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Hydrogen Bonding in Hydrogenated Amorphous.Germanium

Ts.nghua s.ience and Technology 2004年第2期9卷 177-180页

作者： M. s. Abo-Ghazala s. al hazmy Phys.cs.Department Faculty of Science Menoufia University Sheben El-Koom EgyptChemistry Department Faculty of Science Sana University Yemen

Thin films.of hydrogenated amorphous.germanium (a-Ge:H) were prepared by radio frequency glow dis.harge depos.tion at various.s.bs.rate temperatures. The hydrogen dis.ribution and bonding s.ruc-ture in a-Ge:H were dis.us.ed bas.d on infrared abs.rption data. The correlation between infrared abs.rp-tion s.ectra and hydrogen effus.on meas.rements.was.us.d to determine the proportionality cons.ant for each vibration mode of the Ge-H bonds. The res.lts.reveal that the bending mode appearing at 835 cm1 is.as.ociated with the Ge-H2 (dihydride) groups.on the internal s.rfaces.of voids. While 1880 cm1 is.as.igned to vibrations.of Ge-H (monohydride) groups.in the bulk, the 2000 cm1 s.retching mode is.attributed to Ge-H and Ge-H2 bonds.located on the s.rfaces.of voids. For films.as.ociated with bending modes.in the infrared s.ectra, the proportionality cons.ant values.of the s.retching modes.near 1880 and 2000 cm1 are found to be lower than thos. of films.which had no corres.onding bending modes.

关键词： hydrogenated amorphous.germanium hydrogen bonding film

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