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The n.n.in.ar.optical pr.per.ies of a magn.to-exciton.in.a str.in.d Ga_(0.2)In.(0.8)As/GaAs quan.um dot

Chin.se Physics B 2013年第10期22卷 479-485页

作者： n.r.senthil kumar.a.john peter.chang Kyoo Yoo Depar.men. of Physics SBM College of Engineering and Technology Depar.men. of Physics Govt.Arts CollegeMelur-625 106MaduraiIndia Cen.er.for.En.ir.n.en.al Studies/Gr.en.En.r.y Cen.er Deptartment of Environmental Science and EngineeringCollege of EngineeringKyung Hee UniversitySeocheon-dong 1Giheung-guYongin-SiGyeonggi-Do446-701South Korea

The magn.tic field-depen.en. heavy hole exciton.c states in.a str.in.d ***/GaAs quan.um dot ar. in.esti- gated by takin. in.o accoun. the an.sotr.py, n.n.par.bolicity of the con.uction.ban., an. the geometr.cal con.in.men.. The str.in.d quan.um dot is con.ider.d as a par.bolic dot of In.s embedded in.a GaAs bar.ier.mater.al. The depen.en.e of the effective exciton.c g-factor.as a fun.tion.of dot r.dius an. the magn.tic field str.n.th is n.mer.cally measur.d. The in.er.an. optical tr.n.ition.en.r.y as a fun.tion.of geometr.cal con.in.men. is computed in.the pr.sen.e of a mag- n.tic field. The magn.tic field-depen.en. oscillator.str.n.th of in.er.an. tr.n.ition.un.er.the geometr.cal con.in.men. is studied. The exchange en.an.emen.s as a fun.tion.of dot r.dius ar. obser.ed for.var.ous magn.tic field str.n.ths in.a str.in.d ***/GaAs quan.um dot. Heavy hole exciton.c absor.tion.spectr., the changes in.r.fr.ctive in.ex, an. the thir.-or.er.susceptibility of thir.-or.er.har.on.c gen.r.tion.ar. in.estigated in.the Gao.2In..8As/GaAs quan.um dot. The r.sult shows that the effect of magn.tic field str.n.th is mor. str.n.ly depen.en. on.the n.n.in.ar.optical pr.per.y in.a low-dimen.ion.l semicon.uctor.system.

关键词： oscillator.str.n.th exciton quan.um dot

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Optical pr.per.ies of exciton. in.str.in.d Ga_x In.1-x As/GaAs quan.um dot: effect of geometr.cal con.in.men. on.exciton.g-factor

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Chin.se Optics Letter. 2013年第8期11卷 80-86页

作者： n. r. senthil kumar.a. john peter.chang woo lee Depar.men. of Physics RVS School of Engineering College Depar.men. of Physics Govt.Arts College Depar.men. of Chemical En.in.er.n. an. Gr.en.En.r.y Cen.er College of EngineeringKyung Hee University

Takin. in.o accoun. an.sotr.py, n.n.ar.bolicity of the con.uction.ban., an. geometr.cal con.in.men., we discuss the heavy-hole exciton.c states in.a str.in.d GaxIn.-xAs/GaAs quan.um dot for.var.ous Ga alloy con.en.s. The str.in.d quan.um dot is con.ider.d as a spher.cal In.s dot sur.oun.ed by a GaAs bar.ier.mater.al. The depen.en.e of the effective exciton.c g-factor.as a fun.tion.of dot r.dius an. Ga ion.con.en. is n.mer.cally measur.d. In.er.an. optical en.r.y with an. without the par.bolic effect is computed usin. str.ctur.l con.in.men.. The in.er.an. matr.x elemen. for.differ.n. Ga con.en.r.tion. is also calculated. The oscillator.str.n.th of in.er.an. tr.n.ition. on.the dot r.dius is studied at differ.n. Ga con.en.r.tion. in.the GaxIn.-xAs/GaAs quan.um dot. Heavy-hole exciton.c absor.tion.spectr. ar. r.cor.ed for.var.ous Ga alloy con.en.s in.the GaxIn.-xAs/GaAs quan.um dot. r.sults show that oscillator.str.n.th dimin.shes when.dot size decr.ases because of the domin.n.e of the quan.um size effect. Fur.her.or., exchange en.an.emen. an. exchange sDlittin. in.r.ase as exciton.con.in.men. in.r.ases.

关键词： GaAs effect of geometr.cal con.in.men. on.exciton.g-factor Optical pr.per.ies of exciton. in.str.in.d Gax In.-x As/GaAs quan.um dot

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