检索结果-南通市图书馆

二维时域有限差分法提取高温超导互连线频变等效电路参数

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上海交通大学学报 1999年第9期33卷 1089-1092页

作者：袁正宇毛军发钱晓宁李征帆上海交通大学电子工程系上海200030

采用二维时域有限差分（ＦＤＴＤ）法分析用于超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）封装互连的高温超导互连线的传输特性，并提取其频变等效电路参数．结合描述超导特性的Ｌｏｎｄｏｎ第一方程与Ｍａｘｗｅｌｌ方程进行二维ＦＤＴＤ分析，建... 详细信息

采用二维时域有限差分（ＦＤＴＤ）法分析用于超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）封装互连的高温超导互连线的传输特性，并提取其频变等效电路参数．结合描述超导特性的Ｌｏｎｄｏｎ第一方程与Ｍａｘｗｅｌｌ方程进行二维ＦＤＴＤ分析，建立稳定的差分格式．在时域模拟过程中，非均匀渐变网格划分法的运用和时间序列预测模型的提出，大大节约了计算机内存和计算时间．计算结果和三维ＦＤＴＤ法分析结果比较，一致性较好，且提高了分析效率．

关键词：互连线超导互连线高Tc VLSI 频变等效电路

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金属互连线电迁移的影响因素

焊接学报 2018年第5期39卷 29-32页

作者：崔海坡刘晓杰邓登上海理工大学教育部微创医疗器械工程中心上海200093

应用有限元分析软件ABAQUS,对金属互连线的电迁移过程进行了电热耦合仿真分析,比较了不同互连线材料、不同温度、不同层间介质等因素对互连线电迁移失效的影响.结果表明,与铝硅合金互连线相比,在同样电流密度条件下,无论是电势梯度最大... 详细信息

应用有限元分析软件ABAQUS,对金属互连线的电迁移过程进行了电热耦合仿真分析,比较了不同互连线材料、不同温度、不同层间介质等因素对互连线电迁移失效的影响.结果表明,与铝硅合金互连线相比,在同样电流密度条件下,无论是电势梯度最大值还是热通量最大值,铜互连线的均高于铝互连线的,从而将加速互连线的电迁移;在一定的温度范围内,电流密度是影响互连线电迁移寿命的主要因素,而温度的变化对其影响较小;与SiO_2相比,SiN作为层间介质能够防止互连线中的热聚集,有利于互连线热量的散发,从而对于缓解电迁移具有积极的作用.

关键词：电迁移影响因素电热耦合互连线

超高速集成电路互连线的分布电容矩阵——测度不变方程法(MEI)解

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上海交通大学学报 1997年第1期31卷 59-61页

作者：曹毅金荣洪李征帆上海交通大学电子工程系上海

提出了以测度不变方程法（ＭＥＩ）结合有限差分法求有厚度多导体互连线分布电容矩阵的一种方法．给出获得测度不变方程的两种途径，即使用完全格林函数和全电荷格林函数对测度子（ｍｅｔｒｏｎ）积分．后一种方法可用于解决一大类实际... 详细信息

提出了以测度不变方程法（ＭＥＩ）结合有限差分法求有厚度多导体互连线分布电容矩阵的一种方法．给出获得测度不变方程的两种途径，即使用完全格林函数和全电荷格林函数对测度子（ｍｅｔｒｏｎ）积分．后一种方法可用于解决一大类实际问题。

关键词：测度不变方程互连线高速集成电路封装

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互连线负载的有效电容计算模型

上海交通大学学报 2004年第Z1期38卷 115-117页

作者：黄章财毛军发李晓春上海交通大学电子工程系上海200030

在大量仿真数据以及当前集成电路设计工艺的基础上,提出了一种简单互连线负载的有效电容计算模型.该模型基于精确的互连线π模型,考虑了互连线电阻对负载互连线的屏蔽作用,并能与目前常用的器件时延公式兼容.实验结果表明,该模型与电路... 详细信息

在大量仿真数据以及当前集成电路设计工艺的基础上,提出了一种简单互连线负载的有效电容计算模型.该模型基于精确的互连线π模型,考虑了互连线电阻对负载互连线的屏蔽作用,并能与目前常用的器件时延公式兼容.实验结果表明,该模型与电路模拟软件SPICE仿真结果相比较误差小于1.2%.

关键词：集成电路有效电容深亚微米互连线门级时延

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低阻硅CMOS工艺片上互连线模型

压电与声光 2011年第3期33卷 486-488,492页

作者：文进才楼佳孙玲玲杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018

提出了一种新的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺片上的互连线模型,模型在考虑互连线金属导体高频效应和衬底效应的基础上,引入了一个电容来表征金属导体通过氧化层在低阻硅衬底中引起的容性耦合特性。建立的互连线模型通过0.18μm CMOS... 详细信息

提出了一种新的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺片上的互连线模型,模型在考虑互连线金属导体高频效应和衬底效应的基础上,引入了一个电容来表征金属导体通过氧化层在低阻硅衬底中引起的容性耦合特性。建立的互连线模型通过0.18μm CMOS工艺上制作的互连线测试数据验证,频率精度可至50 GHz。

关键词： CMOS 互连线模型损耗衬底

高速集成电路系统互连线网时域响应的双极点近似分析

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上海交通大学学报 1997年第1期31卷 51-54页

作者：李征帆蔡正辉上海交通大学电子工程系上海

给出了高速集成电路系统在考虑互连线效应时的一种电路分析方法．将超越函数形式的互连传输线段的ＡＢＣＤ参量以幂级数形式展开，再表达成为有理函数形式的Ｙ参数，在二阶截断后可转换为时域的２个指数函数，然后运用递归卷积方法使数... 详细信息

给出了高速集成电路系统在考虑互连线效应时的一种电路分析方法．将超越函数形式的互连传输线段的ＡＢＣＤ参量以幂级数形式展开，再表达成为有理函数形式的Ｙ参数，在二阶截断后可转换为时域的２个指数函数，然后运用递归卷积方法使数值计算简化，从而明显提高电路模拟过程的计算效率。

关键词：高速集成电路互连线双极点分析 VLSI

神经网络在集成电路互连线寄生电容提取中的应用

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应用基础与工程科学学报 2008年第5期16卷 763-769页

作者：陈曦王高峰丁文周维武汉大学微电子与信息技术研究院湖北武汉430079

介绍深亚微米工艺下超大规模集成电路的互连线寄生电容提取问题,实现了基于神经网络的互连线寄生电容模型的建模与仿真,重点讨论了在建模过程中神经网络模型结构的选择,数据样本的处理,神经网络模型的训练,神经网络模型的测试等问题.实... 详细信息

介绍深亚微米工艺下超大规模集成电路的互连线寄生电容提取问题,实现了基于神经网络的互连线寄生电容模型的建模与仿真,重点讨论了在建模过程中神经网络模型结构的选择,数据样本的处理,神经网络模型的训练,神经网络模型的测试等问题.实验结果表明,良好训练后的神经网络模型不仅在仿真中能够快速、准确地输出互连线寄生电容值,而且具备良好的泛化能力,从而满足了集成电路设计特别是布局布线优化设计的要求.

关键词：超大规模集成电路互连线寄生电容神经网络建模

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基于互连线插值的时间数字转换器结构设计

核技术 2020年第7期43卷 40-46页

作者：周郭飞杨宏公安部第一研究所北京100044

全数字锁相环(All-digital Phase Locked Loop,ADPLL)中时间数字转换器(Time-to-Digital Converter,TDC)用于测量数控振荡器(Digitally Controlled Oscillator,DCO)输出时钟和参考时钟之间分数相位差,其分辨率越高,环路的相位噪声特性越好。为了提升TDC的测量分辨率,提出了一种对工艺偏差不敏感的环形互连线插值的TDC结构。本文首先给出了基于互连线插值TDC的系统结构,然后提出了一种工艺偏差不敏感的互连线结构实现等延时方法,并给出了环形的版图布局方案,最后利用仿真对提出的等延时实现方法进行验证。实验结果表明:该方法即使是在0.18μm CMOS工艺下也能将TDC的分辨率提高至皮秒级。

关键词：时间数字变换器互连线延时链延时估计

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铝铜互连线电迁移失效的研究

稀有金属 2009年第4期33卷 530-533页

作者：陈军毛昌辉北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

随着大规模集成电路的不断发展,互连线失效已经成为影响集成电路可靠性的主要因素之一。在铝互连线中添加铜元素是常用的改善电迁移性能的方法,采用直流磁控溅射法用铝及铝铜合金靶材在硅基片上沉积了薄膜,并通过光刻、刻蚀制成互连线,... 详细信息

随着大规模集成电路的不断发展,互连线失效已经成为影响集成电路可靠性的主要因素之一。在铝互连线中添加铜元素是常用的改善电迁移性能的方法,采用直流磁控溅射法用铝及铝铜合金靶材在硅基片上沉积了薄膜,并通过光刻、刻蚀制成互连线,通过电迁移加速寿命试验研究了温度和电流密度对Al-Cu互连线电迁移寿命的影响,分析了材料电迁移的热力学过程,推导了Al-Cu互连线的电迁移失效中值时间计算公式。

关键词：互连线电迁移加速寿命试验