检索结果-南通市图书馆

船用涡流检测技术在船舶结构无损检验中的应用研究

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仪器仪表用户 2024年第6期31卷 101-103+106页

作者：蔡云程江南造船(集团)有限责任公司

无损检验是保证船体结构质量的必要方法，也是检验焊缝是否满足规范的重要依据。无损检验技术有很多种，各有优缺点。涡流检测技术是一种适用于金属零件在结构面或近表面积内的无损检测方法。涡流检测技术的基本内容是基于电磁感应原理... 详细信息

无损检验是保证船体结构质量的必要方法，也是检验焊缝是否满足规范的重要依据。无损检验技术有很多种，各有优缺点。涡流检测技术是一种适用于金属零件在结构面或近表面积内的无损检测方法。涡流检测技术的基本内容是基于电磁感应原理，对磁场的变化进行探测和分析，并确定涡流的形态和变化规律，从而确定缺陷的类型和特征。这种探测方法可以敏感地感知到铁磁或非铁磁物质的物理特性，同时也可以通过结构和尺度来检测所包含的缺陷，已经被用于船舶结构无损检验中。

关键词：涡流检测船舶无损检验

NeurDB: an AI-powered autonomous data system

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Science China(Information Sciences) 2024年第10期67卷 129-150页

作者： Beng Chin OOI Shaofeng cai Gang CHEN Yanyan SHEN Kian-Lee TAN yuncheng WU Xiaokui XIAO Naili XING Cong YUE Lingze ZENG Meihui ZHANG Zhanhao ZHAO School of Computing National University of Singapore College of Computer Science and Technology Zhejiang University Department of Computer Science and Engineering Shanghai Jiao Tong University School of Information Renmin University of China School of Computer Science and Technology Beijing Institute of Technology

In the wake of rapid advancements in artificial intelligence(AI), we stand on the brink of a transformative leap in data systems. The imminent fusion of AI and DB(AI×DB) promises a new generation of data systems, which will relieve the burden on end-users across all industry sectors by featuring AI-enhanced functionalities, such as personalized and automated in-database AI-powered analytics, and selfdriving capabilities for improved system performance. In this paper, we explore the evolution of data systems with a focus on deepening the fusion of AI and DB. We present NeurDB, an AI-powered autonomous data system designed to fully embrace AI design in each major system component and provide in-database AI-powered analytics. We outline the conceptual and architectural overview of NeurDB, discuss its design choices and key components, and report its current development and future plan.

关键词： AI$\times$DB in-database AI intelligent data system

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钢厂库存环境对冷轧产品锈蚀的影响

腐蚀与防护 2021年第11期42卷 56-60页

作者：江任之郜静蔡运成王玲华中科技大学分析测试中心武汉430074 湖北省生态环境科学研究院武汉430074

某钢厂库区冷轧产品大面积锈蚀,初步分析判断库存大气环境有一定腐蚀性。利用大气挂片试验和扫描电镜微观分析方法对库存区的超低碳冷轧钢表面锈蚀进行研究,并同步监测库区大气环境参数。结果表明:温湿的环境和较高的HCl含量是引起锈蚀... 详细信息

某钢厂库区冷轧产品大面积锈蚀,初步分析判断库存大气环境有一定腐蚀性。利用大气挂片试验和扫描电镜微观分析方法对库存区的超低碳冷轧钢表面锈蚀进行研究,并同步监测库区大气环境参数。结果表明:温湿的环境和较高的HCl含量是引起锈蚀的主要原因。通过针对性的技术改造,库存区的冷轧钢的锈蚀状况明显降低。

关键词：超低碳钢锈蚀技术改造

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大肠癌放射治疗并发肠梗阻的外科治疗

实用医技杂志 2002年第2期9卷 143-144页

作者：潘振龙田宝才运城市中心医院山西运城044000

报告 2 0例大肠癌放射治疗并发肠梗阻的手术治疗效果。讨论了肠道放射性损伤的病理变化及临床表现 ,强调对放疗引起的肠梗阻应积极进行外科手术治疗。

关键词：大肠癌肠梗阻并发症手术治疗放射性损伤

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基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO

微电子学 2020年第1期50卷 95-100页

作者：曹军蔡运城赵君鹏吴凯翔高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出... 详细信息

基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出功率和更低的相位噪声。仿真结果表明,该QVCO的调谐范围为12.98~14.05 GHz。振荡频率为13.51 GHz时,输出信号功率为12.557 dBm。相位噪声为-117.795 dBc/Hz@1 MHz。

关键词：异质结双极晶体管正交压控振荡器高功率低相位噪声

一种2μm GaAs HBT低相噪宽带VCO

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微电子学 2020年第1期50卷 90-94,100页

作者：蔡运城曹军赵君鹏吴凯翔高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质... 详细信息

提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质因数超过21,实现了较低的相位噪声。通过二极管组成变容阵列,实现了较宽的调谐范围。流片测试结果表明,VCO调谐范围为3.370~4.147 GHz,最大输出功率为-16.13 dBm,直流功耗为43 mW。在振荡频率为4.1 GHz时,相位噪声为-125.2 dBc/Hz@1 MHz。该VCO在相对较宽的调谐范围内实现了较低的相位噪声。

关键词：压控振荡器电容阵列 Colpitts结构相位噪声宽带

一种SiGe BiCMOS 140 GHz高增益功率放大器

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微电子学 2020年第1期50卷 32-35,40页

作者：吴凯翔赵君鹏曹军蔡运城高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器。该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现。设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置... 详细信息

基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器。该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现。设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置电流和最佳偏置电压,从而获得最大的电压摆幅,以提高输出功率。仿真结果表明,在120~160 GHz的工作频带中,该放大器的最高增益为28 dB,饱和输出功率为16.2 dBm,功率附加效率为20%,功耗为220 mW。

关键词：功率放大器高输出功率 D波段高增益

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一种SiGe D波段高增益低噪声放大器

微电子学 2020年第1期50卷 36-40页

作者：赵君鹏吴凯翔曹军蔡运城高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益... 详细信息

基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益提升技术来提高前两级Cascode结构的增益。仿真结果表明,该放大器在中心频率140 GHz处实现了32 dB的增益,在125~148 GHz范围内均达到30 dB以上的增益,在相同频率范围内实现了小于6 dB的噪声系数,直流功耗仅为26 mW,芯片尺寸为610μm×340μm。该放大器具有低噪声和高增益的特点。

关键词： SiGe 低噪声放大器毫米波增益提升

基于130nm BiCMOS工艺的太赫兹十二倍频链的设计

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半导体技术 2019年第10期44卷 755-761页

作者：曹军何勇畅蔡运城赵君鹏吴凯翔高海军杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室

毫米波/太赫兹信号源作为微波系统的关键电路,普遍应用在无线通信、电子对抗、毫米波成像等领域,稳定性高、相位噪声低的毫米波/太赫兹信号源对整体链路起到至关重要的作用。基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,采用倍频器和驱动放大器(DA... 详细信息

毫米波/太赫兹信号源作为微波系统的关键电路,普遍应用在无线通信、电子对抗、毫米波成像等领域,稳定性高、相位噪声低的毫米波/太赫兹信号源对整体链路起到至关重要的作用。基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,采用倍频器和驱动放大器(DA)结构实现了由K波段提升至G波段的十二倍频链信号源设计。对于偶次倍频单元,为了获得较好的谐波抑制尤其是奇次谐波抑制,该设计采用了经典的push-push结构;采用前后变压器耦合的方法实现了奇次倍频。提出了一种宽带有源Marchand巴伦结构,其工作带宽大于190 GHz,覆盖了大部分微波和太赫兹频段。电路后仿真结果表明,当输入信号频率为18.3 GHz、功率为0 dBm时,倍频器的输出功率为-17.26 dBm,同时输出信号的谐波抑制比均大于15 dBc,3 dB带宽为213~246 GHz(相对带宽14.4%)。采用1.2 V和2.1 V双电源供电,0.8 V和0.9 V电压偏置,该倍频链直流功耗大小为59 mW,芯片面积为1.9 mm×0.8 mm。

关键词： BiCMOS工艺倍频器驱动放大器十二倍频链(FMC) 有源Marchand巴伦