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Ganas新型光电子材料E+能级的共振拉曼散射和光致发光研究
GaNAs新型光电子材料E+能级的共振拉曼散射和光致发光研究
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引用
第十四届全国光散射学术会议
作者： 谭平恒 徐仲英 罗向东 葛惟昆 Y.Zhang A.Mascarenhas H.p.Xin C.W.Tu 中国科学院半导体研究所超晶格国家重实验室 中国科学院半导体研究所超晶格国家重实验室 香港科技大学物理系 香港科技大学物理系 National Renewable Energy Laboratory 1617 Cole BoulevardGoldenColorado 80401USA National Renewable Energy Laboratory 1617 Cole BoulevardGoldenColorado 80401USA Department of Electrical and Computer Engineering University of California at San DiegoLa JallaCalifornia 92093USA Department of Electrical and Computer Engineering University of California at San DiegoLa JallaCalifornia 92093USA
＜正＞近十多年来,由于可与高度发展的 GaAs 基微电子器件进行良好的单片集成以及其独特的光电特性和在光纤通讯以及太阳能电池等领域的巨大应用前景,掺氮的Ⅲ-Ⅴ族 Ga（In）nas 材料受到了全世界的重视。由于 N 的掺入,Ga（In）nas 半...
来源： cnki会议 评论
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