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The 5th International Vacuum Electron Sources Conference(IVESC2004)

作者： DU Xiao-qing CHANg Ben-kang DU Yu-jie LI Min EE&oe.institute of Nanjing University of Science and Technology Nanjing 210094 China

As one of the main direction of developing negative electron affinity （NEA） photocathode with higher response performance, the research work on （Cs,O） activation technique of NEA photocathode has been carried. At present the main adoptive activation technique is the "high-low temperature" two-step activation. Although NEA photocathode with high sensitivity has been already prepared by use of this activation method, the research work of activation technique is still semi-experienced and semi-quantitative and therefore the lack of the theoretic guidance of further optimization of activation technique is existent. It is owing to the lack of effective on-line measurement means, and there is not enough useful information obtained during activation. As a result clear and reasonable explanations for mechanism of activation technique and the details of NEA formation during activation have been inadequate. In this paper the on-line measurement technology of spectral response and photocurrent are firstly used to research on the "high-low temperature" two-step （Cs,O） activation process of NEA photocathode. A series of gaAs slices were activated and different activation manners were adopted by changing Cs and O exposure coverage in activation cycles. On-line spectral response curves and the dependent curves of photocurrent with （Cs,O） activation cycles were measured during each different activation process, and the variations of photoe.ission performance parameters of photocathodes, which include threshold wavelength, peak response, peak wavelength, sensitivity and surface escape probability with （Cs,O） deposition cycles were calculated according to the measured curves. By analysis of the relations between different "high-low temperature" activation technique and sensitivity and stability of NEA photocathode, the optimized （Cs,O） activation technique was obtained and the relations between "high temperature" activation and "low temperature" activation was also discovered in this

关键词： NEA photocathode activation spectral response sensitivity stability

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918株痢疾杆菌的生物特性及抗原分析

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人民军医 1960年第S1期 1-7页

作者： Сaнumaрнo-эnuбemuoлozuчeckaя лaǒopamopuя ×× бoe.нozo okpyza ××军区卫生防疫检验所细菌检验科

1.经鉴定的痢疾菌的生化反应绝大多数菌株与痢疾菌属共同特性相符,其中有一些菌型并具有一定的规律性,可作血清学分种以致于分型工作中的参考。对于各种异常生化反应,本文曾详加讨论。2.在918株痢疾杆菌中,弗氏菌的比重最高(79.19%);宋... 详细信息

1.经鉴定的痢疾菌的生化反应绝大多数菌株与痢疾菌属共同特性相符,其中有一些菌型并具有一定的规律性,可作血清学分种以致于分型工作中的参考。对于各种异常生化反应,本文曾详加讨论。2.在918株痢疾杆菌中,弗氏菌的比重最高(79.19%);宋内氏菌其次(13.3%);史密次氏菌及鲍氏菌很少;志贺氏菌接近于消逝。但各地区菌型分布不甚一致。

关键词：志贺氏菌属杆菌乳糖志贺氏杆菌属肠杆菌科乳制品抗原分析宋内氏弗氏鲍氏菌痢疾菌超免疫血清分型血清生化反应菌型分布痢疾病生物特性

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恒定、匹配的大电流输出电荷泵电路

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上海交通大学学报 2007年第S2期41卷 20-23页

作者：薛珂冯军东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 gHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷... 详细信息

用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一种应用于5 gHz锁相环型频率合成器中的电荷泵电路.该电路运用单位增益运放电路和自偏置共源共栅电流源电路实现了充放电流的高度匹配.充分利用单位增益运放电路减小电荷泵输出端的电荷共享现象,使电荷泵电路结构较简单并减小了功耗.Spectre后仿真表明,在电源1.8 V、输出电压0.5-1.3 V,充放电流失配率小于0.8%,电流绝对值偏移率小于0.6%,最大功耗8.53 mW.

关键词：电荷泵电压跟随自偏置电流源

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基于层次分析法的企业内外部环境适应性研究

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改革与战略 2009年第8期25卷 159-162页

作者：李晓彬葛红岩上海金融学院应用数学系上海201209 上海财经大学国际工商管理学院上海200433

文章运用层次分析法对企业的内部与外部环境的构成要素及相关性做了分析,提出了企业内部环境与外部环境的适应性模型。通过数据测算发现,在企业发展的不同阶段,影响其发展的各环境因素的权重不同。因此,企业在进行决策时要动态地分析不... 详细信息

文章运用层次分析法对企业的内部与外部环境的构成要素及相关性做了分析,提出了企业内部环境与外部环境的适应性模型。通过数据测算发现,在企业发展的不同阶段,影响其发展的各环境因素的权重不同。因此,企业在进行决策时要动态地分析不同时期的内外部环境对企业的影响程度,根据评价因素所发生的变化,动态地确定资源的分配比例,使企业的资源分配达到最优。

关键词：企业环境企业内部环境企业外部环境层次分析法

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快速14位电流型数字模拟转换器

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山东工学院学报 1981年第1期 18-23页

作者：安德祥

数模转换器(DAC)的开关尖峰(毛刺)是影响电子束曝光机生产效率的最主要因素之一。对于集电极开关型DAC,采用自动温度补偿、限制元件功耗、外部线性微调等措施,研制成功快速14位DAC。它比现有国内各家电子束机通用的DAC(一般仅12～13位)... 详细信息

数模转换器(DAC)的开关尖峰(毛刺)是影响电子束曝光机生产效率的最主要因素之一。对于集电极开关型DAC,采用自动温度补偿、限制元件功耗、外部线性微调等措施,研制成功快速14位DAC。它比现有国内各家电子束机通用的DAC(一般仅12～13位)毛刺都小,并小于美国进口16位转换器“DAC1136”。在低10位输出时,几乎没有毛刺,剃掉了严重影响图形精度的单元图形上的“胡子”,基本满足了电子束机制作大规棋集成电路1024动态随机存储器中间版大场一次扫描的要求。这种快速14位DAC在国内电子束机中还是第一次应用。

关键词： DAC 电压型电流型转换器变换器仪表

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1.5 V 0.35μm CMOS 3.2 gb/s 1:4分接器设计

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上海交通大学学报 2007年第S2期41卷 24-27页

作者：邱玲冯军东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载锁存器.电路最高可工作在3.2 gb/s,电源电压为1.5 V,整体电路... 详细信息

采用CSM 0.35μm CMOS工艺,设计了低电压高速1∶4分接器.分接器采用半时钟树型结构,由1个高速1∶2分接器和2个低速1∶2分接器级联而成.整个电路实现的基本单元为共栅动态负载锁存器.电路最高可工作在3.2 gb/s,电源电压为1.5 V,整体电路功耗约为120 mW,芯片面积为0.675 mm×0.675 mm.

关键词：分接器低电压 CMOS 动态负载

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动态经济中的次优公共资本积累与所得税结构

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经济学报 2018年第3期5卷 61-80页

作者：金戈朱丹浙江财经大学财政税务学院上海财经大学经济学院

本文在一个包含公共资本积累和弹性劳动供给的内生经济增长模型中,考察了次优配置中的最优公共资本积累规则、最优公共投资规模、最优公私资本比例以及相应的最优资本和劳动所得税的结构,并将次优配置与社会最优(第一优)配置进行了比较... 详细信息

本文在一个包含公共资本积累和弹性劳动供给的内生经济增长模型中,考察了次优配置中的最优公共资本积累规则、最优公共投资规模、最优公私资本比例以及相应的最优资本和劳动所得税的结构,并将次优配置与社会最优(第一优)配置进行了比较。我们发现,在次优配置中,最优公共资本积累要求公共资本的边际产出等于私人资本的税后收益率,即公共资本和私人资本的边际产出之间存在着一个税收楔子。我们还给出了一组决定最优税率的公式,并验证了平衡预算规则。

关键词：公共资本所得税结构内生经济增长次优

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