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中医药联合早期肠内营养用于胃癌根治术后30例疗效观察

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山东中医杂志 2017年第3期36卷 200-203页

作者：茅伟达蒋立新胡星南京中医药大学江阴附属医院普外科江苏江阴214400

目的 :探讨中医药联合早期肠内营养对胃癌根治术患者术后康复、炎性反应和免疫功能的影响。方法 :60例患者随机均分为观察组和对照组。对照组术后采取早期肠内营养,观察组术后给予新斯的明足三里注射+肠内四物汤+早期肠内营养,比较两组... 详细信息

目的 :探讨中医药联合早期肠内营养对胃癌根治术患者术后康复、炎性反应和免疫功能的影响。方法 :60例患者随机均分为观察组和对照组。对照组术后采取早期肠内营养,观察组术后给予新斯的明足三里注射+肠内四物汤+早期肠内营养,比较两组术后康复(肠鸣音恢复时间、首次排气时间、首次排便时间和住院时间)、炎性反应(IL-6、TNF-α)和免疫功能(Ig A、Ig M、Ig G和CD4+/CD8+)指标。结果 :观察组肠鸣音恢复时间、首次排气时间、首次排便时间和住院时间明显少于对照组(P<0.05)。观察组术后7 d的IL-6、TNF-α浓度显著低于对照组(P<0.05)。观察组术后7 d的Ig A、Ig M、Ig G和CD4+/CD8+明显高于对照组(P<0.05)。结论:中医药联合早期肠内营养可有效促进胃癌根治术患者术后康复,抑制炎性反应,提高免疫功能。

关键词：胃癌根治术四物汤早期肠内营养疗效观察

二维层状材料异质结光电探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2021年第1期50卷 186-196页

作者：陈红富罗曼沈倪明徐腾飞秦嘉怡胡伟达陈效双余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,... 详细信息

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外,2DLMs不受晶格匹配的限制,能以范德瓦尔斯力(Van der Waals,vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合,制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展,主要包括基于二硒化钨(WSe2)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS3)、二硒化钯(PbSe2)等异质结光电探测器,这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新,在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时,文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：二维层状材料异质结光电探测器

InGaAs/InP红外雪崩光电探测器的研究现状与进展

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红外技术 2018年第3期40卷 201-208页

作者：胡伟达李庆温洁王文娟陈效双陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响... 详细信息

近年来,量子卫星通信、主动成像等先进技术的应用取得了较大的进展,InGaAs/InP雪崩光电探测器作为信息接收端的核心器件起到了至关重要的作用。本文系统介绍了InGaAs/InP雪崩光电探测器的工作原理,分析了器件结构设计对暗电流特性的影响,对盖格模式下多种单光子探测电路进行了综述,同时对新型金属-绝缘体-金属结构设计的研究进展进行了介绍和展望。

关键词： InGaAs/InP红外雪崩光电探测器暗电流机制单光子探测表面等离共振效应

Two-dimensional materials for future information technology: status and prospects

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Science China(Information Sciences) 2024年第6期67卷 1-147页

作者： Hao QIU Zhihao YU Tiange ZHAO Qi ZHANG Mingsheng XU Peifeng LI Taotao LI Wenzhong BAO Yang CHAI Shula CHEN Yiqi CHEN hui-Ming CHENG Daoxin DAI Zengfeng DI Zhuo DONG Xidong DUAN Yuhan FENG Yu FU Jingshu GUO Pengwen GUO Yue HAO Jun HE Xiao HE Jingyi hu weida hu Zehua hu Xinyue huANG Ziyang huANG Ali IMRAN Ziqiang KONG Jia LI Qian LI Weisheng LI Lei LIAO Bilu LIU Can LIU Chunsen LIU Guanyu LIU Kaihui LIU Liwei LIU Sheng LIU Yuan LIU Donglin LU Likuan MA Feng MIAO Zhenhua NI Jing NING Anlian PAN Tian-Ling REN Haowen Shu Litao SUN Yue SUN Quanyang TAO Zi-Ao TIAN Dong WANG Hao WANG Haomin WANG Jialong WANG Junyong WANG Wenhui WANG Xingjun WANG Yeliang WANG Yuwei WANG Zhenyu WANG Yao WE... School of Electronic Science and Engineering Nanjing University School of Integrated Circuits Interdisciplinary Research Center for Future Intelligent Chips (Chip-X)Nanjing University School of Integrated Circuit Science and Engineering Nanjing University of Posts and Telecommunications State Key Laboratory of Infrared Physics Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences School of Physics and Key Lab of Quantum Materials and Devices of the Ministry of Education School of Electronic Science & EngineeringSoutheast University College of Integrated Circuits State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor MaterialsZhejiang University Suzhou Laboratory State Key Laboratory of Integrated Chips and Systems School of MicroelectronicsFudan University Shaoxin Laboratory Department of Applied Physics The Hong Kong Polytechnic University Key Laboratory for Micro-Nano Physics and Technology of hunan Province College of Materials Science and EngineeringHunan University College of Integrated Circuits Zhejiang University Shenzhen Geim Graphene Center Shenzhen Key Laboratory of Layered Materials for Value-Added ApplicationsTsinghua-Berkeley Shenzhen Institute & Institute of Materials ResearchTsinghua Shenzhen International Graduate SchoolTsinghua University State Key Laboratory of Extreme Photonics and Instrumentation College of Optical Science and EngineeringInternational Research Center for Advanced PhotonicsZijingang CampusZhejiang University National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of Sciences CAS Key Laboratory of Nanophotonic Materials and Devices & Key Laboratory of Nanodevices and Applications i-LabSuzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO)Chinese Academy of Sciences College of Chemistry and Chemical Engineering Hunan University Key Laboratory of Quantum State Construction and Manipulation (Ministry of Education) Department of PhysicsRenmin University of China School

Over the past 70 years, the semiconductor industry has undergone transformative changes,largely driven by the miniaturization of devices and the integration of innovative structures and materials. Two-dimensional(2D) materials like transition metal dichalcogenides(TMDs) and graphene are pivotal in overcoming the limitations of silicon-based technologies, offering innovative approaches in transistor design and functionality, enabling atomic-thin channel transistors and monolithic 3D integration. We review the important progress in the application of 2D materials in future information technology, focusing in particular on microelectronics and optoelectronics. We comprehensively summarize the key advancements across material production, characterization metrology, electronic devices, optoelectronic devices, and heterogeneous integration on silicon. A strategic roadmap and key challenges for the transition of 2D materials from basic research to industrial development are outlined. To facilitate such a transition, key technologies and tools dedicated to 2D materials must be developed to meet industrial standards, and the employment of AI in material growth, characterizations, and circuit design will be essential. It is time for academia to actively engage with industry to drive the next 10 years of 2D material research.

关键词： two-dimensional (2D) materials information technology production technology standardization of characterization microelectronicdevices optoelectronic devices multi-functional integration

纳米SiO_2对环氧树脂金刚石磨块性能影响研究

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金刚石与磨料磨具工程 2010年第6期30卷 74-77页

作者：张国威万隆胡伟达刘小磐王志起翟浩冲湖南大学材料科学与工程学院湖南长沙410082

按不同配比将液态环氧树脂／固化剂、纳米SiO2粉体和金刚石磨料搅拌均匀形成料浆，采用浇注法制备环氧树脂结合剂金刚石磨块，分析了填料纳米SiO2含量对磨块性能的影响。结果表明：加入适量纳米SiO2可以有效阻止金刚石磨料在料浆中沉降... 详细信息

按不同配比将液态环氧树脂／固化剂、纳米SiO2粉体和金刚石磨料搅拌均匀形成料浆，采用浇注法制备环氧树脂结合剂金刚石磨块，分析了填料纳米SiO2含量对磨块性能的影响。结果表明：加入适量纳米SiO2可以有效阻止金刚石磨料在料浆中沉降，改善磨块的性能；当金刚石粒度为200／230，环氧树脂含量为26％时，随着纳米SiO2含量在0～4％范围内增加，磨块的抗弯强度、耐热和耐磨性能都有明显提高，达到4％时为最佳；当纳米SiO2含量在4％以上继续增加时，磨块的抗弯强度、耐热和耐磨性均呈现下降趋势。

关键词：纳米SiO2 环氧树脂金刚石磨块

烧结温度对SiC/莫来石复相多孔陶瓷的影响

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材料导报 2012年第20期26卷 119-122页

作者：陈茂开万隆刘小磐胡伟达王俊沙翟浩冲湖南大学材料科学与工程学院长沙410082

以高岭土、SiC粉末、Al2O3粉末为主要原料,采用添加造孔剂法制备了SiC/莫来石复相多孔陶瓷,探讨了烧结温度对多孔陶瓷的气孔率、体积密度、抗折强度等的影响。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的物相组成与断... 详细信息

以高岭土、SiC粉末、Al2O3粉末为主要原料,采用添加造孔剂法制备了SiC/莫来石复相多孔陶瓷,探讨了烧结温度对多孔陶瓷的气孔率、体积密度、抗折强度等的影响。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的物相组成与断面形貌。结果表明,以淀粉为造孔剂,在1350℃下保温2h制备的样品综合性能最佳,其孔隙率为31.40%,抗折强度达到42.50MPa。

关键词：碳化硅莫来石多孔陶瓷烧结温度造孔剂

石墨烯改性环氧树脂过程中快速纯化功能化石墨烯的方法

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湖南工业大学学报 2017年第3期31卷 69-74页

作者：史军华胡伟达陈宪宏湖南工业大学包装与材料工程学院湖南株洲412007 湖南工业大学冶金与材料工程学院湖南株洲412007

利用电荷平衡原理,在功能化石墨烯改性环氧树脂的过程中,设计了一种通过添加少量电解质溶液破坏功能化石墨烯体系的电荷平衡,以加速功能化氧化石墨烯的沉降速率,从而在低速离心条件下快速去除双酚A(BPA)功能化石墨烯(BPA-GO)中存在的过... 详细信息

利用电荷平衡原理,在功能化石墨烯改性环氧树脂的过程中,设计了一种通过添加少量电解质溶液破坏功能化石墨烯体系的电荷平衡,以加速功能化氧化石墨烯的沉降速率,从而在低速离心条件下快速去除双酚A(BPA)功能化石墨烯(BPA-GO)中存在的过量BPA的方法。同时,采用传统的透析法与之进行对比实验,选用红外光谱仪、紫外-可见分光光度计对两种方法的纯化效果进行了分析,且采用离心分离法探讨了转速对所提方法分离效果的影响。结果表明,所提出的纯化方法对样品的结构没有产生影响,且所提方法相比于传统的透析法,不仅纯化效率较高、效果较好、对设备要求较低,而且具有适用于工业化生产的优点。

关键词：功能化石墨烯双酚A 纯化电荷平衡

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cBN陶瓷结合剂磨盘的研究

金刚石与磨料磨具工程 2010年第4期30卷 33-37页

作者：翟浩冲万隆刘小磐胡伟达张国威王志起湖南大学材料科学与工程学院长沙410082

本文通过差示扫描量热分析、X衍射分析、线膨胀测试仪、扫描电镜等测试手段对四种不同组份的结合剂性能及磨盘显微结构进行分析,结果发现:2#结合剂的耐火度为770℃,相对较低,可以实现磨具的低温烧成,防止cBN磨料的高温侵蚀,提高磨削效... 详细信息

本文通过差示扫描量热分析、X衍射分析、线膨胀测试仪、扫描电镜等测试手段对四种不同组份的结合剂性能及磨盘显微结构进行分析,结果发现:2#结合剂的耐火度为770℃,相对较低,可以实现磨具的低温烧成,防止cBN磨料的高温侵蚀,提高磨削效率和耐用度;2#结合剂中出现细小的片状微晶,起到了弥散强化的作用,增强了结合剂的强度;用2#结合剂所制的cBN磨盘,结合剂熔化完全,流动性好,对cBN磨粒的包裹性好,提高了磨盘强度和硬度,其抗弯曲强度达到62.37MPa,洛氏硬度HRB达到85。

关键词：磨盘陶瓷结合剂立方氮化硼抗折强度

TiO_2纳米管/介孔SiO_2复合膜的制备及生物活性研究

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材料导报 2012年第12期26卷 82-85页

作者：肖文万隆张珍容胡伟达王志起翟浩冲湖南大学材料科学与工程学院长沙410082

以表面构筑了TiO2纳米管阵列的金属钛为基底,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆介孔SiO2薄膜,构建了TiO2纳米管/介孔SiO2复合膜。利用SAXRD、FTIR、HRTEM和FESEM等表征样品的结构和微观形貌。研究表明,在高度有序、规整排列的TiO2... 详细信息

以表面构筑了TiO2纳米管阵列的金属钛为基底,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆介孔SiO2薄膜,构建了TiO2纳米管/介孔SiO2复合膜。利用SAXRD、FTIR、HRTEM和FESEM等表征样品的结构和微观形貌。研究表明,在高度有序、规整排列的TiO2纳米管阵列基底上,利用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术涂覆有六方相介孔SiO2薄膜的复合膜具有良好的生物活性。

关键词： TiO2纳米管有序介孔SiO2薄膜溶胶-凝胶浸渍-提拉生物活性