检索结果-南通市图书馆

GaN-based substrates and optoelectronic materials and devices

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Chinese Science Bulletin 2014年第12期59卷 1201-1218页

作者： Guoyi Zhang Bo Shen Zhizhong Chen Xiaodong Hu Zhixin Qin Xinqiang Wang Jiejun Wu Tongjun yu xiangning Kang Xingxing Fu Wei Yang Zhijian Yang Zhizhao Gan State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics School of PhysicsPeking University Research Center for Wide Bandgap Semiconductors Peking University

In order to solve the problems of GaN heteroepitaxy on sapphire substrate,some techniques were *** GaN substrates have been made by hydride vapor phase epitaxy(HVPE),laser lift-off(LLO),and chemical mechanical polishing *** bending and cracking in the HVPE growth were partly settled by pulsed flow modulation ***-crystal quality was established for 1.2 mm thick GaN substrate by X-ray diffraction measurement,in which the full width of half maximum values were 72,110 arcsec for(102),(002)peaks.A novel micro-size patterned sapphire substrate(PSS)and a nano PSS were also ***-power vertical structure light emitting diodes(VSLEDs)have been developed by Au–Sn eutectic wafer bonding,homemade micro-area LLO,and light extraction structure *** high-injection-level active region with low temperature GaN sandwiched layers was used for lowefficiency *** light output power of VSLED was achieved as 400 mW driven at 350 mA,and the dominant wavelength is about 460 *** structures and properties of strain modulated superlattices(SLs)and quantum wells as well as advanced simulation of carriers transport across the electron blocking layer were investigated in laser *** hole concentration was achieved as high as1.6 9 1018cm-3in AlGaN/GaN SLs:Mg by inserting an AlN ***-quality AlGaN epilayers and structures were grown by *** device structures of UV LEDs and detectors were *** emission wavelength of 262 nm UV LED has been successfully *** last,high-quality InN and InGaN materials for solar cell were grown by boundary-temperature-controlled epitaxy and growth-temperature-controlled ***-effect measurement showed a recorded electron mobility of 3,280 cm2/(V s)and a residual electron concentration of 1.47 9 1017cm-3at 300 K.

关键词： AlGaN 蓝宝石衬底光电子材料 MOCVD生长氢化物气相外延激光二极管垂直结构器件

MDM2 SNP309 contributes to tumor susceptibility:A meta-analysis

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Journal of Genetics and Genomics 2011年第8期38卷 341-350页

作者： Xiaoman Wo Dong Han Haiming Sun Yang Liu xiangning Meng Jing Bai Feng Chen Yang yu Yan Jin Songbin Fu Laboratory of Medical Genetics Harbin Medical University Harbin 150081 China Key Laboratory of Medical Genetics (Harbin Medical University) Heilongjiang Higher Education Institutions Harbin 150081 China These authors contributed equally to this work.

The potentially functional polymorphism, SNP309, in the promoter region of MDM2 gene has been implicated in cancer risk, but individual published studies showed inconclusive results. To obtain a more precise estimate of the association between MDM2 SNP309 and risk of cancer, we performed a meta-analysis of 70 individual studies in 59 publications that included 26,160 cases with different types of tumors and 33,046 controls. Summary odds ratios （OR） and corresponding 95% confidence intervals （CIs） were estimated using fixed- and random-effects models when appropriate. Overall, the variant genotypes were associated with a significantly increased cancer risk for all cancer types in different genetic models （GG vs. TT： OR, 1.123; 95% CI, 1.056--1.193; GG/GT vs. TT： OR, 1.028; 95% CI, 1.006--1.050）. In the stratified analyses, the increased risk remained for the studies of most types of cancers, Asian populations, and hospital-/population-based studies in different genetic models, whereas significantly decreased risk was found in prostate cancer （GG vs. TT： OR, 0.606; 95% CI, 0.407-0.903; GG/GT vs. TT： OR, 0.748; 95% CI, 0.579--0.968）. In conclusion, the data of meta-analysis suggests that MDM2 SNP309 is a potential biomarker for cancer risk.

关键词： MDM2 Polymorphism Cancer risk Meta-analysis

航空照明功率型LED结温的小电流K系数测量法

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光学技术 2012年第3期38卷 371-375页

作者：于孟诚李湘宁上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海200093

功率型LED已经越来越多地运用于航空照明领域,迅速准确地获得LED的结温对航空灯具的散热设计显得极为重要。介绍了一种运用小电流K系数测量LED结温的方法。利用了LED半导体芯片的伏安特性,通过构建测量系统获得LED两端瞬间压降值来算出... 详细信息

功率型LED已经越来越多地运用于航空照明领域,迅速准确地获得LED的结温对航空灯具的散热设计显得极为重要。介绍了一种运用小电流K系数测量LED结温的方法。利用了LED半导体芯片的伏安特性,通过构建测量系统获得LED两端瞬间压降值来算出LED的结温。具有获得LED结温快速、准确、非破坏性等特点。

关键词：航空照明 LED结温正向压降小电流K系数

调控明区声场重建性能和暗区声能量的综合控制方法

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声学学报 2018年第5期43卷 835-842页

作者：廖祥凝郑四发王宇彭博清华大学汽车安全与节能国家重点实验室

采用扬声器阵列的空间局部声场重建是指控制扬声器阵列输入的幅值和相位,使得目标声场聚焦于特定区域（明区）内,同时降低其他区域（暗区）的声能量。为满足车内乘客对独立视听环境需求的不断提高,研究车内局部声场重建。考虑到扬声器... 详细信息

采用扬声器阵列的空间局部声场重建是指控制扬声器阵列输入的幅值和相位,使得目标声场聚焦于特定区域（明区）内,同时降低其他区域（暗区）的声能量。为满足车内乘客对独立视听环境需求的不断提高,研究车内局部声场重建。考虑到扬声器有驱动功率限制和传递函数存在测量误差,提出一种调控明区声场重建性能与暗区声能量平衡的鲁棒性控制方法（PSR-RC,Personal Sound Reproduction with Robust Control）,采用路径跟踪法获得不同频率下的最佳权重因子。仿真结果与实车测试性能显示,PSR-RC算法保证明区重建声场性能的基础上,通过最小化暗区能量,获得了较好的明暗区声能量对比度。仿真与实车试验结果保持了较好的一致性,控制点区域的控制效果与非控制点区域的控制效果也保持了较好的一致性,验证了PSR-RC算法的正确性和可靠性。

关键词：声场重建测试性能综合控制声能量调控 Personal 扬声器阵列仿真结果

“精准医疗”理念下单孔VATS肺癌根治术的发展现状、应用细节和展望

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中国肺癌杂志 2016年第6期19卷 371-376页

作者：邓豫郝志鹏付向宁华中科技大学同济医学院附属同济医院胸外科武汉430030

单孔电视胸腔镜手术(uni-portal uideo-assisted thoracic surgery,Uni-VATS)的推广,是近年微创胸外科最重大的进展之一。随着腔镜下成像设备、切割缝合器械及电分离器械的改进,单孔VATS的应用范围已从最初的肺组织活检术逐渐扩大到解... 详细信息

单孔电视胸腔镜手术(uni-portal uideo-assisted thoracic surgery,Uni-VATS)的推广,是近年微创胸外科最重大的进展之一。随着腔镜下成像设备、切割缝合器械及电分离器械的改进,单孔VATS的应用范围已从最初的肺组织活检术逐渐扩大到解剖性肺叶/段切除、全肺切除、支气管/血管袖式吻合。多中心大量报道已证实:单孔VATS行肺叶切除安全、可行,清扫纵隔淋巴结的组数及总数均不低于传统多孔VATS,在疼痛、创伤及术后恢复方面也有积极的结果。虽然暂未得到多中心、大样本的临床数据如5年生存率,但有序地逐步开展单孔VATS仍是微创胸外科未来发展的重要方向。本文将围绕单孔VATS的原理及具体操作细节,结合肺癌根治术的基本操作理念进行讨论及综述,以期为单孔VATS的有序、规范化开展提出思考和探索。

关键词：单孔电视胸腔镜肺癌根治术微创胸外科精准医疗

提升配电网线路保护可靠性的远方保护及其与就地保护优化配合方案研究

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电工技术学报 2019年第24期34卷 5221-5233页

作者：金能梁宇邢家维戎子睿林湘宁强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学) 武汉430074 国网鄂州供电公司鄂州436001 国网山东电力科学研究院济南250061

在配电网中,线路保护一般仅采用单套配置的电流三段式保护,因此存在可靠性低、易受采样环节影响等问题。另外,大量分布式电源(DG)的接入,使得其中的瞬时速动过电流Ⅰ段保护范围显著缩小。为解决以上问题,该文充分利用线路及其所连接的... 详细信息

在配电网中,线路保护一般仅采用单套配置的电流三段式保护,因此存在可靠性低、易受采样环节影响等问题。另外,大量分布式电源(DG)的接入,使得其中的瞬时速动过电流Ⅰ段保护范围显著缩小。为解决以上问题,该文充分利用线路及其所连接的母线背侧电流信息,构造多重化纵联保护判据,并提出具备抗采样异常能力的高可靠远方保护冗余跳闸逻辑,其中,保护判据利用超快速纵联保护算法来缩短判据计算时间,为信息上传、下达及处理环节留有足够的时间裕度,以实现远方保护与就地保护的有效配合。另外,充分考虑通信延时以及端子误碰或网络攻击带来的影响,提出基于智能断路器的保护跳闸逻辑,并在此基础上设计就地保护与远方保护最优配合方案。理论分析及仿真算例验证了该方案能有效地应对单个互感器出现干扰、饱和、断线等采样环节异常以及网络攻击的极端场景,提升了配电网保护的可靠性。

关键词：配电网采样异常远方保护网络攻击冗余跳闸逻辑最优配合

预应力部分外包组合梁抗弯承载力试验研究与理论分析

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建筑钢结构进展 2018年第3期20卷 42-50页

作者：邓宇张鹏张祥宁和真理广西科技大学土木建筑工程学院广西柳州545006

预应力部分外包组合结构是预应力钢-混凝土组合结构的一种特殊形式,有自重轻、跨度大、截面尺寸小和节约材料等特性,能够很好地提高构件的承载力。对8根部分外包组合简支梁进行了承载力试验研究,其中包括6根预应力和2根普通部分外包组... 详细信息

预应力部分外包组合结构是预应力钢-混凝土组合结构的一种特殊形式,有自重轻、跨度大、截面尺寸小和节约材料等特性,能够很好地提高构件的承载力。对8根部分外包组合简支梁进行了承载力试验研究,其中包括6根预应力和2根普通部分外包组合简支梁。研究表明:横截面面积越大预应力部分外包钢的抗弯承载力越高;而且预应力部分外包组合简支梁相对与普通部分外包组合简支梁,抗弯承载力和变形能力有很大的提高。在试验研究的基础上,提出了预应力部分外包组合简支梁承载力建议计算公式,为预应力部分外包组合简支梁在建筑工程上的应用提供了较好的理论基础。

关键词：预应力部分外包组合梁抗弯承载力试验研究

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蓝宝石晶片中微/纳米缺陷散射特性的仿真

中国激光 2019年第4期46卷 129-135页

作者：程洁王湘宁肖永亮喻更生湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 湘潭大学物理与光电工程学院湖南湘潭411105

基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有... 详细信息

基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有显著影响,可以将散射光强分布曲线的特征作为判断缺陷大小的依据;入射光波长越小,测量越准确。

关键词：散射 Mie理论蓝宝石晶片微体缺陷无损检测

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TiAl合金粉末热等静压技术研究进展

稀有金属材料与工程 2021年第10期50卷 3797-3808页

作者：王湘宁朱郎平余稳丁贤飞南海中国航发北京航空材料研究院北京100095 北京市先进钛合金精密成型工程技术研究中心北京100095 华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室湖北武汉430074

TiAl合金具有高熔点、低密度、高比强度和良好的高温抗氧化、抗蠕变等性能,在航空航天及汽车发动机等领域应用前景广阔。粉末热等静压技术能够实现复杂形状TiAl合金零件的一体化成形,并且获得的零件晶粒细小、成分均匀、力学性能优异。... 详细信息

TiAl合金具有高熔点、低密度、高比强度和良好的高温抗氧化、抗蠕变等性能,在航空航天及汽车发动机等领域应用前景广阔。粉末热等静压技术能够实现复杂形状TiAl合金零件的一体化成形,并且获得的零件晶粒细小、成分均匀、力学性能优异。本文介绍了TiAl合金雾化粉末制备原理与粉末热等静压致密化技术,评述了对TiAl合金雾化粉末及经过热等静压和热处理后组织和性能的研究进展,分析了TiAl合金粉末热等静压技术当前存在的一些问题,并对该技术的未来发展进行了展望。

关键词： TiAl合金粉末冶金雾化粉末热等静压