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Improved photocatalytic degradation of organic dye using Ag3PO4/MoS2 nanocomposite

Frontiers of Materials Science 2017年第4期11卷 366-374页

作者： madhulika sharma Pranab Kishore MOHAPATRA Dhirendra BAHADUR Department of Metallurgical Engineering and Materials Science Indian Institute of Technology Bombay Powai Mumbai 400076 India Department of Physics Indian Institute of Technology Bombay Powai Mumbai 400076 India

Highly efficient Ag3PO4/MoS2 nanocomposite photocatalyst was synthe- sized using a wet chemical route with a low weight percentage of highly exfoliated MoS2 （0.1 wt.%） and monodispersed Ag3PO4 nanoparticles （-5.4 nm）. The structural and optical properties of the nanocomposite were studied using various characterization techniques, such as XRD, TEM, Raman and absorption spectroscopy. The composite exhibits markedly enhanced photocatalytic activity with a low lamp power （60 W）. Using this composite, a high kinetic rate constant （k） value of 0.244 min^-1 was found. It was observed that -97.6% of dye degrade over the surface of nanocomposite catalyst within 15 min of illumination. The improved photocatalytic activity of Ag3PO4/MoS2 nanocomposite is attributed to the efficient interfacial charge separation, which was supported by the PL results. Large surface area of MoS2 nanosheets incorporated with well dispersed Ag3PO4 nanoparticles further increases charge separation, contributing to enhanced degradation efficiency. A possible mechanism for charge separation is also discussed.

关键词： Ag2PO4/MoS2 nanocomposite methylene blue degradation efficiency photocatalysis

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A transformed analytical model for thermal noise of FinFET based on fringing field approximation

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Journal of Semiconductors 2016年第9期37卷 57-64页

作者： Savitesh madhulika sharma S.Dasgupta M.V.Kartikeyan Microelectonics and VLSI Group Department of Electronics and Communication Engineering Indian Institute of Technology

This paper delineates the effect of nonplanar structure of Fin FETs on noise performance. We demonstrate the thermal noise analytical model that has been inferred by taking into account the presence of an additional inverted region in the extended（underlap） S/D region due to finite gate electrode thickness. Noise investigation includes the effects of source drain resistances which become significant as channel length becomes shorter. In this paper, we evaluate the additional noise caused by three dimensional（3-D） structure of the single fin device and then extended analysis of the multi-fin and multi-fingers structure. The addition of fringe field increases its minimum noise figure and noise resistance of approximately 1 d B and 100Ω respectively and optimum admittance increases to 5.45 mΩ at 20 GHz for a device operating under saturation region. Hence, our transformed model plays a significant function in evaluation of accurate noise performance at circuit level.

关键词： Fin FET thermal noise model

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基于微卫星标记的印度中部Madhya Pradesh地区疟疾强化控制和非强化控制区的斯氏按蚊基因流和种群遗传结构分析（英文）

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昆虫学报 2015年第1期58卷 74-81页

作者： Arvind sharma Richa sharma Ashwani KUMAR madhulika DUBE Surendra Kumar GAKHAR Centre for Biotechnology Maharshi Dayanand University Department of Statistics Maharshi Dayanand University

【目的】斯氏按蚊Anopheles stephensi是亚洲东南部城市人体疟疾的主要媒介,印度12%的疟疾病例由其引起。本实验研究了印度中部Madhya Pradesh地区东北部的疟疾强化控制(EMCP)区和非强化控制(非EMCP)区斯氏按蚊的基因流。在EMCP区,由于... 详细信息

【目的】斯氏按蚊Anopheles stephensi是亚洲东南部城市人体疟疾的主要媒介,印度12%的疟疾病例由其引起。本实验研究了印度中部Madhya Pradesh地区东北部的疟疾强化控制(EMCP)区和非强化控制(非EMCP)区斯氏按蚊的基因流。在EMCP区,由于采用了各种疟疾防控措施因而疟疾病例首先降低,但是很快回升,说明总的疟疾风险维持稳定。【方法】应用7个微卫星位点,对印度中部Madhya Pradesh地区东北部的4个EMCP区和非EMCP区采集的斯氏按蚊进行基因分型,以分析各种群参数。【结果】发现各标记在所有种群中表现出高度的多态性。在两区间未发现很大的遗传多样性。观察到EMCP区的东部种群(FST=0.0485,RST=0.1112)比非EMCP区的北部种群(FST=0.020,RST=0.0145)具有较高的遗传分化,在EMCP区和非EMCP区之间观察到较高的基因流(12.90,6.16,5.06和2.38)。RST的灵敏度高于FST,说明分化可能是由于突变而非遗传漂变引起的。【结论】本研究表明,在EMCP区和非EMCP区内以及EMCP区和非EMCP区之间存在很高的基因流。基因流水平高以及抗虫性的发展似乎是EMCP区和非EMCP区疟疾病例发生增加的重要原因。

关键词：斯氏按蚊:微卫星标记基因流遗传分化遗传漂变疟疾

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