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检索条件"作者=oksana Anatoliivna Sydor"
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X-Ray Diffractometry and Raman Spectroscopy Investigation of Irradiated Layered III-VI Crystals
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材料科学与工程(中英文A版) 2012年 第7期2卷 537-543页
作者: Zakhar Dmytrovych Kovalyuk Oleg Mykolayovych sydor oksana anatoliivna sydor Volodymyr Grygorovych Tkachenko Igor Mykolayovych Maksymchuk Volodymyr Ivanovych Dubinko Pavlo Mykolayovych Ostapchuk Chernivtsi Department of the Institute of Materials Science Problems Chernivtsi 58001 Ukraine Institute of Materials Science Problems Kyiv 03680 Ukraine National Scientific Center "Kharkiv Physico-Technical Institute " Kharkiv 61108 Ukraine
The present results of investigations of the influence of irradiation on layered n-InSe, p-InSe, and p-GaSe semiconductors. Two types of irradiation are considered: (1) the bremsstrahlung ?-quanta with effective energ... 详细信息
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