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Numerical Simulation of a Backward Heat Conduction Problem by Finite Element Method with Multiple-Precision Arithmetic

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Numerical Simulation of a Backward Heat Conduction Problem b...

开放系统中农作物对空气CO_2浓度增加的响应

The second Asia-Pacific International Conference on Computational Methods in Engineering（ICOME2006）

作者： N.Tosaka k.kobayashi Department of Mathematical Information Engineering College of Industrial TechnologyNihon University Graduate School of Nihon University

An inverse problem for the heat conduction equation in 2-D space is solved numerically by using the conventional finite element method. The aim of our inverse problem which is so-called backward heat conduction problem is to reconstruct numerically temperature distribution in the past. This inverse problem is given by as follows

关键词：

来源： cnki会议评论

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应用生态学报 2002年第10期13卷 1323-1338页

作者： B.A.kimball 朱建国程磊 k.kobayashi M.Bindi U.S.WaterConservationLaboratory 中国科学院南京土壤研究所南京210008 NationalInstituteofAgroEnvironmentalSciences DepartmentofAgronomyandLandManagement

FACE试验 (free airCO2 enrichment)开展的 10多年中 ,供试农作物主要有 :C3 禾本科作物小麦(TriticumaestivumL .)、多年生黑麦草 (Loliumperenne)和水稻 (OryzasativaL .) ,C4禾本科类高粱(Sorghumbicolor (L .)M ench) ,C3 豆科植物白三叶草 (Trifoliumrepens) ,C3 非禾本科块茎状作物马铃薯 (SolanumtuberosumL .) ,以及多年生C3 类木本作物棉花 (GossypiumhirsutumL .)和葡萄 (VitisviniferaL .) .本文系统整理和分析了以下各项参数的结果 :光合作用、气孔导度、冠层温度、水分利用、水势、叶面积指数、根茎生物量累积、作物产量、辐射利用率、比叶面积、N含量、N收益、碳水化合物含量、物候变化、土壤微生物、土壤呼吸、痕量气体交换以及土壤碳固定 .CO2 浓度升高对农作物的影响作用主要表现在以下方面 :(1)促进了植物光合作用、增加了其生物量累积 ;(2 )显著提高C3 作物产量 ,但对C4作物产量的影响很小 ;(3)降低了C3 和C4作物气孔导度 ,非常显著地提高了所有作物的水分利用率 ;(4)对植物生长的促进作用在水分不足与水分充足时二者相当或前者大于后者 ;(5 )对非豆科植物生长的促进作用要受到土壤低N水平限制 ,而对豆科植物则不受氮肥水平限制 ;(6 )对根系生长的促进作用要大于地上部分 ;(7)

关键词：开放系统农作物空气CO2浓度增加响应全球变化生长产量水分碳固定 N固定

Observation of New Isotope^(131)Ag via the Two-Step Fragmentation Technique

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Chinese Physics Letters 2013年第4期30卷 51-54页

作者： WANG He N.Aoi S.Takeuchi M.Matsushita P.Doornenbal T.Motobayashi D.Steppenbeck k.Yoneda k.kobayashi J.Lee LIU Hong-Na Y.kondo R.Yokoyama H.Sakurai YE Yan-Lin School of Physics and State key Laboratory of Nuclear Physics and Technology Peking UniversityBeijing 100871 RIkEN Nishina Center 2-1 HirosawaWakoSaitama 351-0198Japan Research Center for Nuclear Physics Osaka UniversityIbarakiOsaka 567-0047Japan Center for Nuclear Study University of TokyoRIKEN campusWakoSaitama 351-0198Japan Department of Physics Rikkyo University3-34-1 Nishi-IkebukuroToshimaTokyo 172-8501Japan Department of Physics Tokyo Institute of Technology2-12-1 OokayamaMeguroTokyo 152-8551Japan

We report on the first observation of the neutron-rich nucleus^(131)*** isotope was produced via fragmentation reactions of intense secondary radioactive ion beams,including 134,*** secondary beams were produced from induced fission reactions from a stable 238U beam at 345 MeV/*** reaction residues were selected by the ZeroDegree spectrometer and identified by measuring their magnetic rigidity,time of flight,energy loss,and total kinetic energy.

关键词： rigidity intense

IMPROVEMENT IN PARAMETRIC AND RELIABILITY PERFORMANCE OF 90NM DUAL-DAMASCENE INTERCONNECTS USING AR+PUNCHTHRU PVD BARRIER PROCESS Reprinted with permission as presented at SEMICON China 2005

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集成电路应用 2005年第9期22卷 43-49页

作者： N.kumar S.Chu D.L.Diehl k.Maekawa k.Mori k.kobayashi M.Yoneda Applied Materials Inc. Thin Films Group Applied Materials Japan Inc. Thin Films Group Process Development Department Process Technology Development DivisionProduction and Technology UnitRenesas Technology Corp.

As interconnects shrink beyond 90nm node, the presence of etch residues can createhigh via resistance and void nucleation during stress migration (SM) testing. Physical Ar+ preclean is effectivein removing residues, but early SM failures have been seen due to Cu resputter from underlying *** preclean methods show promise in reducing CuOx and cleaning Si, N, F, C,O etch residues inpresence of H+, H* species. In this paper, reactive preclean and PVD PunchThru process (deposit-etch-deposit) is proposed as solution to conventional *** PunchThru process reduces via resistance, improves SM and protects dual-damascene beveland unlanded vias from Cu diffusion by presence of thin Ta deposition step. In addition, the U-shaped interface,which minimizes electron crowding and localized heating effects, increases the mean time to failureby electromigration. Consistent, repeatable blanket film property and good parametric electrical test resultshave proven the production worthiness of this process.

关键词：集成电路芯片制造工艺封装技术

钢纤维和聚乙烯纤维混合增强混凝土的弯曲特性

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山西建筑 1985年第1期 73-79页

作者： k.kobayashi R.CHO 沈茂山太原工业大学

本文研究了在混凝土中同时使用钢纤维和聚乙烯纤维的效果,尤其是关于这种复合材料的弯曲特性。其目的是制造一种把钢纤维混凝土和聚乙烯混凝土优良性能结合起来的材料;例如具有很高的初裂强度和很高的韧性。研究结果表明这种混合复合材... 详细信息

本文研究了在混凝土中同时使用钢纤维和聚乙烯纤维的效果,尤其是关于这种复合材料的弯曲特性。其目的是制造一种把钢纤维混凝土和聚乙烯混凝土优良性能结合起来的材料;例如具有很高的初裂强度和很高的韧性。研究结果表明这种混合复合材料的初裂强度大致和钢纤维增强混凝土相同,此外还能得到在伸长变形后强度很少降低的韧性。

关键词：钢纤维增强混凝土聚乙烯纤维乙纶聚烯烃纤维弯曲特性

头颈部基于快速自旋回波成像与平面回波成像的体素内不相干运动扩散加权成像的比较研究

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国际医学放射学杂志 2018年第2期 239-240页

作者： R.Mikayama H.Yabuuchi S.Sonoda k.kobayashi k.Nagatomo M.kimura 张琪 Department of Health Sciences Graduate School of Medical Sciences Kyushu University

摘要目的本研究旨在比较头颈部基于快速自旋回波(TSE)扩散加权成像(DWI)和平面回波(EPI)DWI的影像质量、表观扩散系数(ADC)以及体素内不相干运动(IVIM)相关

关键词：体素内不相干运动 EPI ADC 加权成像 DWI 头颈部

Metal Ion Production with RIkEN 18GHz-ECRIS

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Chinese Physics C 2007年第S1期31卷 97-100页

作者： M.kidera T.Nakagawa T.kageyama Y.Higurashi H.Haba T.Aihara T.Ohki k.kobayashi A.Goto Y.Yano Nishina Center for Accelerator Based Science RIKENHirosawa2-1WakoSaitama 351-0198Japan SHI Acclcrator Service Ltd. Kitashinagawa5-9-11ShinagawaTokyo 141-8686Japan

At RIkEN,three ECR ion sources(10GHz ECRIS,18GHz ECRIS and liquid He-free SC-ECRIS) are operated as external ion sources of heavy ion *** the last year,multi-charged uranium ion beam was produced from 18GHz ECRIS by using UF_6 and the ^(238)U ion was successfully accelerated by the accelerator complex which consists of the RFQ linear accelerator,RIkEN heavy ion linear accelerator(RILAC)and RIkEN ring cyclotron accelerator(RRC).The typical beam intensity of^(238)U^(14+) was about 2pμA on faraday cup after analysing magnet.^(70)Zn beam was still supplied for the new super-heavy element search experiment with insertion *** beam of^(70)Zn^(16+) was produced for long term(～43 days)without vacuum break and remarkably low material consumption rate(～100μgr/h).We already supplied Zn beam longer than 200 days for this experiment.^(48)Ca ion was also produced by insertion method using^(48)CaO rod for the nuclear physics *** this contribution,we will present ion source parameter and techniques for production of each of the metal ions.

关键词： ECRIS metal ion ^(238)Su ^(70)Zn ^(48)Ca

使用氩离子击穿PVD阻挡层工艺提高90nm双大马真士革互联的参变量和可靠性(英文)

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电子工业专用设备 2005年第8期34卷 29-36页

作者： N．kumar S．Chu D．L．Diehl k．Maekawa k．Mon k.kobayashi M．Yoneda Applied Materials Inc． Thin Films GroupCalifornia USA Applied Materials Japan Inc． Thin Films GroupJapan Process Development Department Renesas Technology Corp．Japan

随着金属导线线宽的不断缩小,在90nm 技术以下,刻蚀残留物的存在会在应力迁移测试中形成高通孔电阻和空洞成核现象。物理氩离子预清洗是一种去除残留物的有效方法。但在应力迁移测试中发现,底部沟槽铜的二次溅射会导致器件的早期失效。... 详细信息

随着金属导线线宽的不断缩小,在90nm 技术以下,刻蚀残留物的存在会在应力迁移测试中形成高通孔电阻和空洞成核现象。物理氩离子预清洗是一种去除残留物的有效方法。但在应力迁移测试中发现,底部沟槽铜的二次溅射会导致器件的早期失效。反应性预清洗方法由于含有H +、H 类粒子而在减少C uO x 和清洗Si,N ,F,C ,O ,等蚀刻残留物时表现出其优越性。提出了针对传统PV D 工艺的反应性预清洗及PV D 击穿(沉积,刻蚀,沉积)工艺的解决方案。阻挡层击穿工艺减少了通孔电阻,提高了应力迁移性能,并通过薄钽沉积工序防止了铜的扩散从而保护了双嵌入斜面和错位通孔。此外,使电子阻塞和局部加热效应最小化的U 型界面,提高了电子迁移失效的平均时间,一致的、可重复的覆盖膜特性和良好的电参量测试结果已经证实了这种工艺的生产价值。

关键词：应力转移阻挡层击穿残留物去除反应性预清洗

近地层高臭氧浓度对水稻生长发育影响的研究进展

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近地层高臭氧浓度对水稻生长发育影响的研究进展