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RBS Analysis of Damage Evolution in Helium-implanted 4H-SiC

近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2003年第1期 59-60页

作者： ZhangChonghong SongYin DuanJinglai SunYoumei mahongji NieRui ShenDingyu 不详 DepartmentofTechnicalPhysics PekingUnivexsityBcijing100871China.

The understanding of mechanisms of damage evolution in silicon carbide bombarded with energetic heliumions is important for the use of this material in future fusion reactors. One interesting result from our recentTEM study of defect production in helium-implanted 4H-SiC is the rather high dose threshold for the forma-tion of nanometric helium bubbles This may supply an explanation for the observed defect depleted zone near the surface of silicon carbide. While the defect depleted zone is believed to be the reason of the high resistance of SiC nanocrystals and fibers to heavy irradiation.

关键词： 4H-SiC RBS TEM

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Defect Accumulation and Its Effect on Photoluminescence in GaN Bombarded with Low-energy Heavy Ions

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2003年第1期 61-61页

作者： ZhangChonghong SongYin DuanJinglai SunYoumei YaoCunfeng mahongji NieRui T.Shibayama HongChen 不详 DepartmentofTechnicalPhysics PekingUniversityBeiJingChina CenterforAdvancedResearchofEnergyTechnology HokkaidoUniversitySapporoJapan. InstituteofPhysics theChineseAcademyofSciencesBeijingChina.

Gallium Nitride (GaN) is an important material for the development of novel short-wave-length photonicdevices or high-frequency, high-power electronic devices. Ion implantation/irradiation was proved to be an effective method to modify the physical properties of the material. In the present work, we studied the dependence of damage accumulation on irradiation dose and temperature and the corresponding effects on photolumines cence character of the material. Specimens of GaN (n-type doping, (0001) on axis) were irradiated with

关键词：光激发光低能重离子氮化镓物理性质短波光子学能量光谱

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