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Photo-induced Phenomena in GeS_4 Glasses

Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science) 2014年第3期29卷 473-477页

作者：顾少轩 SHEN Changjun zang haochun 陶海征 State Key Laboratory of Silicate Materials for Architectures Wuhan University of Technology

GeS4 bulk glasses were prepared by the melt-quench technique and the samples were irradiated by 532-nm linearly polarized light. After the laser treatment, the photo-induced changes of the samples were investigated by UV-1601 speetrophotometer and optical second-order nonlinear tester. The results show that the transmittance of the samples around 532 nm obviously decreases and Bragg reflector forms, which is due to the production of photon-generated carriers. With the increase of laser pulse energy or the extension of irradiation duration, the Bragg reflector increases and gradually tends to be stable. These can be ascribed to the excitation- capture process of the carriers. After irradiation, the relaxation phenomenon results from the release of part of the absorbed energy in the glass matrix. And the fitting equation of the relaxation process is consistent with a conventional Kohlrausch stretched exponential function. The origin of the second harmonic generation （SHG） is because of the dipole reorientation caused by the photo-induced anisotropy in the glass.

关键词： GeS4 chalcogenide glasses photo-induced phenomena structural relaxation SHG

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