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HREM ANALYSIS OF ULtRA-tHIN OXIDES （Invited）
HREM ANALYSIS OF ULTRA-THIN OXIDES （Invited）
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引用
1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit technology
作者： R.SINCLAIR M.NIWA t.kouzaki Department of Materials Science and Engineering Stanford University Stanford California 94303 USA Semiconductor Research Center Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi Osaka 570 Japan Matsushita technoresearch Inc. 3-1-1 Yagumo-nakamachi Moriguchi Osaka 570 Japan
＜正＞ Ultra-thin SiO2 layers on Si （e.g., sub-10 nm） will be increasingly important in future VLSI devices. Precise control of thickness and interface roughness are important parameters. High resolution electron mi...
来源： cnki会议 评论
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