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用改进溶胶-凝胶法制备固体电解质材料

硅酸盐学报 2007年第3期35卷 354-357页

作者：许敏索进平华中科技大学材料与工程学院模具技术国家重点实验室武汉430074

用硅溶胶和聚乙烯醇缩聚反应生成的溶胶、凝胶制备了固体电解质钠快离子导体(natrium super ionic conductor,Nasicon)。用热重-差热、X射线衍射、透射电镜等现代分析方法表征锻烧温度为800～1000℃,锻烧时间为2～8h Nasicon粉体的相结... 详细信息

用硅溶胶和聚乙烯醇缩聚反应生成的溶胶、凝胶制备了固体电解质钠快离子导体(natrium super ionic conductor,Nasicon)。用热重-差热、X射线衍射、透射电镜等现代分析方法表征锻烧温度为800～1000℃,锻烧时间为2～8h Nasicon粉体的相结构和形貌。与传统的由正硅酸乙酯水解、缩聚反应生成的溶胶、凝胶制得的Nasicon粉体的对比,发现:用硅溶胶和聚乙烯醇反应制得的Nasicon粉体相的纯度更高,粉体颗粒粒径在80～100nm,并且颗粒分散均匀、大致成球形,为今后制备性能良好的传感器创造了条件。

关键词：钠快离子导体溶胶壤胶硅溶胶固体电解质

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纳米二氧化硅提高PTFE硬度的机制研究

润滑与密封 2006年第9期31卷 132-134页

作者：索进平肖建中华中科技大学模具技术国家重点实验室湖北武汉430074

采用溶剂蒸发法和固体纳米粉末混合法2种工艺制备了SiO2/PTFE复合材料。结果表明,随着SiO2含量的增加,复合材料的硬度增加,但采用溶剂蒸发法制备的复合材料具有更好的强化效果,在含量达到50%时,硬度达到最大,比固体粉末法制备的复合材... 详细信息

采用溶剂蒸发法和固体纳米粉末混合法2种工艺制备了SiO2/PTFE复合材料。结果表明,随着SiO2含量的增加,复合材料的硬度增加,但采用溶剂蒸发法制备的复合材料具有更好的强化效果,在含量达到50%时,硬度达到最大,比固体粉末法制备的复合材料的硬度高6倍。XRD分析表明,随着SiO2含量增加,PTFE结晶度降低。SEM对其断口形貌进行观察表明,采用溶剂蒸发法制备的复合材料,纳米SiO2粒子可以较均匀分散在基体中,有效地阻碍了PT-FE分子链段的运动和规整排列。红外光谱分析表明,纳米SiO2粒子与PTFE分子之间存在着氢键作用力,因而硬度增加较大。

关键词：纳米SiO2 聚四氟乙烯复合材料

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制备工艺对PTFE复合材料硬度的影响

润滑与密封 2005年第3期30卷 78-80页

作者：索进平肖建中华中科技大学塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室湖北武汉430074

采用溶剂蒸发法和固体纳米粉末混合法制备两种工艺制备了PTFE复合材料。结果表明在填料含量相同时,溶剂蒸发法制备的PTFE复合材料的硬度显著高于固体纳米粉末混合法制备的PTFE复合材料的硬度;使用纳米颗粒作填料时,用偶联剂处理表面对... 详细信息

采用溶剂蒸发法和固体纳米粉末混合法制备两种工艺制备了PTFE复合材料。结果表明在填料含量相同时,溶剂蒸发法制备的PTFE复合材料的硬度显著高于固体纳米粉末混合法制备的PTFE复合材料的硬度;使用纳米颗粒作填料时,用偶联剂处理表面对硬度没有显著影响。其作用机理为当用固体纳米粉末填料时,由于纳米粉末的团聚作用,丧失了部分纳米颗粒的表面特性,界面结合较差,硬度较低;而使用液体纳米硅溶胶制备PTFE复合材料时,纳米颗粒在搅拌蒸发的过程中被PTFE大分子包裹,可以有效防止团聚的发生。

关键词： PTFE复合材料材料硬度制备工艺溶剂蒸发法纳米粉末纳米颗粒偶联剂处理纳米硅溶胶作用机理团聚作用表面特性界面结合混合法固体填料大分子包裹搅拌

40MnV钢中微合金元素氮-碳化物的析出行为

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特殊钢 2005年第4期26卷 19-22页

作者：索进平董瀚华中科技大学模具技术国家重点实验室武汉430074 钢铁研究总院结构材料研究所北京100083

用Thermocale和Dicta软件对微合金钢40MnV(%:0.36～0.40C,1.36～1.40Mn,0.8～0.9V,0.011～0.016Ti,0.021～0.045Al,0.007～0.016N)中的析出相进行计算,并用电解分析,X衍射,透射电镜研究了析出相的成分、形貌和分布。结果表明,钢中少量的N和Ti可导致在固液两相区析出尺寸为50nm的粗大TiN颗粒。随温度降低,析出相尺寸逐渐减小到10nm以下,形状由方形变成圆形,且析出相中V和C含量增加,N和Ti含量减少。随着钢中铝含量的增加,VN析出量减少。

关键词：微合金元素析出行为碳化物透射电镜研究固液两相区析出相微合金钢电解分析 X-衍射温度降低氮 TiN 相尺寸铝含量析出量形变

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面向对象的合金钢淬回火热处理CAD系统

现代制造工程 2004年第7期 49-50页

作者：宛农熊惟皓索进平华中科技大学模具技术国家重点实验室

在相关研究成果技术集成和创新的基础上,运用Visual Basic6.0工具开发了合金钢淬回火工艺智能决策系统,并采用有关试验数据进行了验证,结果证明该系统具有可靠的决策功能。

关键词：合金钢淬火回火热处理 CAD VisualBasic6.0 工艺决策

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自燃煤矸石综合治理探究

环境与发展 2019年第11期31卷 244-245页

作者：索金萍山西大同市矿区同煤集团环保处

随着经济的快速发展,推动了我国煤炭企业的稳步发展,当前自燃煤矸石综合治理问题成为了煤炭企业当前面临的难题。本文将以矸石所带来的危害以及治理目标为切入点,详细分析自燃煤矸石综合治理,并根据具体情况提出相关解决建议。

关键词：自燃煤矸石治理

MBR工艺在同煤集团三医院污水处理中的应用

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同煤科技 2011年第3期 3-5页

作者：索金萍大同煤矿集团公司环境保护处

对MBR在大同煤矿集团公司三医院医疗废水中的应用实例进行了工程与经济技术分析。

关键词： MBR工艺医院污水污水处理

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基于离子束辅助沉积生长柔性类单晶硅的方法

微纳电子技术 2022年第1期59卷 84-92页

作者：高莹陈俊孚吴苏州索进平华中科技大学材料科学与工程学院武汉430072 深圳市晶莱新材料科技有限公司广东深圳518000 广东省科学院中乌焊接研究所广州510651

通过离子束辅助沉积(IBAD)和射频磁控溅射(RFMS)的方法在低成本、柔性且轻质的金属箔基板上异质外延生长类单晶硅薄膜。在整个过程中,类单晶的Ge被用作晶格匹配的缓冲层进行Si的外延生长,其中Ge的基材来源于用IBAD法制备的双轴织构的氧... 详细信息

通过离子束辅助沉积(IBAD)和射频磁控溅射(RFMS)的方法在低成本、柔性且轻质的金属箔基板上异质外延生长类单晶硅薄膜。在整个过程中,类单晶的Ge被用作晶格匹配的缓冲层进行Si的外延生长,其中Ge的基材来源于用IBAD法制备的双轴织构的氧化物过渡层。通过Si_(x)Ge_(1-x)的梯度溅射进行Ge与Si之间的过渡,减少其界面缺陷。生长出的外延硅沿[001]方向高度取向,具有强烈的双轴织构,电子背散射衍射结果显示生长的类单晶硅薄膜具有小角度晶界,并且超过98%的晶粒与晶粒间的取向差小于2°。透射电子显微镜(TEM)的电子衍射图也证实了薄膜的类单晶性质。Raman光谱显示硅薄膜具有高的结晶度,结晶度几乎可与单晶硅片相媲美。与没有Si_(x)Ge_(1-x)缓冲层的Si薄膜相比,具有缓冲层的Si薄膜表现出更好的织构、结晶度和更少的缺陷。在电性能方面,测得的n-Si薄膜掺杂浓度约为5×10^(18)cm^(-3),电子迁移率为110 cm^(2)/(V·s)。因此,采用RFMS和IBAD的方法可以为在柔性和低成本的非晶衬底上直接沉积高电子迁移率半导体薄膜提供一种新思路,这种新思路也为高性能印刷电子、柔性太阳电池和柔性电子应用提供了新的机会。

关键词：双轴织构柔性类单晶硅薄膜硅锗缓冲层射频磁控溅射(RFMS) 离子束辅助沉积(IBAD) 高电子迁移率

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钢水连铸时稀土元素的脱硫作用

特殊钢 2001年第1期22卷 13-15页

作者：郑志强陈克燕索进平陈方明南昌大学南昌330029 大冶特殊钢股份有限公司

试验研究了 2 0钢连铸流中喂丝加入稀土元素时 ,对钢水脱硫的影响。结果表明 ,加稀土可明显增强结晶器中钢液的回流速度 ,增强保护渣的净化能力 ,可使连铸坯中的硫含量降低 30 %～ 5 0 %。

关键词：连铸稀土脱硫炼钢