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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

光谱学与光谱分析 2002年第4期22卷 538-541页

作者：肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 详细信息

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54

关键词：氧化硅离子注入纳米硅铒光致发光半导体材料掺杂稀土

用久期微扰理论将弹簧振子模型退化为耦合模理论

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物理学报 2020年第7期69卷 114-120页

作者：朱存远李朝刚方泉汪茂胜彭雪城黄万霞安徽师范大学物理与电子信息学院芜湖241002 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数... 详细信息

尽管耦合模理论在过去几十年内已经被广泛研究,但它的理论来源还是困扰着广大研究者.在这里,基于久期微扰理论,将经典弹簧振子模型退化为耦合模理论,并将该理论用于解释音叉耦合的实验现象.研究表明这种方法将耦合模理论中每一项的系数都与经典力学中的相关物理量建立关联,且理论和实验结果符合得很好.该研究为耦合模理论中每一项的来源提供了一种较严谨的推导方法,在线性耦合体系的理论研究方面有一定的指导意义.

关键词：线性耦合体系弹簧振子模型耦合模理论久期微扰理论

铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构

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光谱学与光谱分析 2001年第6期21卷 758-762页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着S... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5

关键词： MEVVA离子源半导体薄膜铒光致发光显微结构掺杂 SiO2/Si发光薄膜富硅氧化硅光谱

平面型钙钛矿太阳能电池温度相关的光伏性能时间响应特性

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物理学报 2016年第18期65卷 321-329页

作者：曹汝楠徐飞朱佳斌葛升王文贞徐海涛徐闰吴杨琳马忠权洪峰蒋最敏上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海市高温超导重点实验室上海200444 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室上海200433 上海大学电子信息材料系上海200444

本文研究了钙钛矿太阳能电池不同工作温度下光伏性能的时间响应特性.结果表明,钙钛矿太阳能电池光伏性能需要经过一段时间光照后才能达到稳定.且随着工作温度降低,电池光伏性能达到稳定所需的响应时间也越长.当电池达到稳定后,电池开路... 详细信息

本文研究了钙钛矿太阳能电池不同工作温度下光伏性能的时间响应特性.结果表明,钙钛矿太阳能电池光伏性能需要经过一段时间光照后才能达到稳定.且随着工作温度降低,电池光伏性能达到稳定所需的响应时间也越长.当电池达到稳定后,电池开路电压会随着温度降低而增大.在此之前,开路电压会在低温下发生显著的衰减.这意味着钙钛矿太阳能电池的时间响应主要来源于其内部内建电场的缓慢变化.通过测量光照前后电池外量子效率发现,光生载流子的分离和收集效率会在光照后得到明显改善.这也暗示了内建电场在光照前后发生了改变.钙钛矿材料中的离子迁移被认为是引起内建电场发生变化的原因.这有助于更好地理解钙钛矿太阳能电池中载流子输运机制.

关键词：钙钛矿太阳能电池时间响应离子迁移量子效率

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

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核技术 2002年第8期25卷 631-636页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用表面物理国家重点实验室南昌大学材料科学与工程系北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得 ,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.5 4μm光致发光。

关键词：退火温度离子注入掺铒硅快速退火光致发光半导体材料结构发光薄膜发光材料

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硅量子点发光的激活及其物理模型研究

物理学报 2012年第21期61卷 237-243页

作者：黄伟其黄忠梅苗信建刘世荣秦朝建贵州大学纳米光子物理研究所、光电子技术与应用省重点实验室贵阳550025 中国科学院地球化学研究所、矿床地球化学国家重点实验室贵阳550003

在真空或惰性气体中制备的硅量子点发光很弱,硅量子点表面被氢较好钝化后的发光也不强.硅量子点表面的硅氧键或硅氮键能破坏这种钝化并在带隙中形成局域电子态,在局域电子态对应的激活中心有很强的发光.可以用这种方式构建发光物质,控... 详细信息

在真空或惰性气体中制备的硅量子点发光很弱,硅量子点表面被氢较好钝化后的发光也不强.硅量子点表面的硅氧键或硅氮键能破坏这种钝化并在带隙中形成局域电子态,在局域电子态对应的激活中心有很强的发光.可以用这种方式构建发光物质,控制硅量子点表面的键合可获得不同波长的发光.在硅量子点的发光激活处理过程中,退火是很重要的环节.对于硅量子点发光激活的机理,本文给出了相应的物理模型.实验证明,在600和700 nm波长附近观察到了激活硅量子点的受激发光,在1500 nm到1600 nm波长范围观察到了激活硅量子点的较强发光.

关键词：发光的激活硅量子点局域态

表象变换和久期微扰理论在耦合杜芬方程中的应用

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物理学报 2021年第2期70卷 347-353页

作者：李朝刚汪茂胜方泉彭雪城黄万霞安徽师范大学物理与电子信息学院安徽省光电材料科学和技术重点实验室芜湖241002

本文通过对耦合杜芬方程线性项的表象变换及非线性项的久期微扰理论的应用,将耦合杜芬方程转化为简正表象下的退耦合形式,由此可以很方便地得出耦合杜芬方程的解.为了验证该方法的正确性,设计了音叉耦合实验,观测到了振幅谱谱峰的劈裂以... 详细信息

本文通过对耦合杜芬方程线性项的表象变换及非线性项的久期微扰理论的应用,将耦合杜芬方程转化为简正表象下的退耦合形式,由此可以很方便地得出耦合杜芬方程的解.为了验证该方法的正确性,设计了音叉耦合实验,观测到了振幅谱谱峰的劈裂以及"振滞回线"现象,这些实验结果都可以和之前所得的理论结果符合得很好.本文求解耦合非线性方程的方法,为灵活运用非线性理论提供一种方案,同时可以推广到光、电等耦合体系,对理解耦合体系的动力学行为具有一定的指导意义.

关键词：耦合杜芬方程耦合模理论表象变换久期微扰理论非线性效应

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掺铒硅基材料发光的新途径

物理学报 2001年第1期50卷 164-168页

作者：肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 南昌大学材料科学与工程系南昌330047 复旦大学应用表面物理国家重点实验室北京100875

采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射... 详细信息

采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射线光电子能谱 (XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化 .77K温度下 ,在退火态样品的近红外光致发光 (PL)谱中观察到了Er3+的 1 5 4μm特征发射 .Er3+作为孤立离子发光中心 ,其激活能主要来源于nc Si/SiO2 (c Si/SiO2 )界面处的载流子复合 ,再将能量转移给Er3+而产生发光 .

关键词：离子注入光致发光铒纳米硅掺铒硅基材料

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锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究

大连理工大学学报 1996年第2期36卷 170-173页

作者：邹赫麟李建军魏希文金星王德和张翔九卢学坤蒋最敏王迅大连理工大学物理系复旦大学应用物理国家重点实验室

使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微... 详细信息

使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理．

关键词：分子束外延位错锗硅合金薄膜界面电镜