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  • 4 篇 电动机
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机构

  • 3 篇 上海市机电设计院
  • 3 篇 南京航空航天大学
  • 3 篇 西安电力电子技术...
  • 2 篇 重庆市光学机械研...
  • 2 篇 广东科技学院
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  • 1 篇 南京林业大学
  • 1 篇 抚顺铝厂一○八车间...
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  • 1 篇 上海电化厂
  • 1 篇 华中理工大学
  • 1 篇 山东广播电视大学
  • 1 篇 上海整流器厂
  • 1 篇 胜利油田钻井工艺...
  • 1 篇 抚顺矿务局供电部
  • 1 篇 天津电气传动设计...
  • 1 篇 沈阳钢管厂
  • 1 篇 上海交通大学

作者

  • 3 篇 秦海鸿
  • 3 篇 周志康
  • 3 篇 严仰光
  • 3 篇 金宗儒
  • 3 篇 李赤舟
  • 3 篇 高军才
  • 3 篇 王慧贞
  • 2 篇 李则民
  • 2 篇 李丽
  • 2 篇 谭汉洪
  • 2 篇 赵朝会
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  • 1 篇 韩立媛
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语言

  • 100 篇 中文
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单斩电流滞环控制的双凸极永磁电机三相桥式功率变换器中的电流尾巴
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中国电机工程学报 2005年 第20期25卷 124-131页
作者： 秦海鸿 黄伟君 王慧贞 严仰光 南京航空航天大学航空电源航空科技重点实验室 江苏省南京市210016
双凸极永磁电机的功率控制器通常采用电流滞环斩波控制。文中基于12/8极转子斜槽式双凸极永磁电机,研究了单斩电流滞环控制的三相桥式功率控制电路;提出采用这种控制方案的三相桥式变换器,每相绕组在关断时段内,会出现两段电流尾巴,削... 详细信息
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三相桥式整流电路中谐波电流的计算新方法
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电工技术学报 1999年 第4期14卷 59-63页
作者： 李槐树 李朗如 华中理工大学电力工程系
提出了一种实用的新方法来计算三相桥式整流器所产生的谐波电流。本方法考虑了交流侧电抗及电网中存在的谐波电压，导出了交直流两侧谐波电流的计算公式。计算与实测结果表明，本方法准确实用。
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三相桥式可控硅装置中正向电压上升率造成的误触发及其解决措施
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冶金自动化 1979年 第6期 1-10页
作者： 李则民 鞍山钢铁学院
在几台三相桥式反并联无环流可控硅供电装置的调试中,都遇到由于可控硅元件的断态临界电压上升率过低,发生换相正向电压上升率造成本桥以及反并联结线中他桥误触发的情况,严重时可控硅装置不能工作,甚至可控硅元件损坏不得不全部加以更... 详细信息
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三相桥式反并联线路中的循环电流
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电气传动 1976年 第4期 11-16页
作者： 金宗儒 上海市机电设计院
(一) 三相桥式反并联线路中,如两组反并联接线的整流装置同时有控制脉冲存在,就将产生不流经负荷的循环电流,如图1所示。为此,必须设置抑制环流用的电抗器L。
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三相桥式自动逆变器的暂态分析(换向函数法的应用)
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电气传动 1980年 第6期 55-66+71页
作者： 丁毓山 沈阳农学院
本文的目的是应用换向函数法来分析三相全控桥式自动逆变器的暂态过程。文中主要对180°导电型的三相自动逆变器进行了系统的分析,对120°导电型的三相自动逆变器只给出了相应的结论。在分析中,首先根据自动逆变器的物理过程,分别建立了... 详细信息
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三相桥式系统硅整流超前机组
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轻金属 1979年 第1期 52-57页
作者： 孙宪钧 抚顺铝厂一○八车间试验班 沈阳铝镁设计院四室超前机组试验小组
大型电解设备的直流供电电源,大都采用三相桥式接线系统的硅整流机组。这种结线方式的变压器构造简单,且硅元件承受的反向电压低,功率因数介于0.89～0.94之间。由于电
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三相桥式硅整流器在大爆破中的应用
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爆破器材 1982年 第2期 31-33页
作者： 袁志超 虞吉林 湖南桃林铅锌矿
在我矿中深孔阶段崩落采矿法的大爆破中,不仅一次使用的炸药量较大,而且使用的雷管数也较多,一般在4～6千发,最多时达到万发以上。由于一次同时起爆的雷管多,电爆网路较复杂,在单相交流供电条件下,设计
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三相桥式全控整流电路电阻性负载的MATLAB仿真研究
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科技尚品 2015年 第7期 2-3页
作者： 谭汉洪 李丽 广东科技学院
利用MATLAB7.0的Simulink的电力系统仿真模型进行可控整流电路的仿真研究,给出三相桥式全控电阻负载整流电路的理论分析波形图,用MATLAB命令语言验证了理论分析,并提供该电路的MATLAB的仿真模型图,得到仿真波形图。
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三相桥式交叉接线低环流系统
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电气传动 1979年 第1期 19-27+18页
作者： 韩立媛 范春亭 天津电气传动设计研究所
前言可控硅供电可逆传动系统在我国应用已相当广泛,其中三相桥式反并联有环流系统及三相桥式交叉接线有环流系统由于本身存在缺点应用不多,而目前大量应用的乃是逻辑切换无环流系统。本文重点讨论三相桥式交叉接线低环流供电控制系统。... 详细信息
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三相桥式可控硅装置中正向电压上升率造成的误触发及其解决措施
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辽宁科技大学学报 1979年 第1期 27-42页
作者： 李则民
在几台三相桥式反并联无环流可控硅供电装置的调试中,都遇到了由于可控硅元件的断态临界电压上升率过低,发生换相正向电压上升率造成本桥以及反并联结线中他矫误触发的情况。严重时使可控硅装置不能工作,甚至不得不全部更换可控硅元件... 详细信息
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