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氢热等离子体还原四氯化硅制备三氯氢硅的能耗分析

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硅酸盐学报 2011年第5期39卷 769-772页

作者：黄志军覃攀吴青友李育亮王子松尚书勇戴晓雁印永祥四川大学化学工程学院等离子体应用研究中心成都610065

利用40 kW直流氢热等离子体氢化还原改良西门子(Siemens)法生产多晶硅工艺的副产物SiCl4,制备了SiHCl3(Trichlorosilane,TCS)。在等离子体放电功率和H2体积流量不变的条件下,考察了n(H2):n(SiCl4)摩尔比对SiHCl3单程收率和单位产品能耗... 详细信息

利用40 kW直流氢热等离子体氢化还原改良西门子(Siemens)法生产多晶硅工艺的副产物SiCl4,制备了SiHCl3(Trichlorosilane,TCS)。在等离子体放电功率和H2体积流量不变的条件下,考察了n(H2):n(SiCl4)摩尔比对SiHCl3单程收率和单位产品能耗的影响。结果表明:当n(H2):n(SiCl4)=3.5时,SiHCl3最高单程收率可达62.1%,但其单位产品能耗较高[3.83(kW·h)/kg(TCS)];当n(H2):n(SiCl4)=2时,SiHCl3单程收率为41.5%,单位产品能耗最低为3.21(kW·h)/kg(TCS)。根据热等离子体相关理论以及实验结果,对热等离子体氢化SiCl4反应机理进行分析,提出可通过改善反应器结构、调控进料比例和优化反应工艺等方式进一步降低单位产品能耗。

关键词：四氯化硅热等离子体三氯氢硅多晶硅能耗

三氯氢硅站上“风口” 价格较去年初上涨近360% B18

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三氯氢硅站上“风口” 价格较去年初上涨近360%

三氯氢硅精馏新过程的研究及其节能降耗的应用

中国经营报

作者：张英英吴可仲

曾经不温不火的三氯氢硅，如今却在光伏市场的加持下，被资本推上风口。Wind数据显示，年初至今（截至6月14日），三氯氢硅概念股三孚股份（603938.SH）、宏柏新材（605366.SH）、晨光新材（605399.SH）和新安股份（600596.SH）的股价... 详细信息

曾经不温不火的三氯氢硅，如今却在光伏市场的加持下，被资本推上风口。Wind数据显示，年初至今（截至6月14日），三氯氢硅概念股三孚股份（603938.SH）、宏柏新材（605366.SH）、晨光新材（605399.SH）和新安股份（600596.SH）的股价分别上涨136.39%、169.78%、66.94%和39.6%。期间?

关键词：三氯氢硅新安股份多晶硅招商证券

来源： cnki报纸评论

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化工进展 2009年第S2期28卷 297-300页

作者：陈文徐昱陈位强李群生北京化工大学化学工程学院北京100029 比欧西(中国)投资有限公司上海201206 中国石油四川石化有限责任公司四川成都610036

采用现代先进的计算机模拟软件,对三氯氢硅精馏过程进行了详细的模拟计算和优化,在此基础上,得到了优化的流程和工艺,达到了节能降耗的目的。采用现代高效分离技术——高效导向筛板精馏塔,对三氯氢硅精馏过程进行了设计、计算,并且在实... 详细信息

采用现代先进的计算机模拟软件,对三氯氢硅精馏过程进行了详细的模拟计算和优化,在此基础上,得到了优化的流程和工艺,达到了节能降耗的目的。采用现代高效分离技术——高效导向筛板精馏塔,对三氯氢硅精馏过程进行了设计、计算,并且在实际生产中进行了应用。应用表明,这种经过理论优化和高效塔板改进的精馏技术,可以实现产品质量大幅度提高,硼的含量降低到极低,排放的三氯氢硅减少50%以上,同时节能20%～30%,实现了大规模提高经济效益的目的。

关键词：三氯氢硅精馏节能减排硼含量经济效益

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三氯氢硅产业高景气度有望延续 A06

三氯氢硅产业高景气度有望延续

中国证券报

作者：乔翔朱涵

近期，多家拥有三氯氢硅产能的上市公司披露了相关项目的最新动态。部分公司表示，将结合自身战略、市场情况等合理规划三氯氢硅产能。根据机构统计数据，目前国内已公告的多晶硅新增产能总规划超过300万吨，预计2022年至2024年我国多... 详细信息

近期，多家拥有三氯氢硅产能的上市公司披露了相关项目的最新动态。部分公司表示，将结合自身战略、市场情况等合理规划三氯氢硅产能。根据机构统计数据，目前国内已公告的多晶硅新增产能总规划超过300万吨，预计2022年至2024年我国多晶硅产能分别达到72万吨、125万吨、175万吨

关键词：三氯氢硅多晶硅扩建项目

来源： cnki报纸评论

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多晶硅企业事故大气环境次生污染物影响分析

中国环保产业 2024年第3期 30-34页

作者：黄翔何磊李萌刘晓宇中国环境科学研究院北京100012

本文以某企业三氯氢硅储罐泄漏、燃烧引发次生污染物氯化氢气体在大气环境中扩散的风险事故情形为例,利用AFTOX模型进行大气环境风险的分析、预测,为此类风险事故的防范、应急与减缓措施提供了建议。

关键词：多晶硅生产三氯氢硅次生污染物影响 AFTOX模型

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响应曲面法对三氯氢硅精馏工艺的优化

北京化工大学学报（自然科学版） 2015年第1期42卷 16-20页

作者：李群生王翔宇北京化工大学化学工程学院北京100029

使用Aspen Plus模拟了三氯氢硅粗馏的三塔精馏过程,在Aspen单因素优化的基础上,利用统计学范畴的响应曲面法(RSM)进一步处理,探究了预分离塔和三氯氢硅塔的理论板数、进料位置、精馏采出、回流比等关键参数对于产品组成的综合影响,拟合... 详细信息

使用Aspen Plus模拟了三氯氢硅粗馏的三塔精馏过程,在Aspen单因素优化的基础上,利用统计学范畴的响应曲面法(RSM)进一步处理,探究了预分离塔和三氯氢硅塔的理论板数、进料位置、精馏采出、回流比等关键参数对于产品组成的综合影响,拟合了二项式数学模型,并按照不同权重给出了流程的参数组合。结果表明,以响应曲面法对流程进行优化较单因素优化可节能25.4%,对产品质量达标的方案可节能29.9%,对产品质量最优的方案可节能21.9%,优化效果良好。

关键词：响应曲面法三氯氢硅精馏优化

氯化亚铜对多晶硅冷氢化技术中三氯氢硅收率的影响

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化工设计通讯 2022年第2期48卷 91-93页

作者：杨飞宇内蒙古通威高纯晶硅有限公司内蒙古包头014000

从行业发展的角度来看,进一步提升三氯氢硅收率成为有机硅企业重点研究的内容。随着相关技术的发展,三氯氢硅相关装置的压力、温度等相关数据逐渐趋于稳定状态,因此催化剂的选择成为重要影响因素。从冷氢化技术入手,最终选定氯化亚铜为... 详细信息

从行业发展的角度来看,进一步提升三氯氢硅收率成为有机硅企业重点研究的内容。随着相关技术的发展,三氯氢硅相关装置的压力、温度等相关数据逐渐趋于稳定状态,因此催化剂的选择成为重要影响因素。从冷氢化技术入手,最终选定氯化亚铜为催化剂,并采用实验分析的方法证实了氯化亚铜对三氯氢硅收率的影响。实验结果发现,在多晶硅冷氢化技术中,氯化亚铜的使用会提高三氯氢硅的收率,具有技术可行性。

关键词：氯化亚铜多晶硅冷氢化三氯氢硅

低温加热挥发三氯氢硅-电感耦合等离子体质谱法测定三氯氢硅中痕量砷

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冶金分析 2018年第7期38卷 44-50页

作者：钱津旺毛智慧杨红燕张云晖陶明云南冶金云芯硅材股份有限公司云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室

采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)常规模式测定三氯氢硅中砷时,40 Ar35 Cl+会对75 As+的信号产生严重干扰,同时若直接进行测定,大量硅基体的存在不仅会有基体效应,也会造成对采样锥、截取锥和进样系统的堵塞,这些都给ICP-MS测定三氯... 详细信息

采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)常规模式测定三氯氢硅中砷时,40 Ar35 Cl+会对75 As+的信号产生严重干扰,同时若直接进行测定,大量硅基体的存在不仅会有基体效应,也会造成对采样锥、截取锥和进样系统的堵塞,这些都给ICP-MS测定三氯氢硅中痕量砷带来了难题。实验利用石墨氮气挥三氯氢硅装置在5090℃下对液体三氯氢硅样品进行挥发处理,以体积比为1∶1∶1∶8的氢氟酸-硝酸-过氧化氢-水为混合浸取液体对挥发后的样品残渣进行浸取,解决了因大量硅基体存在而引起的问题。同时,实验采用氢气-氦气混合碰撞/反应池模式,控制混合碰撞/反应气流速为6.0mL/min,消除了40 Ar35 Cl+对75 As+的干扰,最终实现了ICP-MS对三氯氢硅中痕量砷的测定。在优化的仪器条件下,测定砷标准系列溶液,以砷信号强度值与质量浓度进行线性回归,相关系数在0.999 0以上,方法的检出限为0.01ng/g。将实验方法应用于三氯氢硅样品中砷的测定,结果的相对标准偏差(RSD,n=11)在0.71%7.1%之间,加标回收率为87%105%之间。分别用微量移液器准确移取1.00、15.00μL砷标准储备溶液加入到超纯三氯氢硅中,配制成砷质量分数分别为2.00、30.00ng/g的2个三氯氢硅模拟样品,按照实验方法分别对这2个模拟样品中砷进行测定,测定值与理论值基本一致,相对误差的绝对值不大于1%。

关键词：砷三氯氢硅电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) 碰撞反应池技术

树脂除碳技术在超纯三氯氢硅提纯工艺中的应用

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同方期刊数据库

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化工管理 2022年第3期 67-69页

作者：许正清王金宝青海黄河水电公司新能源分公司青海西宁810007 青海省新能源材料与储能技术重点实验室青海西宁810007

三氯氢硅的合成过程中会引入碳杂质,在多晶硅和作为硅源的硅外延片生产中很容易发生沉积,形成晶格点缺陷,从而影响半导体材料的性能。高纯三氯氢硅中碳杂质主要以甲基二氯硅烷形式存在,而甲基二氯硅烷沸点与三氯氢硅接近,依靠单纯的精... 详细信息

三氯氢硅的合成过程中会引入碳杂质,在多晶硅和作为硅源的硅外延片生产中很容易发生沉积,形成晶格点缺陷,从而影响半导体材料的性能。高纯三氯氢硅中碳杂质主要以甲基二氯硅烷形式存在,而甲基二氯硅烷沸点与三氯氢硅接近,依靠单纯的精馏法很难去除。文章重点介绍普通精馏法、吸附法、反应精馏法等几种三氯氢硅除碳方法,经过对比分析,精馏与树脂吸附相结合是目前比较有效的三氯氢硅除碳工艺。

关键词：碳杂质甲基二氯硅烷树脂除碳三氯氢硅