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a.orphous/Crysta.line （n-n） Si Heterojunction Photodetector Ma.e by Q-Switched 0.532-mm La.er Pulses with Novel Technique

引用

Chinese Physics Letters 2006年第2期23卷 370-373页

作者： Ra.d a. Isma.l kadhim a. hubeatir a.dulla. K. a.a.s Depa.tment of a.plied Physics Ministry of Technology Baghdad Iraq Depa.tment of Optoelectronics University of Technology Baghdad Iraq

a.orphous/crysta.line n-n-isotype Si heterojunetions a.e ma.e by a.pulsed Q-switched second ha.monic genera.ion Nd：Ya. la.er. The process includes melting a.d subsequently fa.t resolidifica.ion of a.thin front la.er of monocrysta.line Si by la.er pulses to crea.e a. a.orphous la.er （pha.e tra.sition）. Different la.er energy densities a.e used to form the a.orphous la.er on a.monocrysta.line Si substra.e, the results of the electrica. cha.a.teristics of the heterojunctions a.e dependent strongly on the la.er energy density. Optoelectronic properties such a. current-volta.e, ca.a.ita.ce volta.e, a.d spectra. sensitivity a.e mea.ured in a.Si/c-Si hereto junctions （in the a.sence of a.ti-reflecting coa.ing a.d fronta. grid conta.t） prepa.ed by different la.er energy densities. The built-in-potentia. va.ues extra.ted from current-volta.e mea.urements a.e close to the published results of （n-p） a.orphous/crysta.line hereto junction ma.e by glow discha.ge a.d pla.ma.enha.ced chemica. va.our deposition. Furthermore, exa.ina.ion of the forma.ion of a.orphous pa.tern on Si surfa.e is ca.ried out with the help of optica. microscopy. Best photovolta.c performa.ce is recognized to be a. ,5.6 J/cm^2. The photodetector shows a.wide spectra. response, a.d the pea. response is a. 780nm. On the other ha.d, this pea. is independent of la.er energy.

关键词： CRYSTa.LINE SILICON SOLa.-CELLS

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