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High f.eld Electrica. Condu.tion in Pre-f.rm.d a.-ZnS-a. Thin f.lm. in m.ta.-Insu.a.or-m.ta. Devices

引用

Chinese Phy.ics Letters 2007年第7期24卷 2068-2069页

作者： m. y. nadee nadeem.iqbal m. f. wasiq a. u. khosa Depa.tm.nt of.Pla.2}ics Balaauddin Zakariya University Multan Pakistan

The high f.eld electrica. condu.tion m.cha.ism.f.r the widely.u.ed ZnS thin f.lm. in the m.croelectronic indu.try.is investiga.ed. Experim.nta. da.a.on the dc condu.tion a. a.f.nction of.the a.plied bia. f.r the a.-ZnS-a. devices is ca.ef.lly.com.a.ed with the theoretica. equ.1}ions given by.Schottky.a.d Poole-f.eu.el. The resu.ts y.eld the va.u. of.the coef.icient of.the ba.rier lowering com.a.ible with the Schottky.theory.ra.her tha. the Poole-f.enkel theory. which a.e a.so in a.reem.nt with the resu.ts reported ea.lier by.m.eka.a.[Phy.. Rev. Lett. 24 （1970） 1175]

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