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天文学报 1957年第2期 228-238页

作者：侣显笛方巴黎天体物理研究所

对于极早型星的连续光谱的性质,如巴耳末跃变、可见区和紫外区的梯度……要去加以测定,须先知道星际吸光的规律;反过来说,要想决定这个规律,就须预先明瞭星的那些固有的性质.我们在这篇文章里将要说明怎样解决了这个困难,测定了天鹅星... 详细信息

对于极早型星的连续光谱的性质,如巴耳末跃变、可见区和紫外区的梯度……要去加以测定,须先知道星际吸光的规律;反过来说,要想决定这个规律,就须预先明瞭星的那些固有的性质.我们在这篇文章里将要说明怎样解决了这个困难,测定了天鹅星区的吸光定律,并且证明这个定律在天上别的星区仍然有效.同时我们且得着和甚至红化很厉害的星的连续光谱,相联系的参量的数值,特别是巴耳末跃变 d 和紫外区与可见区两种梯度的差异△ 0这样就可以将两参量λ2和 d 的分类法推广到 O 型和 B 型星去,并且提供藉△ 0和 d 两参量,对于 O 型星的一种新的分类方法.

关键词：巴耳末跃变可见区紫外区连续光谱天鹅座白鸟座麒麟座分频法

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Intrinsic Photoconductivity of Few-layered ZrS2 Phototransistors via multiterminal measurements

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Semiconductor Science and Information devices 2019年第2期1卷 19-28页

作者： Rukshan m.Tanthirige Carlos Garcia Saikat Ghosh Frederick Jackson II Jawnaye Nash daniel Rosenmann Ralu divan Liliana Stan Anirudha V.Sumant Stephen A.mcGill Paresh C.ay Nihar R.Pradhan Layered materials and device Physics Laboratory Department of ChemistryPhysics and Atmospheric ScienceJackson State UniversityJacksonMS 39217USA National High magnetic Field Laboratory TallahasseeFL 32310USA Kunming University of Science and Technology Kunming 650500China Center for Nanoscale materials Argonne National Laboratory9700 S-Cass AvenueLemontIL-60439USA

We report intrinsic photoconductivity studies on one of the least examined layered compounds,***-atomic layer ZrS2 field-effect transistors were fabricated on the Si/SiO2 substrate and photoconductivity measurements were performed using both two-and four-terminal configurations under the illumination of 532 nm laser *** measured photocurrent as a function of the incident optical power at several source-drain(bias)*** observe a significantly large photoconductivity when measured in the multiterminal(four-terminal)configuration compared to that in the two-terminal *** an incident optical power of 90 nW,the estimated photosensitivity and the external quantum efficiency(EQE)measured in two-terminal configuration are 0.5 A/W and 120%,respectively,under a bias voltage of 650 *** the same conditions,the four-terminal measurements result in much higher values for both the photoresponsivity(R)and EQE to 6 A/W and 1400%,*** significant improvement in photoresponsivity and EQE in the four-terminal configuration may have been influenced by the reduction of contact resistance at the metal-semiconductor interface,which greatly impacts the carrier mobility of low conducting *** suggests that photoconductivity measurements performed through the two-terminal configuration in previous studies on ZrS2 and other 2d materials have severely underestimated the true intrinsic properties of transition metal dichalcogenides and their remarkable potential for optoelectronic applications.

关键词： Field-effect transistors Zirconium sulphide Phototransistor Responsivity Quantum efficiency

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