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Impulse response of Ge2Sb2Te5-based ultrafast photodetector integrated with SOI waveguide

Chinese Optics Letters 2019年第10期17卷 93-96页

作者： vibhu srivastava Prateek Mishra Sunny Indian Institute of Information Technology-Allahabad

The impulse response for a phase-change material Ge2Sb2Te5(GST)-based photodetector integrated with a silicon-on-insulator(SOI)waveguide is simulated using finite difference time domain *** current is calculated by solving the drift-diffusion model for short pulse(?10 fs)excitation for both of the stable *** width at half-maximum values of less than 1 ps are found in the *** crystalline GST has higher 3 dB bandwidth than the amorphous GST at a 1550 nm wavelength with responsivities of 21 A/W and 18.5 A/W,respectively,for a 150 nm thick GST layer biased at 2 V.A broad spectrum can be utilized by tuning the device using the phase-change property of material in the near infrared region.

关键词： waveguide SOI tuning

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