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中能质子在重核上的反应机制研究

高能物理与核物理 2000年第8期24卷 755-760页

作者：樊胜李祝霞北京大学技术物理系北京100871 中国原子能科学研究院核物理研究所

利用量子分子动力学分析中高能质子轰击薄靶的物理过程研究结果表明 ,当入射质子能量小于 1.5GeV时 ,主要是直接、级联和蒸发 3个过程的竞争和转化 .3个反应过程相应的时间区间分别小于 30fm/c,30— 10 0fm/c和大于10 0fm/c .量子分子... 详细信息

利用量子分子动力学分析中高能质子轰击薄靶的物理过程研究结果表明 ,当入射质子能量小于 1.5GeV时 ,主要是直接、级联和蒸发 3个过程的竞争和转化 .3个反应过程相应的时间区间分别小于 30fm/c,30— 10 0fm/c和大于10 0fm/c .量子分子动力学分析 (p ,xn)

关键词：量子分子动力学中能质子反应机制重核

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中能质子在重核上的散裂反应的产物分布

高能物理与核物理 2000年第9期24卷 845-851页

作者：樊胜李祝霞北京大学技术物理系中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413 中国原子能科学研究院核物理研究所兰州重离子加速器国家实验室原子核理论中心兰州730000 中国高等科学技术中心北京100080

利用量子分子动力学和裂变理论 ,统一计算了入射能量为 3 2 2 ,660和 80 0MeV的p+ 2 0 8　Pb散裂产物的质量和电荷分布 .计算结果能较好地再现实验测量数据 .

关键词：量子分子动力学裂变散裂产物中能质子重核

中能质子与^4He原子核弹性散射中N-N振幅的相改变

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高能物理与核物理 2005年第7期29卷 664-667页

作者：王世来邓一兵宋桂莲浙江海洋学院物理系舟山316004 哈尔滨师范大学物理系哈尔滨150080

在KMT多重散射理论框架下,应用动量空间一级光学势,基于Franco和Yin关于核子-核子散射振幅的相随动量转移而改变的建议,研究了入射能量为1GeV时的质子-4He弹性散射.发现这个相改变使得KMT类型的理论计算的微分散射截面和极化本领与实验... 详细信息

在KMT多重散射理论框架下,应用动量空间一级光学势,基于Franco和Yin关于核子-核子散射振幅的相随动量转移而改变的建议,研究了入射能量为1GeV时的质子-4He弹性散射.发现这个相改变使得KMT类型的理论计算的微分散射截面和极化本领与实验符合得更好.

关键词：弹性散射中能质子原子核微分散射截面核子-核子理论框架多重散射动量空间动量转移散射振幅理论计算入射能量光学势

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中能质子引起散裂反应的碎片质量分布研究

原子核物理评论 2000年第2期17卷 91-94页

作者：樊胜叶沿林徐春成陈陶赵志祥 N M Sobolevsky 北京大学技术物理系北京100871 Institute for Nuclear Research

对 SHIELD程序进行了部分检验 ,利用 SHIELD程序计算质子入射铅的薄靶产生的靶碎片的截面及质量分布和激发函数 ,计算结果较好地再现了实验数据 .并计算了 1 .6Ge V的质子轰击长 60 cm和直径 2 0 cm的铅靶的碎片质量分布 .

关键词： SHIELD程序散裂反应碎片质量分布中能质子

中能质子散裂中子源核子发射与能量沉积的蒙特—卡罗计算

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青岛大学学报（自然科学版） 1997年第2期10卷 3-5页

作者：申庆彪田野中国原子能科学研究院

基于CYCIAE-100中能质子回旋加速器的单粒子效应敏感度评估

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航天器环境工程 2020年第3期37卷 293-298页

作者：张庆祥于登云李衍存贾晓宇王颖郑玉展郭刚丁李利北京空间飞行器总体设计部北京100094 中国航天科技集团公司北京100048 中国原子能科学研究院北京102413 西北核技术研究院西安710024

针对基于SRAM型FPGA实现的系统的单粒子效应敏感度评估,采用北京放射性核束装置CYCIAE-100回旋加速器提供的中能质子进行辐照试验研究。以典型SRAM型FPGA器件XC4VSX55为试验样品,获得其本征单粒子翻转截面以及特定应用下的翻转位数与功... 详细信息

针对基于SRAM型FPGA实现的系统的单粒子效应敏感度评估,采用北京放射性核束装置CYCIAE-100回旋加速器提供的中能质子进行辐照试验研究。以典型SRAM型FPGA器件XC4VSX55为试验样品,获得其本征单粒子翻转截面以及特定应用下的翻转位数与功能错误数的比例关系;并将结果与在瑞士PSI质子辐照装置获得的试验结果进行比较。此外,提出针对基于SRAM型FPGA实现的系统的两步骤单粒子翻转敏感度评估方法,可以定量评估器件在轨功能错误数。本工作同时表明CYCIAE-100提供的长射程的质子,对于倒装器件的单粒子翻转敏感度评估具有重要价值。

关键词：中能质子单粒子敏感度评估 CYCIAE-100回旋加速器试验研究

28 nm工艺触发器中能质子单粒子效应研究

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电子与封装 2023年第6期23卷 72-75页

作者：高熠陈瑶吕伟赵铭彤王茂成中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 西北核技术研究所西安710024

基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链,开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究。选取20 MeV、40 MeV、60 MeV以及100 MeV质子对电路进行辐照,得到相关的SEU截面,结果显示,随着入射质子能量的增加,SEU... 详细信息

基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链,开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究。选取20 MeV、40 MeV、60 MeV以及100 MeV质子对电路进行辐照,得到相关的SEU截面,结果显示,随着入射质子能量的增加,SEU截面增加,并在60 MeV质子能量点附近达到饱和,翻转截面接近8×10^(-14)cm^(-2)/bit。对采取了不同加固方法的触发器链的试验数据进行分析对比,可以看到,单独的版图加固措施只能稍微降低翻转率;DICE结构可以将翻转截面降低一个数量级,电路面积增加一倍左右;时间冗余延迟+DICE的方法基本可以使电路不发生翻转,但电路面积大大增加且造成一定的延迟。

关键词：辐射效应单粒子翻转中能质子触发器

65 nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究

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电子与封装 2023年第7期23卷 77-80页

作者：陈锡鑫殷亚楠高熠郭刚陈启明中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心北京102413

基于一款带错误检测与纠正(EDAC)功能的65 nm体硅CMOS SRAM,开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下,得到了2组试验结果。分析试验数据发现:在重离子与中能质子试验中,采用商用6T设计规... 详细信息

基于一款带错误检测与纠正(EDAC)功能的65 nm体硅CMOS SRAM,开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下,得到了2组试验结果。分析试验数据发现:在重离子与中能质子试验中,采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子闩锁现象,但都发生了单粒子多位翻转现象;质子单粒子效应引起的错误数已饱和,而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加,该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的,但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响,明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同,为SRAM在航天上的应用奠定了基础。

关键词：辐射效应单粒子效应中能质子 SRAM

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碳化硅结势垒肖特基二极管质子辐照损伤研究

核技术 2023年第2期46卷 42-50页

作者：刘翠翠李治明韩金华郭刚殷倩张艳文刘建成中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心北京102413 兰州大学核科学与技术学院兰州730000

碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子... 详细信息

碳化硅功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域寄予厚望。为探究碳化硅功率器件抗中能质子辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,对标低地球轨道累积十年等效质子位移损伤注量,针对高性能国产碳化硅结势垒肖特基二极管开展了10 MeV质子室温、无偏压辐照实验。测试了器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容特性等电学特性,并通过深能级瞬态谱仪分析了辐照缺陷引入特点。结果显示:器件辐照后正向电性能稳定,较低反向安全电压下漏电流减小,注量增加后击穿电压严重退化;分析认为质子辐照导致势垒高度增加、辐照缺陷增加、载流子浓度降低。碳化硅肖特基功率器件的辐射损伤过程及机理研究,为其中能质子环境应用的评估验证提供了数据支撑。

关键词：碳化硅结势垒肖特基二极管中能质子辐射效应电学性能深能级缺陷