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中国有色金属学会会刊：英文版 2007年第A01期17卷 150-155页

作者： n. winzer A. Atren. W. Dietze G. Son. K. U. Kain.r Materials En.in.erin. The University of Queensland Brisbane Australia Swiss Federal Laboratories for Materials Scien.e an. Techn.logy EMPA Dept 136 lSrberlandstrasse 129 CH-8600 Dubendorf Switzerland GKSS-Forschun.szen.rum Geesthacht GmbH Germany

The sign.fican. positive green.en.iron.en. in.luen.e of magn.sium alloy usage in.tran.port could be compromised by catastrophic fast fracture caused by stress corrosion.crackin.(SCC). Tran.gran.lar stress corrosion.crackin.(TGSCC) of AZ91 was evaluated usin. the lin.arly in.reasin. stress test(LIST) an. the con.tan. exten.ion.rate test(CERT). The TGSCC threshold stress was 55-75 MPa in.distilled water an. in.5 g/L n.Cl. The TGSCC velocity was 7×10-10-5×10-9 m/s. A delayed hydride-crackin.(DHC) model for TGSCC was implemen.ed usin. a fin.te elemen. script in.MATLAB an. the model prediction. were compared with experimen.. A key outcome is that,durin. steady state TGSCC propagation.a high dyn.mic hydrogen.con.en.ration.is expected to build up behin. the crack tip. A n.mber of recommen.ation. are given.for preven.in. SCC of Mg alloys in.service. On. of the most importan. recommen.ation. might be that the total stress in.service(i.e. the stress from the service loadin. + the fabrication.stress + the residual stress) should be below a threshold level,which,in.the absen.e of other data,could be(con.ervatively) estimated to be about 50% of the ten.ile yield stren.th.

关键词：压力抗腐蚀强度氢化合物合金

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Toward coheren. O-ban. data cen.er in.ercon.ects

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Fron.iers of Optoelectron.cs 2021年第4期14卷 414-425页

作者： Pascal M.SEILER Galin. GEORGIEVA Georg winzer An.a PECZEK Karsten.VOIGT Stefan.LISCHKE Adel FATEMI Lars ZIMMERMAn. Techn.sche Un.versität Berlin Chair of SiliziumphotonikBerlin 10623Germany IHP–Leibn.z-In.titut für in.ovative Mikroelektron.k Frankfurt(Oder)15236Germany Techn.sche Un.versität Berlin Chair of Hochfrequenztechnik-PhotonikBerlin 10623Germany IHP Solution. GmbH Frankfurt(Oder)15236Germany

Upcomin. gen.ration. of coheren. in.ra/in.er data cen.er in.ercon.ects curren.ly lack a clear path toward a reduction.of cost an. power con.umption.which are the drivin. factors for these data *** this work,the tradeoffs associated with a tran.ition.from coheren. C-ban. to O-ban. silicon.photon.cs are addressed an. *** discussion.in.ludes the fun.amen.al compon.n.s of coheren. data lin.s,n.mely the optical compon.n.s,fiber lin. an. *** a major compon.n. of these lin.s,a mon.lithic silicon.photon.c BiCMOS O-ban. coheren. receiver is evaluated for its poten.ial performan.e an. compared to an.an.logous C-ban. device.

关键词： coheren. commun.cation data cen.er O-ban. silicon.photon.cs

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