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Characteristics of low altitude ionospheric electric field over Hainan Island,China

Science China Earth sciences 2017年第4期60卷 770-775页

作者： LI RenKang CHEN Tao MAN Feng JIANG XiuJie LUO Jing HE ZhaoHai ZHANG HuiMing WANG LinFeng LIU Cheng Francisco Carlos de MENESES WANG GuoJun XU JiYao State Key Laboratory of Space Weather National Space Science CenterChinese Academy of Sciences College of Earth Science University of Chinese Academy of Sciences National Institute for Space Research Av dos Astronautas 1758CEP 12227-010 Sao Jose dos Campos

A sounding rocket experiment undertaken by the Chinese Meridian Project from a low latitude station on Hainan Island(19.5°N,109.1°E),China,measured the DC electric field during 05:45-05:52 LT on April 5,*** data observed using a set of electric field double probes,as part of the rocket's scientific payload,revealed the special profile of how the vectors of the DC electric field vary with altitude between 130 and 190 *** the experiment,the vertical electric field was downward,and the maximum vertical electric field was nearly 5.1 mV/m near the altitude of 176 *** zonal electric field was eastward and slightly less than 0.6 mV/*** plasma drift velocity was estimated from the E×B motion,and the zonal drift velocity was eastward and of the order of 100 m/*** zonal wind velocity was also estimated using the drift velocity near the maximum density height in the F1-region,and it was found to be nearly 120 m/*** work constituted the first in situ measurement of the DC electric field conducted within the Fl-region(between 130 and 190 km) in the East Asian Sector.

关键词： Kuroshio intrusion Luzon Strait South China Sea Nonlinear dynamics

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用于粒子探测器的CMOS FET采样保持电路的设计与仿真(英文)

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原子核物理评论 2010年第4期27卷 459-463页

作者： WEMBE TAFO Evariste 苏弘千奕周朝阳王同喜中国科学院近代物理研究所甘肃兰州730000 杜阿拉大学物理系

介绍了一个峰保持电路。该电路适用于silicon strip,Si(Li),CdZn Te and CsI等探测器,实现采样-保持功能。已成功进行了基于CMOSFET的采样-保持电路的设计和仿真,通过使用Proteus的PSPICE仿真器和BSIMV3.3模型参数完成了电路性能的仿真... 详细信息

介绍了一个峰保持电路。该电路适用于silicon strip,Si(Li),CdZn Te and CsI等探测器,实现采样-保持功能。已成功进行了基于CMOSFET的采样-保持电路的设计和仿真,通过使用Proteus的PSPICE仿真器和BSIMV3.3模型参数完成了电路性能的仿真。同时,实现了采样时间可在60ns到4.44s范围内进行选择,该电路具有较好的线性。

关键词：采样保持 CMOS场效应管峰值仿真

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Electroluminescence quenching mechanism in Rubrene doped host-guest system

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Chinese Physics B 2010年第3期19卷 563-567页

作者：闫光赵谡玲徐征张福俊孔超朱海娜宋丹丹徐叙瑢 Key Laboratory of Luminescence and Optical Information(Beijing Jiaotong University) Ministry of Education Institute of Optoelectronics Technology Beijing Jiaotong University

In this paper, the electroluminescence quenching mechanism in a 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene （Rubrene） doped host-guest system is studied by utilizing a specially designed organic light-emitting diode with an emission layer consisting of a few periodic host/guest structures. Tris-（8-hydroxyquinoline） aluminium （Alq3） and Rubrene are used as the host and the guest, respectively. The thickness variation of the guest layer in each period enables the study of the effect of molecule aggregation, and the thickness variation of the host layer suggests a long range quenching mechanism of dipole-dipole interaction. The long range quenching mechanism is a Forster process, and the FSrster radius of Rubrene is between 3 and 10 nm.

关键词： organic light-emitting diode FSrster process quenching mechanisms

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