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Quantum Transport across Amorphous-Crystalline Interfaces in Tunnel Oxide Passivated Contact Solar Cells: Direct versus Defect-Assisted Tunneling

引用

Chinese Physics Letters 2021年第3期38卷 75-80页

作者： Feng Li Weiyuan Duan Manuel Pomaska Malte Köhler Kaining Ding Yong Pu Urs Aeberhard uwe rau College of Science Nanjing University of Posts and TelecommunicationsNanjing 210023China IEK-5 Photovoltaik Forschungszentrum Jülich52425 JülichGermany

Tunnel oxide passivated contact solar cells have evolved into one of the most promising silicon solar cell concepts of the past decade,achieving a record efficiency of 25%.We study the transport mechanisms of realistic tunnel oxide structures,as encountered in tunnel oxide passivating contact(TOPCon) solar *** transport is affected by various factors,including oxide layer thickness,hydrogen passivation,and oxygen *** the thickness of the tunnel oxide layer increases,a faster decline of conductivity is obtained computationally than that observed *** tunneling seems not to explain the transport characteristics of tunnel oxide ***,it can be shown that recombination of multiple oxygen defects in a-SiOx can generate atomic silicon nanowires in the tunnel ***,new and energetically favorable transmission channels are generated,which dramatically increase the total current,and could provide an explanation for our experimental *** work proves that hydrogenated silicon oxide(SiOx:H) facilitates high-quality passivation,and features good electrical conductivity,making it a promising hydrogenation material for TOPCon solar *** carefully selecting the experimental conditions for tuning the SiOx:H layer,we anticipate the simultaneous achievement of high open-circuit voltage and low contact resistance.

关键词： tuning Tunnel conductivity

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