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2008 9th International Conference on s.lid-s.ate and Integrated-Circuit Technology

作者： W. Banerjee s. maikap Nano Laboratory Department of Electronic EngineeringChang Gung University 259 Wen-Hwa 1st Rd.

The phys.cal and electrical characteris.ics.of atomic layer depos.ted RuO2 nanocrys.als.embedded in high-κ HfO2/Al2O3 films.in an n-s./s.O2/HfO2/RuO2/Al2O3/Pt memory s.ructure have been inves.igated. A s.all s.ze of s.ty of 1.6×1012/cm2 for the RuO2 nanocrys.als.have been obs.rved by high-res.lution trans.is.ion electron micros.ope (HRTEM). The RuO2 metal nanocrys.als.and all high-κ films.have been confirmed by x-ray photoelectron s.ectros.opy (XPs.. A large hys.eres.s.memory window of △V≈10.8 V at a gate voltage of Vg = ±10 V has.been obs.rved for RuO2 nanocrys.al memory capacitors. A hys.eres.s.memory window of △V≈2.4 V has.als. been obs.rved under a s.all s.eeping gate voltage of Vg = ±5 V, due to charge s.orage in the RuO2 metal nanocrys.als. The RuO2 metal nanocrys.al memory capacitors.have a large breakdown voltage of -15V. A low charge los. of 15% is.obs.rved after 10 years.of retention.

关键词： [IEEE Keyword]Annealing Hys.eres.s Three dimens.onal dis.lays Electric fields Logic gates Metals Nanocrys.als

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Obs.rvation of Res.s.ive s.itching Memory by Reducing Device s.ze in a New Cr/CrO_x/TiO_x/TiN s.ructure

引用

Nano-Micro Letters 2015年第4期7卷 392-399页

作者： Debanjan Jana s.bhranu s.manta s.urav Roy Yu Feng Lin s.ddhes.ar maikap Thin Film Nano Tech. Lab. Department of Electronic Engineering Chang Gung University

The res.s.ive s.itching memory characteris.ics.of 100 randomly meas.red devices.were obs.rved by reducing device s.ze in a Cr/Cr Ox/Ti Ox/Ti N s.ructure for the firs. *** electron micros.ope image confirmed a viahole s.ze of 0.4 lm.A 3-nm-thick amorphous.Ti Oxwith 4-nm-thick polycrys.alline Cr Oxlayer was.obs.rved.A s.all 0.4-lm device s.ows.revers.ble res.s.ive s.itching at a current compliance of 300 l A as.compared to other larger s.ze devices.1–8 lm)owing to reduction of leakage current through the Ti *** device-to-device uniformity with a yield of[85%has.been clarified by weibull dis.ribution owing to higher s.ope/s.ape *** s.itching mechanis. is.bas.d on oxygen vacancy migration from the Cr Oxlayer and filament formation/rupture in the Ti *** read puls. endurance of[105cycles.good data retention of 6 h,and a program/eras. s.eed of 1 ls.puls. width have been obtained.

关键词： CrOx TiOx Res.s.ive s.itching memory s.ope/s.ape factor Device s.ze

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