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ZnO:Zn荧光材料的光电子时间分辨谱和荧光光谱

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光谱学与光谱分析 2005年第11期25卷 1753-1755页

作者：董国义窦军红葛世艳林琳郑一博韦志仁河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO:Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64 ns,而ZnO:Zn荧光材料的的光电子寿命为401 ns。分析认为ZnO:Zn... 详细信息

采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO:Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64 ns,而ZnO:Zn荧光材料的的光电子寿命为401 ns。分析认为ZnO:Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。

关键词：微波吸收光电子氧化锌

掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性

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光谱学与光谱分析 2005年第1期25卷 26-28页

作者：杨少鹏傅广生董国义代秀红韩理河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由... 详细信息

利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。

关键词：时间分辨微晶光电子衰减浅电子陷阱掺杂剂自由电子微波吸收立方体子时影响 CN

常压化学气相输运法合成Zn_(1-x)Co_xO晶体

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人工晶体学报 2007年第3期36卷 565-568页

作者：蔡淑珍李志强徐丽云郑一博韦志仁河北大学物理科学与技术学院保定071002

本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{... 详细信息

本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑。在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构。X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构。X光能谱(EDS)测量表明ZnO晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加。

关键词：化学气相输运法蓝宝石石英 Zn1-xCoxO晶体

纳米硫化镍增感的溴化银微晶中光电子衰减特性研究

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物理学报 2006年第5期55卷 2144-2148页

作者：杨少鹏郑红芳李春雷傅广生李晓苇许春华李金培河北大学物理科学与技术学院保定071002 中国科学院理化技术研究所北京100101

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中,在增感时间增加的条件下,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线.分析了采用纳米硫化镍进行增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间衰减的过程,讨论了... 详细信息

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中,在增感时间增加的条件下,自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线.分析了采用纳米硫化镍进行增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间衰减的过程,讨论了卤化银晶体中电子陷阱对光电子运动行为的影响,分析了电子陷阱效应及陷阱深度同增感时间之间的关系.通过未增感样品与增感样品的衰减曲线对比,得到了在此实验条件下的最佳增感时间为80min.

关键词：纳米硫化镍衰减时间电子陷阱寿命

浅电子陷阱掺杂AgCl微晶的光作用特性研究

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人工晶体学报 2007年第3期36卷 550-553,595页

作者：代秀红李晓苇董国义张荣香张继县李红莲韩理傅广生河北大学物理科学与技术学院保定071002

利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一... 详细信息

利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇。光作用产物的出现,使得晶体中发生了浅电子陷阱到深电子陷阱效应的转变,可见掺杂使得晶体内部结构和光作用特性发生了变化。

关键词：微波吸收介电谱掺杂激光曝光光电子衰减浅电子陷阱

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掺杂AgCl中光电子衰减特性研究

人工晶体学报 2009年第5期38卷 1142-1145,1159页

作者：代秀红张荣香李晓苇董国义杨少鹏韩理河北大学物理科学与技术学院保定071002

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰... 详细信息

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。

关键词：微波吸收介电谱掺杂浓度光电子衰减浅电子陷阱

不同类型掺杂剂对AgCl微晶中光电子衰减特性影响

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光电子．激光 2013年第8期24卷 1519-1523页

作者：代秀红董国义李晓苇杨少鹏韩理傅广生河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

电子陷阱掺杂可明显改善晶体材料中光电子衰减特性,最终改善其物理性能。利用微波吸收介电谱检测技术,对30%Ag位置处掺杂不同浓度K4[Ru(CN)6]和(NH4)2IrCl6的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子衰减时间(FDT,SDT)分辨谱进行了检测。结... 详细信息

电子陷阱掺杂可明显改善晶体材料中光电子衰减特性,最终改善其物理性能。利用微波吸收介电谱检测技术,对30%Ag位置处掺杂不同浓度K4[Ru(CN)6]和(NH4)2IrCl6的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子衰减时间(FDT,SDT)分辨谱进行了检测。结果表明,对于掺杂K4[Ru(CN)6]的样品,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从157ns延长至520ns;且不同浓度掺杂时的FDT均大于未掺杂时的FDT(150ns)。而对于掺杂(NH4)2IrCl6的情况,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从126ns减小至45ns;且不同浓度掺杂时的FDT均小于未掺杂时的FDT(150ns)。分析得知,K4[Ru(CN)6]掺杂在AgCl中引入了能暂时俘获光电子的浅电子陷阱(SETs);而(NH4)2IrCl6掺杂在AgCl中引入了能长时间俘获光电子的深电子陷阱(DETs)。同时对光电子衰减动力学过程分析得知,陷阱的类型对光电子衰减寿命分区影响不同,SETs的引入使光电子衰减寿命曲线明显呈现两个指数衰减区,而DETs的引入使光电子衰减寿命曲线只呈现一个指数衰减区。

关键词：掺杂微波吸收介电谱电子陷阱光电子衰减

浅电子陷阱掺杂对AgCl中光电子衰减特性的影响

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光电子．激光 2011年第8期22卷 1255-1258页

作者：代秀红李新政董国义李晓苇杨少鹏韩理河北大学物理科学与技术学院河北保定071002 河北科技大学理学院河北石家庄050018

利用微波吸收介电谱检测技术,对均匀掺杂[Ru(CN)6]4-的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子时间分辨谱进行了检测。实验结果表明,样品曝光后,光生电子数量达到极大值所需时间随掺杂浓度增加逐渐变长;且随掺杂浓度的增加,自由光电子衰减... 详细信息

利用微波吸收介电谱检测技术,对均匀掺杂[Ru(CN)6]4-的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子时间分辨谱进行了检测。实验结果表明,样品曝光后,光生电子数量达到极大值所需时间随掺杂浓度增加逐渐变长;且随掺杂浓度的增加,自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的157ns延长至1 071ns。在分析光电子衰减曲线时发现,掺杂影响光电子的前期和后期衰减过程,主要是后期过程;且随掺杂浓度增加,光电子的前期和后期衰减都逐渐变慢。通过对比掺杂[Fe(CN)6]4-的研究结果发现,掺杂[Ru(CN)6]4-引入了浅电子陷阱(SETs),其深度较[Fe(CN)6]4-的浅。

关键词：微波吸收介电谱掺杂浓度光电子衰减浅电子陷阱(SETs)

脉冲激光作用下碘掺杂的AgBr-T颗粒中光电子衰减特性

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中国激光 2004年第11期31卷 1378-1380页

作者：杨少鹏傅广生刘荣鹃代秀红李晓苇河北大学物理科学与技术学院河北保定071002

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在短脉冲激光作用下,测量了在不同碘化物掺杂方式和掺杂量下的AgBrT颗粒中自由光电子和浅束缚光电子随时间的衰减曲线,根据测得的衰减曲线得到了不同条件下的自由光电子寿命(FLT)、自由光电子衰减时... 详细信息

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在短脉冲激光作用下,测量了在不同碘化物掺杂方式和掺杂量下的AgBrT颗粒中自由光电子和浅束缚光电子随时间的衰减曲线,根据测得的衰减曲线得到了不同条件下的自由光电子寿命(FLT)、自由光电子衰减时间(FDT)及浅束缚光电子衰减时间(SDT)值,通过比较这些值分析了碘化物在AgBrT颗粒中的作用和碘化物对AgBrT颗粒的感光性能的影响。详细分析了碘含量小于、大于以及等于3%的吸收信号和色散信号曲线,讨论了曲线上各个区的影响因素。

关键词：光电子学短脉冲激光光电子寿命微波吸收碘掺杂电子陷阱