检索结果-南通市图书馆

Mid-infrared Ⅲ-Ⅴ semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates

Light(Science & Applications) 2022年第7期11卷 1366-1378页

作者： Eric Tournié Laura Monge Bartolome Marta Rio Calvo zeineb loghmari Daniel A.Díaz-Thomas Roland Teissier Alexei N.Baranov Laurent Cerutti Jean-Baptiste Rodriguez IES University of MontpellierCNRS34000 MontpellierFrance

There is currently much activity toward the integration of mid-infrared semiconductor lasers on Si substrates for developing a variety of smart,compact,sensors based on Si-photonics integrated *** review this rapidly-evolving research field,focusing on the epitaxial integration of antimonide lasers,the only technology covering the whole mid-to-far-infrared spectral *** explain how a dedicated molecular-beam epitaxy strategy allows for achieving high-performance GaSb-based diode lasers,InAs/AlSb quantum cascade lasers,and InAs/GaInSb interband cascade lasers by direct growth on on-axis(001)Si substrates,whereas GaAs-on-Si or GaSb-on-Si layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy in large capability epitaxy tools are suitable templates for antimonide laser *** also show that etching the facets of antimonide lasers grown on Si is a viable approach in view of photonic integrated ***,this review shows that while diode lasers are sensitive to residual crystal defects,the quantum cascade and interband cascade lasers grown on Si exhibit performances comparable to those of similar devices grown on their native substrates,due to their particular band structures and radiative recombination *** device lifetimes have been extrapolated for interband cascade ***,routes to be further explored are also presented.

关键词： epitaxial quantum template

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