检索结果-南通市图书馆

2001 6～(th) International Conference on Solid-State and Integrated Circuit technology

作者： J.Lin t.Suzuki H.Minakata A.Shimada K.tsunoda M.Fukuda t.kurahashi Y.Fukuzumi A.Hatada A.Sato P.H.Sun Y.Ishibashi H.tomita N.Nishikawa E.Ito W.C.Liu C.M.Chu R.Suzuki M.Nakabayashi D.Matsunaga K.Hieda K.Hashimoto S.Nakamura Y.Kohyama C.M.Shiah technology Development Division Fujitsu Limited Fujitsu Laboratories Limited Memory LSI R&D Center Toshiba Corporation DRAM Process Integration and Module technology Department Winbond Electronics Corporation Process&Manufacturing Engineering Center Toshiba Corporation

A novel backend process is developed for thecylindrical Ru/taO/Ru capacitor for 130nm generationDRAMs to achieve good electrical *** gas(3%H/97%N)anneal(FGA) induceddegradation can be effectively *** thecylindrical Ru/taO/Ru capacitor with full backendprocesses,including passivation layer formation and aFGA,the cell leakage current and cell capacitance are1fA(at±0.8V at 85℃)and 15fF,respectively.

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结合烷烃硫醇类自组装单层的亚稳原子光刻

引用

现代科学仪器 2006年第Z1期23卷 16-17页

作者：巨新 kurahashi M SUZUKI t YAMAUCHI Y 南京大学中国国立材料科学研究院日本国立材料科学研究院日本

　　A number of demonstrations of nanofabrication with atom optics have been carried out by using both the direct deposition of atoms and atom lithography for vailous molecular surfaces in the past several years[1]. ……

关键词：烷烃醇类自组装单层 direct deposition atom lithography

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