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Bipolar tri-state resistive switching characteristics in Ti/CeO_x/Pt memory device
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Chinese Physics B 2014年 第12期23卷 333-338页
作者： M.Ismail M.W.Abbas A.M.rana I.Talib E.Ahmed M.Y.Nadeem T.L.Tsai U.Chand N.A.Shah M.Hussain A.Aziz M.T.Bhatti Department of Physics Bahauddin Zakariya University Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics National Chiao Tung University Thin Films Technology Research Laboratory Department of Physics COMSATS Institute of Information Technology Center for High Energy Physics University of Punjab
Highly repeatable multilevel bipolar resistive switching in Ti/Ce Ox/Pt nonvolatile memory device has been demonstrated. X-ray diffraction studies of Ce O2 films reveal the formation of weak polycrystalline structure.... 详细信息
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