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Chalcogenide Ovonic Threshold Switching Selector

Nano-Micro Letters 2024年第5期16卷 1-40页

作者： Zihao Zhao Sergiu Clima Daniele Garbin robin degraeve Geoffrey Pourtois Zhitang Song Min Zhu National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050People’s Republic of China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100029People’s Republic of China IMEC Kapedreef 75LeuvenBelgium

Today’s explosion of data urgently requires memory technologies capable of storing large volumes of data in shorter time frames,a feat unattain-able with Flash or *** Optane,commonly referred to as three-dimensional phase change memory,stands out as one of the most promising *** Optane with cross-point architecture is constructed through layering a storage element and a selector known as the ovonic threshold switch(OTS).The OTS device,which employs chalcogenide film,has thereby gathered increased attention in recent *** this paper,we begin by providing a brief introduction to the discovery process of the OTS ***,we summarize the key elec-trical parameters of OTS devices and delve into recent explorations of OTS materials,which are categorized as Se-based,Te-based,and S-based material ***,we discuss various models for the OTS switching mechanism,including field-induced nucleation model,as well as several carrier injection ***,we review the progress and innovations in OTS mechanism ***,we highlight the successful application of OTS devices in three-dimensional high-density memory and offer insights into their promising performance and extensive prospects in emerging applications,such as self-selecting memory and neuromorphic computing.

关键词： Non-volatile memory Ovonic threshold switch(OTS) Chalcogenide Selector

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