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Radiation effect on temperature distribution in three-dimensional Couette flow with suction or injection

Applied Mathematics and Mechanics(English Edition) 2007年第3期28卷 309-316页

作者： Bhupendra Kumar Sharma mamta agarwal R.C.Chaudhary Department of Mathematics University of RajasthanJaipur-302004India

A theoretical analysis of three-dimensional Couette flow with radiation effect on temperature distribution has been analysed, when the injection of the fluid at the lower stationary plate is a transverse sinusoidat one and its corresponding removal by constant suction through the upper porous plate is in uniform motion. Due to this type of injection velocity, the flow becomes three-dimensional. The effect of Prandtl number, radiation parameter and injection parameter on rate of heat transfer has been examined by the help of graphs. The Prandtl number has a much greater effect on *** distribution than the injection or radiation parameter.

关键词： Couette flow three-dimensional heat transfer radiation incompressible

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Modeling and simulation of carbon nanotube field effect transistor and its circuit application

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Journal of Semiconductors 2016年第7期37卷 35-40页

作者： Amandeep Singh Dinesh Kumar Saini Dinesh agarwal Sajal Aggarwal mamta Khosla Balwinder Raj Department of Electronics & Communication National Institute of Technology

The carbon nanotube field effect transistor （CNTFET） is modelled for circuit application. The model is based on the transport mechanism and it directly relates the transport mechanism with the chirality. Also, it does not consider self consistent equations and thus is used to develop the HSPICE compatible circuit model. For validation of the model, it is applied to the top gate CNTFET structure and the MATLAB simulation results are compared with the simulations of a similar structure created in NanoTCAD ViDES. For demonstrating the circuit compatibility of the model, two circuits viz. inverter and SRAM are designed and simulated in HSPICE. Finally, SRAM performance metrics are compared with those of device simulations from NanoTCAD ViDES.

关键词： carbon nanotube CNTFET SRAM HSPICE NanoTCAD ViDES

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