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Nature of First-Order Transition in Planar Rotator Model with Modified Potential

Journal of Modern Physics 2013年第1期4卷 140-145页

作者： smita ota Snehadri Bihari ota Institute of Physics Bhubaneswar India

We have carried out micro-canonical Monte Carlosimulations of a planar rotator model in 30 × 30 lattice using periodic boundary conditions. The energy distribution of the rotator in the lattice shows features that can be associated with spin wave and vortex excitations. The results supplement the first-order transition observed in canonicalMonte Carlosimulation, due to vortex nucleation. We also see features that can be associated with the in-homogeneity of vortex charge in the critical region.

关键词： XY-Model Spin Wave Vortices

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Microcanonical Monte Carlo Simulation of 2D 4-State Potts Model

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Journal of Modern Physics 2017年第4期8卷 602-606页

作者： Snehadri Bihari ota smita ota Akiro ota Institute of Physics Sachivalaya Marg Bhubaneswar India Department of Physics Xiamen University Xiamen China

Monte Carlo simulation of two dimensional 4 state Potts model has been carried out in microcanonical ensemble. The simulations were done on a 30 × 30 system with periodic boundary conditions. The temperature dependence of energy and order parameter has been calculated. The transition in 4-state Potts model is concluded to be first-order in nature. The transition temperature and latent heat of the first-order transition have been found to be 0.92 and 0.18, respectively.

关键词： Microcanonical Monte Carlo Potts Model First-Order Transition

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Calibration of GaAlAs Semiconductor Diode

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Journal of Modern Physics 2012年第10期3卷 1490-1493页

作者： S. B. ota smita ota DST Project DST New Delhi India Institute of Physics Bhubaneswar India

The forward voltage of GaAlAs semiconductor diode has been measured in the temperature range 50 K - 300 K and for current values between 10 nA and 450 μA. The forward voltage as a function of temperature is least-squares fitted and the coefficients are given. The 1st and 2nd order least-squares fitting has high temperature root between 400 K and 950 K. The presence of the high temperature root indicates that the fitted polynomials are of similar character. The high temperature root is found to increase for the least squares fitted polynomials corresponding to higher current values.

关键词： Semiconductor Temperature Sensors GaAlAs

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