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Silicon photonics for telecom and data‐com applications

Opto-Electronic Advances 2020年第10期3卷 31-56页

作者： kiyoshi asakawa Yoshimasa Sugimoto Shigeru Nakamura Associate Program University of TsukubaTsukubaIbaraki 305-8571Japan. Nanotechnology Innovation Station National Institute for Materials Science(NIMS)1-2-1 SengenTsukubaIbaraki 305-0047Japan. Biometrics Research Laboratories NEC Corporation1131HinodeAbikoChiba 270-1198Japan.

In recent decades,silicon photonics has attracted much attention in telecom and data-com *** of high refractive-index contrast waveguides on silicon-on-insulator(SOI),a variety of integrated photonic passive and active devices have been implemented supported by excellent optical properties of silicon in the mid-infrared *** main advantage of the silicon photonics is the ability to use complementary metal oxide semiconductor(CMOS)process-compatible fabrication technologies,resulting in high-volume production at low *** the other hand,explosively growing traffic in the telecom,data center and high-performance computer demands the data flow to have high speed,wide bandwidth,low cost,and high energy-efficiency,as well as the photonics and electronics to be integrated for ultra-fast data transfer in *** practical applications,silicon photonics started with optical interconnect transceivers in the data-com first,and has been now extended to innovative applications such as multi-port optical switches in the telecom network node and integrated optical phased arrays(OPAs)in light detection and ranging(LiDAR).This paper overviews the progresses of silicon photonics from four points reflecting the recent advances mentioned ***-based silicon photonic platform technologies,applications to optical transceiver in the data-com network,applications to multi-port optical switches in the telecom network and applications to OPA in LiDAR system.

关键词： silicon photonics integration of photonics and electronics CMOS process-compatible fabrication optical interconnect transceiver optical multi-port switch optical phased array

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Sharp photonic Crystal Defect Modes and Their Response to Ultrashort Optical Pulses

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光学学报 2003年第S1期23卷 367-368页

作者： Kyozo Kanamoto Sheng Lan Naoki Ikeda Yoshimasa Sugimoto kiyoshi asakawa Hiroshi Ishikawa The Femtsecond Technology Research Association 5-5 Tokodai Tsukuba 300-2635 Japan

Single photonic crystal defects based on an air-bridge structure were fabricated. We obtained sharp defect modes with quality factors higher than 600 and observed their response to ultrashort optical pulses by utilizi... 详细信息

关键词： Ultrashort Optical Pulses Defect Modes ultrashort optical pulses crystal defects defect modes

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Purcell effect of GaAs quantum dots by photonic crystal microcavities

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Chinese Optics Letters 2009年第10期7卷 879-881页

作者： Kazuaki Sakoda Takashi Kuroda NaokiI keda Takaaki Mano Yoshimasa Sugimoto Tetsuyuki Ochiai Keiji Kuroda Shunsuke Ohkouchi Nobuyuki Koguchi kiyoshi asakawa National Institute for Materials Science Japan Graduate School of Pure and Applied Sciences University of Tsukuba NEC Corporation

We fabricate photonic crystal slab microcavities embedded with GaAs quantum dots by electron beam lithography and droplet epitaxy. The Purcell effect of exciton emission of the quantum dots is confirmed by the micro photoluminescence measurement. The resonance wavelengths, widths, and polarization are consistent with numerical simulation results.

关键词： GaAs Purcell effect of GaAs quantum dots by photonic crystal microcavities QDs

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声表面波换能器铝电极微型制作技术的改进

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压电与声光 1978年第2期 126-130页

作者： kiyoshi asakawa Katsuhiko Nishikawa 龙自强日本电子公司

本文报导用溅射ZnO膜作为衬垫的"插入衬垫式抬离法"（SILO spacer-inserted lift-off method）,它在制作声表面波换能器铝电极的微型制作技术中的用途已被确证。这种方法以H3PO4溶液对ZnO膜的腐蚀速率比对铝膜大得多这一事实为根据。Zn... 详细信息

本文报导用溅射ZnO膜作为衬垫的"插入衬垫式抬离法"（SILO spacer-inserted lift-off method）,它在制作声表面波换能器铝电极的微型制作技术中的用途已被确证。这种方法以H3PO4溶液对ZnO膜的腐蚀速率比对铝膜大得多这一事实为根据。ZnO膜腐蚀速率的精确测量用氦-氖激光的多光束反射法进行。这种方法能制作线宽约0.8微米而无任何损伤的铝电极,这种电极宽度约相当于基波1千兆赫。

关键词：射频溅射腐蚀速率 ZnO 铝电极基片温度抗蚀剂制作技术多重反射多重回声钻蚀石英基片

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