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Reaction of Nitrilimines with 2-Aminopicoline, 3-Amino-1,2,4-Triazole, 5-Aminotetrazole and 2-Aminopy.imidine

International Journal of Organic Chemistry 2014年第3期4卷 201-207页

作者： rami y. morjan Basam S. Qeshta Hussein T. Al-Shay.ah John M. Gardiner Basam A. Abu-Thaher Adel M. Awadallah Department of Chemistry Islamic University of Gaza Gaza Palestine Manchester Institute of Biotechnology School of Chemistry and EPS The University of Manchester Manchester UK

The reaction of picoline derivatives 3-6 with hy.razonoy.halide 1a produced imidazo[1,2-a]py.idines 7-10, while the reaction of the same picoline derivatives with hy.razonoy.halide 1b afforded imidazo[1,2-a]py.idine-2-ones 11-13. The reaction of 1b, c with 3-amino-1,2,4-triazole 14 produced the acy.lic adducts 18 and 19, respectively. Reaction of 1b, 1c with 5-aminotetrazole 20 produced the acy.lic products 23 and 24, respectively. Finally. the reaction of 1b with 4, 6-dimethy.-2-aminopy.imidine 27 afforded compound 29 rather than its isomeric structure 28. The structure of the products was confirmed by.the different spectroscopic analy.ical methods including IR, MS, 1HNMR and 13CNMR.

关键词： Nitrilimines Picolines Imidazo[1 2-a]Py.idine Triazoles Tetrazoles Py.imidines

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用激光照射MnCO3在硅表面形成锰薄层（英文）

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应用激光 1986年第4期 157-159页

作者： I.Ursu R.Alexandrescu V.Craciun I.N.Mihailescu I.morjan Al.Popa 罗马尼亚中央物理研究所罗马尼亚中央物理研究所罗马尼亚中央物理研究所罗马尼亚中央物理研究所罗马尼亚中央物理研究所罗马尼亚中央物理研究所

高溶点金属及其硅化物电阻率低、化学稳定性和热稳定性好,且不受电迁移的影响,故适用于高集成度元件的制作。而用激光为工具,制备高溶点金属及其硅化物易于实现半导体表面的局部加热,且减少杂质。本文报道用 CO2激光诱导氧化锰的铝还原... 详细信息

高溶点金属及其硅化物电阻率低、化学稳定性和热稳定性好,且不受电迁移的影响,故适用于高集成度元件的制作。而用激光为工具,制备高溶点金属及其硅化物易于实现半导体表面的局部加热,且减少杂质。本文报道用 CO2激光诱导氧化锰的铝还原反应,在单晶硅表面得到厚度为5～10μm 的锰薄层。实验中,基片为〈100〉切割的单晶硅,工作物质为化学纯的 MnCO3和 Al 粉末。将这二种粉末按化学计量配比,充分混和后置于硅表面,厚度为1毫米。激光器为功率20W 的封离型 CO2激光器,光斑直径4毫米,扫描速度1毫米/分。激光照射期间,用光学高温计测量温度。激光照射首先引起 MnCO3热分解,生成氧化锰。在激光作用区域,温度可达1200℃。化学分析表明:热分解收到的混合物中含有98～99％的 Mn3O4和 Mn2O3。激光又引起强烈的放热反应,由于激光作用区温度很高,更加强了这一反应。用电子显微镜研究表明:实验条件下温度达1970℃,硅表面熔融,从而使锰原子向硅扩散,大大提高了薄膜对硅表面的粘附强度。激光照射后,用刷子将样品刷干净,并用酒精仔细清洗以去除渣屑及未反应的粉末。样品在照射前后均用扫描式立体电子显微镜进行分析,用二次电子获得显微图象,并测成分。结果表明:样品的表面以及组份均发生了变化。文中给出了硅表面之锰薄层的扫描电镜照片。薄层较均匀,含99％锰以及1％的杂质,该杂质系 MnCO3粉末中原有的杂质,而不是 Al 或 C,另外,文中又给出来抛光单晶硅表面形貌在激光照射前后的变化的照片。激光照射过的区域相当光滑,说明由于氧化锰与铝反应时产生的高温使硅熔融并重结晶。运用铝与氧化锰的放热反应在硅表面制备锰薄膜,可提高纯度,并可运用小功率激光来进行制备。作进一步实验还可得到 Ni、Mo、W 等薄膜,这些金属的氧化物对10.6 μm CO2激光均有良好吸收。

关键词：硅表面 MnCO3 厚度激光照射电子显微镜电镜粉末薄层地层

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