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i.fluence of i.puri.y Dopi.g and γ-i.radi.ti.n on the Opti.al Properti.s of Layered GaSe Crystals

材料科学与工程（中英文B版） 2012年第2期2卷 91-102页

作者： yuriy i. zhirko Ni.olay A. Skubenko Volodymyr i. Dubi.ko i.sti.ute of Physi.s National Academy of Sciences of Ukraine Kharki. Physi.al-and-Techni.al i.sti.ute NAS of Ukraine

Presented i. thi. paper are the results of electron-mi.roscopi. (SEM, EDS) and low-temperature (Т = 4.5 K) photolumi.escence (PL) and absorpti.n i.vesti.ati.ns of layered GaSe crystals, both non-doped and doped wi.h Zn, Cd and Sn i.puri.i.s taken i. the concentrati.n 0.01 wt%. The crystals were exposed to ?-i.radi.ti.n wi.h energi.s 0 to 34 MeV and doses up to 1014 γ/cm2. SEM i.vesti.ati.ns di. not reveal any structural changes at the crystal surface after ?-i.radi.ti.n wi.h the i.vesti.ated doses. PL i.vesti.ati.ns enabled the di.covery that dopi.g GaSe crystals wi.h Zn or i.radi.ti.n of non-doped crystals wi.h ?-quanta results i. decreased amounts of i.tri.si. defects (accordi.g to Schottky and Frenkel, respecti.ely) i. these crystals. As a consequence, an essenti.l i.crease i. the parameter S0 (the i.tegrated i.tensi.y of PL) was observed wi.h i.creasi.g doses of ?-i.radi.ti.n. i. contrast, dopi.g wi.h Sn i.puri.i.s resulted i. a sharp drop i. S0 that began to i.crease after i.radi.ti.n wi.h ?-quanta. i. has been shown that ?-i.radi.ti.n of GaSe crystals doped wi.h Cd results i. the appearance of wi.e bands i. the PL and absorpti.n spectra, caused by transi.i.ns of carri.rs between di.ect and i.di.ect conducti.n bands and deep acceptor levels, as well as by transi.i.ns of the donor-acceptor type. The types of transi.i.ns, energi.s of acceptor levels (25, 70, 150, 310, 460 meV) relati.e to the top of valence band and the energy of the donor level (165 meV) relati.e to the bottom of the conducti.n band, as well as Huang-Rys factors and the energi.s of latti.e phonons taki.g part i. these transi.i.ns were determi.ed.

关键词：晶体表面硒化镓非掺杂光学性质电子显微镜辐射光致发光晶体掺杂

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i.fluence of y-i.radi.ti.n on the Opti.al Properti.s of Pure or i.pure Zn, Cd and Ge-Doped Layered i.Se Crystals

引用

材料科学与工程：中英文A版 2013年第3期3卷 162-174页

作者： yuriy zhirko Ni.olay Skubenko Volodymyr Dubi.ko Zakhar Kovalyuk Oleg Sydor i.sti.ute of Physi.s National Academy of Sciences of Ukraine Kiev 03028 Ukraine Kharki. Physi.al-and-Techni.al i.sti.ute The National Academy of Sciences (NAS) of Ukraine Kharkiv 61108 Ukraine Cherni.tsy Department of i.sti.ute for Materi.ls Sci.nce Problems The National Academy of Sciences (NAS) of Ukraine Chernivtsy 58001 Ukraine

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