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Lattice Disorder and Photoluminescence of Er—Implanted AIN Crystalline Films

Chinese Physics Letters 2002年第12期19卷 1844-1846页

作者：卢霏 r.carius DepartmentofPhysics ShandongUniversityJinan250100 InstitutfurSchichtenundGrenzflachen(ISG-IT) ForschungszentrumJulichGmbHKFAD-52425Germany InstitutfuerPhotovoltaik(IPV) Forschungs

AlN crystalline films have been grown on SiC substrates by molecular beam epitaxy. Er doping was carried out by implantation with energy 180 keV to fluence of 1×10^15ions/cm^2. The as-implanted samples were then annealed at 650, 800, 950 and 1100°C respectively, to remove defects and to make Er ions optically active. The annealing up to 1100°C did not exert significant influence on either Er distribution or the profiles of implant-induced lattice damage. Strong 1.54 μm photoluminescence was observed in Er-implanted AlN at room temperature. The experimental results indicate that the photoluminescence lifetime can be improved by increasing the annealing temperature. The maximum photoluminescence lifetime was measured to be 2.3 ms.

关键词： photoluminescence Erbium annealing crystal lattices Implantation maladjustment Films

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