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Ge-on-Si for Si-based integrated materials and photonic devices

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Frontiers of Optoelectronics 2012年第1期5卷 41-50页

作者： Weixuan HU Buwen CHENG Chunlai xue Shaojian SU haiyun xue Yuhua ZUO Qiming WANG State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China

This paper reviews the recent progress in photonic devices application of Ge-on-Si. Ge-on-Si materials and optical devices are suitable candidates for Si-based optoelectronic integration because of the mature epitaxial technique and the compatibility with Si complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） technology. Recently, the realities of electric-pump Ge light emitting diode （LED） and optical-pump pulse Ge laser, Ge quantum well modulator based on quantum Stark confined effect, waveguide Ge modulator based on Franz-Keldysh （FK） effect, and high performance near-infrared Ge detector, rendered the Si-based optoelectronic integration using Ge photonic devices. Ge-on-Si material is also an important platform to grow other materials on it for Si- based optoelectronic integration. InGaAs and GeSn have been grown on the Ge-on-Si. InGaAs LED and GeSn photodetector have been successfully fabricated as well.

关键词： optoelectronic integration Ge photonicdevice

A novel dual-lens-coupling system for DFB laser based on hybrid integration

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Optoelectronics Letters 2021年第7期17卷 395-399页

作者： WEI Juan SUN Yu xue haiyun HE Huimin SUN Siwei LIU Fengman CAO Liqiang System Packaging and Integration Research Center Institute of Microelectronics of Chinese Academy of SciencesBeijing 100029China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100059China National Center for Advanced Packaging Wuxi 214028China

A dual-lens-integrated distributed feedback(DFB) laser based on hybrid integration for single-mode transmitter optical subassembly(TOSAs) is discussed in this paper. The alignment and fixing of the lenses are simple to manipulate and highly accurate, making it possible to achieve high-efficient optical coupling to single-mode fiber(SMF) without additional high-precision tools and fixing equipment. The capability for a low coupling loss of less than 3 d B between the laser and fiber was demonstrated. The fabricated TOSA module has clear opening eyes with minor time jitters at a bit rate of 25 Gbit/s. This hybrid integration is a low fabrication cost, compact, and low insertion loss method to manufacture TOSA for a 200 or 400 Gb E optical transceiver in a high-speed optical network.

关键词： laser fiber coupling

用户信息搜寻到信息规避的演化机制研究——以突发公共卫生事件领域为例

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现代情报 2024年第9期44卷 107-118,130页

作者：马海云薛翔南京邮电大学社会与人口学院江苏南京210023 南京中医药大学养老服务与管理学院江苏南京210023

[目的/意义]为应对健康威胁带来的不安与焦虑,公众会本能地进行信息搜寻。然而,在突发公共卫生事件环境下,大量未经证实、夸张描述的信息在互联网上肆意传播,容易导致用户产生焦虑、心理抗拒与网络疑病症等负面心理状态,并最终导致用户... 详细信息

[目的/意义]为应对健康威胁带来的不安与焦虑,公众会本能地进行信息搜寻。然而,在突发公共卫生事件环境下,大量未经证实、夸张描述的信息在互联网上肆意传播,容易导致用户产生焦虑、心理抗拒与网络疑病症等负面心理状态,并最终导致用户信息规避行为。本文旨在厘清用户从信息搜寻转向信息规避演化机制,以丰富用户健康信息行为领域的研究。[方法/过程]本文梳理了用户信息搜寻和信息规避行为的研究现状,根据SOR理论提出相应的假设并构建相应的理论模型,利用问卷调查和结构方程模型进行实证研究。[结果/结论]本研究根据SOR模型揭示了用户信息搜寻转变到信息规避的行为的内在机理。研究结果表明,受内部刺激因素感知威胁和信息搜寻的影响,用户在信息搜寻过程中容易受信息环境中的信息冲突和信息过载影响,引发焦虑、心理抗拒和网络疑病症的不良机理反应,最终导致信息规避行为的发生。研究结论有助于理解用户健康信息行为,也为突发公共卫生事件下互联网的信息治理提供了行动参考。

关键词：信息搜寻信息规避突发公共卫生事件信息过载网络疑病症心理抗拒信息行为

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梨园间伐改形技术

果树资源学报 2022年第1期3卷 50-51页

作者：薛海云付社岗陕西省蒲城县果业发展中心陕西蒲城715500

蒲城县是酥梨之乡,目前全县酥梨树龄多在20~30 a,成龄园郁密,通风透光条件差,树势衰弱、果品质量不断下降,已严重影响到梨产业健康持续发展。针对这种情况,利用间伐改形技术对传统梨园进行更新改造,通过调研,间伐改形技术可以达到提质... 详细信息

蒲城县是酥梨之乡,目前全县酥梨树龄多在20~30 a,成龄园郁密,通风透光条件差,树势衰弱、果品质量不断下降,已严重影响到梨产业健康持续发展。针对这种情况,利用间伐改形技术对传统梨园进行更新改造,通过调研,间伐改形技术可以达到提质增效的目的。

关键词：梨间伐改形技术

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高速高密度光电共封装技术

中兴通讯技术 2018年第4期24卷 27-32页

作者：孙瑜刘丰满薛海韵中国科学院微电子研究所北京100029 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司江苏无锡214135

分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转... 详细信息

分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转接板样品。还提出了一种新型基于有机基板工艺的3D光电共封装结构,该结构相比其他2.5D和3D结构尺寸更小、更薄,设计更灵活。对该结构进行了工艺验证,制作了光探测器(PD)与跨阻放大器(TIA)共同集成的三维光电共封装样品。

关键词：光电共封装光电封装混合集成三维封装

失真健康信息特征对社交媒体用户分享意愿影响机制研究

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图书情报工作 2024年第4期68卷 70-82页

作者：薛翔马海云赵宇翔朱庆华南京大学信息管理学院南京210023

[目的/意义]社交媒体已经成为失真健康信息滋生和分享传播的温床,探索失真健康信息特征对用户分享意愿的交互影响机制,能够为失真健康信息治理提供助力。[方法/过程]聚焦于失真健康信息特征中的情感诉求、信息来源和内容变造三个方面,... 详细信息

[目的/意义]社交媒体已经成为失真健康信息滋生和分享传播的温床,探索失真健康信息特征对用户分享意愿的交互影响机制,能够为失真健康信息治理提供助力。[方法/过程]聚焦于失真健康信息特征中的情感诉求、信息来源和内容变造三个方面,结合感知信息质量和感知信息可信度两种中介机制,提出9个研究假设、1个研究问题。通过设计2×2×2的参与者内部实验情境,收集223名参与者的1784条实验数据,并利用单因素方差分析和路径分析对假设和研究问题展开验证探索。[结果/结论]研究结果表明,情感诉求、信息来源和内容变造三种启发式线索对用户分享意愿存在不同程度的促进作用,并且彼此间存在交互叠加效应。同时,被扭曲的感知信息质量和感知信息可信度在这种促进关联中扮演关键中介作用,是用户分享失真健康信息的重要前置因素。影响机制研究加深了对互联网失真健康信息传播行为的理解,并为各方开展失真健康信息治理提供新的见解。

关键词：失真健康信息分享意愿感知信息质量感知信息可信度社交媒体

面向100 Gbps网络应用的RISC-V CPU设计与实现

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计算机辅助设计与图形学学报 2021年第6期33卷 956-962页

作者：李晓霖韩萌郝凯薛海韵卢圣健张昆明祁楠牛星茂肖利民郝沁汾中国科学院计算技术研究所高通量计算机研究中心北京100190 中国科学院大学计算机科学与技术学院北京100049 北京航空航天大学计算机科学与工程学院北京100191 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心北京100029

RISC-V作为新一代开源精简指令集,具有功耗低、面积小和性能高的优点,因此基于RISC-V架构的技术和产品发展迅速.然而,目前基于RISC-V架构的中高端64位CPU设计实例很少,也缺乏相应的商用IP,尤其是在面向高速网络应用方面.因此,首先改进... 详细信息

RISC-V作为新一代开源精简指令集,具有功耗低、面积小和性能高的优点,因此基于RISC-V架构的技术和产品发展迅速.然而,目前基于RISC-V架构的中高端64位CPU设计实例很少,也缺乏相应的商用IP,尤其是在面向高速网络应用方面.因此,首先改进了开源的64位U500 RISC-V SoC,包括增加了总线宽度和集成二级缓存等;然后在CPU中实现了完整的100 Gbps以太网功能模块,包括介质访问控制子层、物理编码子层和串行器/解串器以及用于该功能模块的发送缓冲区和接收缓冲区;最后通过前端仿真、FPGA验证以及启动Linux操作系统,验证了所设计的64位RISC-V CPU以及100 Gbps以太网功能模块的正确性和有效性.所设计的RISC-V CPU和100 Gbps以太网功能模块可应用于智能网卡等数据中心应用场景.

关键词： RISC-V 片上系统 100 Gbps以太网介质访问控制子层物理编码子层串行器/解串器智能网卡

一种新型光域PAM4调制器及关键性能建模分析

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半导体光电 2021年第2期42卷 185-190页

作者：陈莹刘丰满隗娟何慧敏薛海韵孙瑜郑奇王启东中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司江苏无锡214135

四级脉冲幅度调制(PAM4)在高速串行链路系统中的地位日益提高,受到越来越多的关注。传统的行波马赫-曾德尔调制器(TWMZM)的分光比为1∶1,文章提出了一种非对称光强的行波马赫-曾德尔调制器(Asymmetric Power TWMZM,AP-TWMZM),并对输入... 详细信息

四级脉冲幅度调制(PAM4)在高速串行链路系统中的地位日益提高,受到越来越多的关注。传统的行波马赫-曾德尔调制器(TWMZM)的分光比为1∶1,文章提出了一种非对称光强的行波马赫-曾德尔调制器(Asymmetric Power TWMZM,AP-TWMZM),并对输入端分光比进行独立推算,得到分光比的值为4∶1。Lumerical软件的建模仿真结果表明,在插入损耗和消光比与TWMZM相当的情况下,AP-TWMZM具有更高的调制效率和更好的线性度,其线性度高达0.948。

关键词：行波调制器分光比调制效率线性度链路

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硅基光栅耦合封装结构的优化设计

激光技术 2017年第4期41卷 479-483页

作者：宋曼谷曹立强刘丰满薛海韵孙瑜李宝霞中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司无锡214135 西安微电子技术研究所西安710065

为了提高硅基光栅耦合封装结构的耦合效率、增大容差范围,对光栅耦合的结构特性进行了理论分析,并采用时域有限差分法完成了仿真验证,在不改变光栅参量的基础上,对光栅耦合封装结构进行了改进,仿真建立了一款光栅上方和光纤端面分别增... 详细信息

为了提高硅基光栅耦合封装结构的耦合效率、增大容差范围,对光栅耦合的结构特性进行了理论分析,并采用时域有限差分法完成了仿真验证,在不改变光栅参量的基础上,对光栅耦合封装结构进行了改进,仿真建立了一款光栅上方和光纤端面分别增加透镜的优化结构,研究了影响耦合效率的因素。结果表明,增加透镜后,耦合效率有所增加,角度容差和带宽都有一定的优化;在衬底增加反射镜后,对波长1550nm的光耦合效率提高至73.809%。该研究结果可为光栅耦合的封装结构设计提供参考依据。

关键词：光栅封装结构时域有限差分法耦合效率透镜