基于低电压忆阻器的类脑功能模拟及神经形态计算应用,并对现存问题和未来研究方向进行了讨论.

关键词：忆阻器低电压类脑计算

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低电压条件下水体中诺氟沙星的去除效果及机理

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环境工程学报 2017年第5期11卷 2677-2683页

作者：朱敏杰袁守军合肥工业大学土木与水利工程学院合肥230009 南京大学环境学院污染控制与资源化研究国家重点实验室南京210046

研究低电压条件下诺氟沙星(NOR)的电化学降解去除效果。结果表明:在1.3 V外加电压条件下,NOR具有较好的去除效果,在初始浓度c_0=0.09 mmol·L^(-1)时,反应70 h后,NOR去除率为90%以上;NOR的去除过程符合伪一级动力学模型。溶液pH值、腐... 详细信息

研究低电压条件下诺氟沙星(NOR)的电化学降解去除效果。结果表明:在1.3 V外加电压条件下,NOR具有较好的去除效果,在初始浓度c_0=0.09 mmol·L^(-1)时,反应70 h后,NOR去除率为90%以上;NOR的去除过程符合伪一级动力学模型。溶液pH值、腐殖酸浓度、水质条件等因素均影响NOR的电化学降解效果。中性及弱碱性条件有利于NOR的电化学去除,腐殖酸及天然水体中的有机物会抑制NOR的去除效果。在低电压条件下,NOR的矿化作用不明显,NOR的电化学降解过程中伴随着大量有机中间产物生成。

关键词：电化学诺氟沙星低电压腐殖酸污水