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三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体

人工晶体学报 2003年第4期32卷 324-328页

作者：张伟朱世富赵北君刘敏文李一春四川大学材料科学系成都610064

本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究 ,设计组装了三温区单晶炉 ,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2 单晶体 ,尺寸达10mm× 2 5mm。实验测定了AgGaS2 晶体的差热分析曲线和红外透射谱 ,以及单晶 { 112 }解理... 详细信息

本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究 ,设计组装了三温区单晶炉 ,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2 单晶体 ,尺寸达10mm× 2 5mm。实验测定了AgGaS2 晶体的差热分析曲线和红外透射谱 ,以及单晶 { 112 }解理面的X射线衍射谱 ,结果表明生长晶体的质量较高。

关键词：三温区坩埚下降法晶体生长硫镓银单晶体三元化合物半导体

Cd_(1-x)Zn_xTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

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高压物理学报 2000年第4期14卷 269-272页

作者：鲍忠兴褚君浩柳翠霞刘克岳王金义中国科学院物理研究所中国科学院国际材料物理中心辽宁沈阳110015 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室华北光电研究所

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次... 详细信息

在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、4 5GPa内的p V关系。实验结果表明它在3 8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程 ,以及它的Gr櫣ｎｅｉｓｅｎ参数γ0 、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0 ′。

关键词：电阻电容电学性质状态方程相变高压三元化合物半导体体弹模量 Gruneisen参数

溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响

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Journal of Semiconductors 2001年第2期22卷 187-192页

作者：谢泉侯立松阮昊干福熹李晶中国科学院上海光学精密机械研究所

研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态... 详细信息

研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 .(2 )当溅射氩气气压一定时 ,对于非晶态薄膜样品 ,在 5 0 0 nm波长以下 ,折射率随溅射功率的增加先增加后减小 ,消光系数则逐渐减小 ;在 5 0 0 nm以上 ,折射率随溅射功率的增加逐渐减少 ,消光系数先减小后增加 .对于晶态薄膜样品 ,在整个波长范围折射率随溅射功率的增加先减小后增加 ,消光系数则逐渐减少 .(3)薄膜样品的光学常数都随波长的变化而变化 ,在长波长范围变化较大 ,短波长范围变化较小 .探讨了影响 Ge2 Sb2 Te5

关键词：光学常数 Ge2SB2Te5薄膜溅射参数三元化合物半导体

Hg_(1-x)Cd_xTe在高压下的结构、状态方程与相变

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高压物理学报 2000年第4期14卷 298-301页

作者：顾惠成陈良辰褚君浩鲍忠兴刘克岳王金义郑康立中国科学院物理研究所北京100080 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 华北光电研究所北京100015

利用X射线粉末衍射方法 ,在室温高压下观察到了Hg1-xCdxTe(x =0 .19)的相变。实验是在DAC高压装置上完成的 ,压力从 0逐步加至 10 1GPa。在常温常压下Hg1-xCdxTe(x =0 .19)具有闪锌矿结构。从实验结果看到 ,在压力为 3GPa和 6 8～ 8 3... 详细信息

利用X射线粉末衍射方法 ,在室温高压下观察到了Hg1-xCdxTe(x =0 .19)的相变。实验是在DAC高压装置上完成的 ,压力从 0逐步加至 10 1GPa。在常温常压下Hg1-xCdxTe(x =0 .19)具有闪锌矿结构。从实验结果看到 ,在压力为 3GPa和 6 8～ 8 3GPa之间有两个结构相变存在。初步认为 ,后一个相变与Hg1-xCdxTe(x =0 .19)的金属化有密切关系。通过计算 ,得到了它在相变前的状态方程 ,并且与二元HgTe化合物在相变规律上进行了比较。

关键词：高压 X射线衍射状态方程相变晶体结构三元化合物半导体可改变带隙闪锌矿结构

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砷化镓及其应用第1版

真空蒸发制备Cd(Se,S)薄膜及其光学性能研究

1975年

作者：峨嵋半导体材料研究所译

本书译自日刊《电子学》1971年5、6两期中"GaAsとその应用"一文。

ISBN: (纸本)15034·1456

本书译自日刊《电子学》1971年5、6两期中"GaAsとその应用"一文。

关键词：三元化合物半导体

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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真空科学与技术学报 2004年第3期24卷 219-221页

作者：李蓉萍荣利霞内蒙古大学理工学院呼和浩特010021 中国科学院高能物理所北京100039

利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源 ,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se ,S)薄膜 ,薄膜为纤锌矿结构 ,具有沿 [0 0 2 ]晶向的择优取向。Cd(Se ,S)薄膜为n型材料 ,在可见光范围内具有良好的透过... 详细信息

利用真空蒸发技术在CdS粉末中掺入不同比例的Se粉末作源 ,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Cd(Se ,S)薄膜 ,薄膜为纤锌矿结构 ,具有沿 [0 0 2 ]晶向的择优取向。Cd(Se ,S)薄膜为n型材料 ,在可见光范围内具有良好的透过率。随Se成分的增加 ,薄膜由透明橘黄色变为透明棕红色。

关键词： Cd(Se,S)薄膜三元化合物半导体光学性能制备真空蒸发

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太阳能光电材料CuInSe_2的研究进展

材料导报 2001年第5期15卷 11-13页

作者：张辉马向阳杨德仁浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

综述了太阳能光电材料CuInSe_2的研究历史和现状,主要讨论了CuInSe_2的光学性质、电学性质、及其掺杂对禁带宽度的影响,介绍了薄膜的制备方法特别是硒化法,最后综述了目前存在的问题及其发展趋势。

关键词：光电材料太阳能电池制备方法材料铜铟硒三元化合物半导体硒化法

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晶体生长炉坩埚旋转控制系统的研制

微计算机应用 2005年第3期26卷 297-297页

作者：宋德杰刘俊成山东理工大学淄博255049

目前,大体积高质量晶体材料的制备为国防高技术装备所急需.作为一种新型室温核辐射探测器材料--CdZnTe(CZT)备受瞩目.CZT单晶是一种三元化合物半导体,主要用来制作探测器,其特点在于禁带宽度大,电阻率高,平均原子序数高,对核辐射射线的... 详细信息

目前,大体积高质量晶体材料的制备为国防高技术装备所急需.作为一种新型室温核辐射探测器材料--CdZnTe(CZT)备受瞩目.CZT单晶是一种三元化合物半导体,主要用来制作探测器,其特点在于禁带宽度大,电阻率高,平均原子序数高,对核辐射射线的阻止本领强,在外加偏压情况下漏电流小,是一种理想的室温核辐射探测器新材料.但生长此种单晶在我国还处在研发阶段,有待对其生长条件进行大量的试验和探索.

关键词：晶体生长炉旋转控制系统坩埚三元化合物半导体研制核辐射探测器探测器材料流动稳定性梯形波技术装备晶体材料禁带宽度原子序数阻止本领外加偏压生长条件生长理论单晶生长大体积 CZT 电阻率漏电流新材料