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磁控溅射法制备的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的光电性能研究

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真空科学与技术学报 2016年第3期36卷 357-361页

作者：李金泽沈鸿烈任学明南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京210016

用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGe_xT_(1-x)S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响。分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效... 详细信息

用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGe_xT_(1-x)S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响。分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效应测量仪对不同Ge含量的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的物相结构、元素比例、表面形貌、光学带隙以及电学性能进行了表征与分析。结果表明随着Ge含量的升高,晶粒尺寸不断长大,光学带隙从1.52上升至2.12 e V。同时,Ge替换Sn可减少薄膜内的缺陷,所制备的CZGe S薄膜的载流子浓度与迁移率分别为1.99×1018cm-3与9.712 cm2/Vs。

关键词： CZGexT1-xS薄膜溅射 Ge损失霍尔效应

退火温度对室温沉积的ITO薄膜与p-Si接触性能的影响

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半导体光电 2016年第5期37卷 666-670,675页

作者：吴斯泰沈鸿烈李金泽姚函妤沈小亮南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京210016 常州大学江苏省光伏科学与工程协同创新中心江苏常州213164

室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜,并对其进行不同温度的退火处理。采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性,用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能,用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线,用线性传输线... 详细信息

室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜,并对其进行不同温度的退火处理。采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性,用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能,用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线,用线性传输线模型测试比接触电阻。研究结果表明:室温下沉积的ITO薄膜与p-Si形成欧姆接触,但比接触电阻较大。退火处理可以进一步优化接触性能,200℃退火后试样保持欧姆接触且比接触电阻下降为8.8×10^(-3)Ω·cm^2。随着退火温度进一步升高到300℃,比接触电阻达到最低值2.8×10^(-3)Ω·cm^2,但接触性能变为非线性。

关键词： ITO薄膜欧姆接触 p型单晶硅退火

ITO/TiW双层薄膜的制备及其与p-Si接触性能的研究

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真空科学与技术学报 2016年第10期36卷 1187-1192页

作者：吴斯泰沈鸿烈姚函妤李玉芳沈小亮南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京210016 江苏省光伏科学与工程协同创新中心常州大学常州213164

利用射频磁控溅射两步法分别在玻璃和p型单晶Si衬底上制备ITO/Ti W双层薄膜。采用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪和X射线衍射仪表征ITO/Ti W双层薄膜的光学性能、电学性能和结晶性能,用吉时利2400表和线性传输线模型测试ITO/Ti W双... 详细信息

利用射频磁控溅射两步法分别在玻璃和p型单晶Si衬底上制备ITO/Ti W双层薄膜。采用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪和X射线衍射仪表征ITO/Ti W双层薄膜的光学性能、电学性能和结晶性能,用吉时利2400表和线性传输线模型测试ITO/Ti W双层薄膜与p-Si接触的I-V曲线以及比接触电阻。结果表明Ti W薄膜厚度为8 nm时,ITO/Ti W双层薄膜的光电性能最优,还发现Ti W薄膜的引入有利于ITO薄膜的晶粒长大。ITO薄膜与p-Si之间插入Ti W层可以改善接触性能,ITO/Ti W(8 nm)与p-Si接触的比接触电阻最低为4.1×10-4Ω·cm2。

关键词： ITO/TiW双层薄膜欧姆接触 p型单晶硅磁控溅射

不同扩散阻挡层对柔性钛衬底CZTSSe薄膜与电池性能的影响

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太阳能学报 2020年第6期41卷 242-246页

作者：商慧荣沈鸿烈孙孪鸿李金泽李玉芳南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京211106 南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院南京210023

研究不同扩散阻挡层对柔性钛衬底CZTSSe薄膜和电池性能的影响。X射线衍射(XRD)和拉曼光谱结果表明适当扩散阻挡层的引入可提高CZTSSe薄膜(112)择优取向和结晶性,还可抑制TiSe杂相的生成。CZTSSe结晶性的提高得益于扩散阻挡层表面较小的... 详细信息

研究不同扩散阻挡层对柔性钛衬底CZTSSe薄膜和电池性能的影响。X射线衍射(XRD)和拉曼光谱结果表明适当扩散阻挡层的引入可提高CZTSSe薄膜(112)择优取向和结晶性,还可抑制TiSe杂相的生成。CZTSSe结晶性的提高得益于扩散阻挡层表面较小的粗糙度。Cr、ZnO和TiN这3种不同阻挡层中,TiN层对TiSe杂相的抑制作用最强,用它作为扩散阻挡层制备的柔性CZTSSe薄膜结晶性最好,(112)晶面择优取向最强,电池性能最佳且转换效率相对无阻挡层电池提高了67%。

关键词：薄膜太阳电池结晶表面粗糙度 CZTSSe薄膜扩散阻挡层

铜衬底上热丝CVD法低温生长石墨烯薄膜的研究

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电子器件 2014年第6期37卷 1017-1020页

作者：尤佳毅沈鸿烈李金泽南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 南京航空航天大学纳智能材料器件教育部重点实验室南京210016

以乙炔作为碳源,抛光铜片作为衬底,采用热丝CVD法低温生长了石墨烯。通过拉曼散射光谱和紫外-可见分光光度计分析了样品的性能。结果表明,灯丝温度的提高有助于乙炔分解为对石墨烯晶粒形核生长比较有利的含碳活性基团。衬底温度的升高... 详细信息

以乙炔作为碳源,抛光铜片作为衬底,采用热丝CVD法低温生长了石墨烯。通过拉曼散射光谱和紫外-可见分光光度计分析了样品的性能。结果表明,灯丝温度的提高有助于乙炔分解为对石墨烯晶粒形核生长比较有利的含碳活性基团。衬底温度的升高增强了铜衬底对石墨烯生长的催化作用。通过调整气体流量中乙炔的比例,可以有效降低石墨烯薄膜的层数。最终在乙炔浓度为2%,衬底温度为450℃的低衬底温度条件下制得了的单层石墨烯纳米晶薄膜。

关键词：石墨烯低温热丝化学气相沉积气态碳源

湘中成矿带杏枫山Au-W矿床白钨矿特征及地质意义

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矿床地质 2023年第3期42卷 618-638页

作者：雷金泽张宇时承华赵廉洁成玉亮沈鸿杰中南大学有色金属成矿预测与地质环境监测教育部重点实验室湖南长沙410083 中南大学地球科学与信息物理学院湖南长沙410083 湖南有色产业投资集团有限责任公司湖南长沙410000 湖南省环境保护科学研究院湖南长沙410000

杏枫山Au-W矿床位于湘中Au-Sb-W成矿带西部,以发育矽卡岩型钨矿化和席状石英脉型金矿化两套成矿系统为典型特征,明显有别于区域其它Au-W矿床,为进一步研究区域金、钨成矿机制提供了理想对象。文章根据野外穿切关系、矿物共生组合以及结... 详细信息

杏枫山Au-W矿床位于湘中Au-Sb-W成矿带西部,以发育矽卡岩型钨矿化和席状石英脉型金矿化两套成矿系统为典型特征,明显有别于区域其它Au-W矿床,为进一步研究区域金、钨成矿机制提供了理想对象。文章根据野外穿切关系、矿物共生组合以及结构特征,将杏枫山白钨矿按次序划分为早期矽卡岩型钨矿化中具振荡环带的Sch-1、内部结构均一的Sch-2、多孔状的Sch-3和晚期席状石英脉型金矿化中结构均一的Sch-4。Sch-1和Sch-2的Mo含量和Eu异常(δEu)分别呈现逐渐降低(47.5×10^(-6)→0.044×10^(-6))和升高(1.74→3.18)的趋势,暗示其成矿热液氧逸度的逐步降低,这可能与其富Sr特征(251×10^(-6)~4916×10^(-6))和与矽卡岩矿物共生所指示的强烈水岩反应相关。同时,Sch-1至Sch-3整体上与白马山印支期岩体具有相似的Y/Ho比值,结合前人的年代学研究指示其成矿热液可能来自白马山印支期岩体。Sch-4的低Mo含量(0.014×10^(-6)~0.068×10^(-6))、高δEu(平均值3.96)和与磁黄铁矿的共生关系均揭示席状石英脉型金矿化成矿热液的低氧逸度特征,其高Sr含量(2319×10^(-6)~5329×10^(-6))也说明其形成受到明显的水岩反应控制,这与其脉侧明显的黑云母蚀变晕特征吻合,也揭示水岩反应及其相关的氧逸度下降可能是杏枫山金沉淀的重要控制因素。另外,席状石英脉中电气石的发育及其脉侧的黑云母蚀变晕显示其具高温岩浆热液成矿特征,揭示矽卡岩型钨矿化与席状石英脉型金矿化应分属两次不同的成矿事件,可能对应白马山复式岩体不同时期的岩浆活动,其中矽卡岩型钨矿化与白马山晚三叠世侵入岩相关,石英脉型金矿化则可能与白马山早侏罗世岩浆活动相关,而杏枫山矿床属于早期矽卡岩型钨矿化和晚期席状石英脉型金矿化的叠加复合成矿。

关键词：地质学白钨矿成矿流体来源成矿物理化学条件湘中成矿带杏枫山Au-W矿床

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美国“转变本科生科学、技术、工程与数学教育计划”的解读与启示

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实验技术与管理 2013年第5期30卷 150-153,163页

作者：沈允中张翠霞曲金泽潘峰北京联合大学实训基地北京100101

在介绍了美国国家科学基金会开展的"转变本科生科学、技术、工程与数学教育计划(TUES)"出台背景之后,解析了该计划的内容、项目类型和特点,指出近年来美国国家科学基金会设置的多项科技人才培养计划,特别是本科生教育计划反映了美国政... 详细信息

在介绍了美国国家科学基金会开展的"转变本科生科学、技术、工程与数学教育计划(TUES)"出台背景之后,解析了该计划的内容、项目类型和特点,指出近年来美国国家科学基金会设置的多项科技人才培养计划,特别是本科生教育计划反映了美国政府对科技人力资源贮备的重视,也说明美国高等教育在应对全球竞争中采取的措施和特点,这些特点可供我国高等教育研究借鉴。

关键词： TUES计划本科生教育美国教育研究

再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究

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太阳能学报 2018年第6期39卷 1625-1629页

作者：张三洋沈鸿烈魏青竹倪志春李金泽杨家乐南京航空航天大学材料科学与技术学院、江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京210016 中利腾晖光伏科技有限公司研发部常熟215542

掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触（PERC）电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果... 详细信息

掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触（PERC）电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧（B-O）复合体浓度分别为1.38×10^11和7.01×10^11cm^-3,再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10^10和4.44×10^10cm^-3,再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。

关键词：晶硅太阳电池光致衰减效应再生处理少子寿命

钾掺杂对柔性CZTSSe薄膜及其太阳电池性能的影响

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真空科学与技术学报 2019年第1期39卷 71-77页

作者：商慧荣沈鸿烈孙孪鸿李金泽李玉芳南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室南京211106 南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院南京210023

本文采用磁控溅射加后续硒化的方法制备柔性CZTSSe薄膜,通过向硒化气氛中引入钾元素实现了钾的有效掺杂。研究了钾掺杂量对柔性CZTSSe薄膜和电池性能的影响。X射线衍射和Raman结果表明适量掺入钾元素可以显著提高CZTSSe薄膜的(112)择优... 详细信息

本文采用磁控溅射加后续硒化的方法制备柔性CZTSSe薄膜,通过向硒化气氛中引入钾元素实现了钾的有效掺杂。研究了钾掺杂量对柔性CZTSSe薄膜和电池性能的影响。X射线衍射和Raman结果表明适量掺入钾元素可以显著提高CZTSSe薄膜的(112)择优取向,增大晶粒尺寸,但钾元素掺杂量过高时又会使晶粒尺寸变小降低薄膜结晶性。另外钾元素的掺入也会改变CZTSSe/Cd S间能带匹配情况,少量的钾元素掺杂对CZTSSe/Cd S间导带失调值(CBO)影响不大,过量掺入钾元素则会明显增大CZTSSe/Cd S间的CBO绝对值,进而降低柔性CZTSSe太阳电池转换效率。发现钾元素掺杂量为1. 0μmol时,所制备的柔性CZTSSe薄膜平均晶粒尺寸超过1μm,且具有很强的(112)择优取向;制作的CZTSSe/Cd S具有最佳的CBO数值,相应柔性太阳电池的最高值转换效率为3. 06%。

关键词：柔性太阳电池铜锌锡硫硒薄膜钾掺杂结晶性能带匹配