检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 2022年第12期43卷 79-87页

作者： Xiaojie Wang Zhanwei Shen Guoliang Zhang Yuyang Miao Tiange Li Xiaogang Zhu jiafa cai Rongdun Hong Xiaping Chen Dingqu Lin Shaoxiong Wu Yuning Zhang Deyi Fu Zhengyun Wu Feng Zhang College of Physical Science and Technology Xiamen UniversityXiamen 361005China Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Shenzhen Research Institute of Xiamen University Shenzhen 518057China Jiujiang Research Institute of Xiamen University Jiujiang 332000China

A 4H-SiC trench gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(UMOSFET)with semi-super-junction shiel-ded structure(SS-UMOS)is proposed and compared with conventional trench MOSFET(CT-UMOS)in this *** advantage of the proposed structure is given by comprehensive study of the mechanism of the local semi-super-junction structure at the bottom of the trench *** particular,the influence of the bias condition of the p-pillar at the bottom of the trench on the static and dynamic performances of the device is compared and *** on-resistance of SS-UMOS with grounded(G)and ungrounded(NG)p-pillar is reduced by 52%(G)and 71%(NG)compared to CT-UMOS,***,gate ox-ide in the GSS-UMOS is fully protected by the p-shield layer as well as semi-super-junction structure under the trench and p-base ***,a reduced electric-field of 2 MV/cm can be achieved at the corner of the p-shield ***,the quasi-intrinsic protective layer cannot be formed in NGSS-UMOS due to the charge storage effect in the floating p-pillar,resulting in a large electric field of 2.7 MV/cm at the gate oxide ***,the total switching loss of GSS-UMOS is 1.95 mJ/cm2 and is reduced by 18%compared with *** the contrary,the NGSS-UMOS has the slowest overall switching speed due to the weakened shielding effect of the p-pillar and the largest gate-to-drain capacitance among the *** proposed GSS-UMOS plays an important role in high-voltage and high-frequency applications,and will provide a valuable idea for device design and circuit applications.

关键词： breakdown voltage specific on-resistance silicon carbide switching energy loss super-junction-shield(SS) trench gate MOSFET grounded(G) ungrounded(NG)

4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

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量子电子学报 2016年第6期33卷 770-774页

作者：蔡加法陈厦平吴少雄吴正云厦门大学物理系福建厦门361005

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随... 详细信息

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.

关键词：光电子学 4H-SiC p-i-n紫外光电探测器电容-电压深能级缺陷

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高灵敏表面光伏谱前置放大器的研制

实验技术与管理 2010年第2期27卷 47-49,59页

作者：蔡加法刘志鑫陈主荣吴正云厦门大学物理系福建厦门361005 厦门大学海洋系福建厦门361005

表面光伏技术可测量半导体材料的少数载流子的扩散长度、表面电荷等，能表征半导体微结构。采用静电计管作为信号的前置放大器具有电压增益低、体积大等缺点。介绍了一种表面光伏谱前置放大器的设计原理、设计方案和应用实例。该前置放... 详细信息

表面光伏技术可测量半导体材料的少数载流子的扩散长度、表面电荷等，能表征半导体微结构。采用静电计管作为信号的前置放大器具有电压增益低、体积大等缺点。介绍了一种表面光伏谱前置放大器的设计原理、设计方案和应用实例。该前置放大器具有灵敏度高、响应时间短、截止频率低等优点，并且体积小、使用成本低。

关键词：表面光伏谱前置放大器电荷放大器

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高速公路分段限速值研究

公路交通技术 2007年第5期23卷 117-119页

作者：李娟姬为宇蔡加发重庆交通大学交通运输学院重庆400074 重庆交通科研设计院重庆400067

通过对山区高速公路行车速度进行分析,提出限速的必要性。对85%位车速与圆曲线的曲率变化率CCRs进行回归分析,建立85%位车速与CCRs的回归模型,并结合金丽温高速公路,对如何确定高速公路直线段和曲线段的限速值给出建议。

关键词：行车速度限速曲率变化率

基于交通仿真的公路隧道车行横洞通行能力研究

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公路交通技术 2007年第Z1期23卷 117-119页

作者：蔡加发姬为宇李娟重庆交通大学重庆400074 重庆交通科研设计院重庆400067

对通行能力研究方法进行分析,探讨交通仿真的定义和分类,建立隧道车行横洞的可能通行能力模型。利用交通仿真软件VISSIM对隧道车行横洞进行交通流微观仿真,得到车辆安全通过隧道车行横洞的时间数据。通过对左转、右转修正系数进行标定,... 详细信息

对通行能力研究方法进行分析,探讨交通仿真的定义和分类,建立隧道车行横洞的可能通行能力模型。利用交通仿真软件VISSIM对隧道车行横洞进行交通流微观仿真,得到车辆安全通过隧道车行横洞的时间数据。通过对左转、右转修正系数进行标定,给出不同大型车辆组成条件下的隧道车行横洞的可能通行能力。

关键词：交通仿真通行能力隧道车行横洞

一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制

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Journal of Semiconductors 2008年第3期29卷 570-573页

作者：杨伟锋蔡加法张峰刘光吕英吴正云厦门大学物理系厦门361005

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电... 详细信息

采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.

关键词： 4H-SiC 金属-半导体-金属一维阵列响应度

基于B/S结构的高速公路机电设备维护费用预算系统设计与实现

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公路交通技术 2011年第1期27卷 126-129页

作者：许宏科邝帆蔡加发长安大学电子与控制工程学院西安710064 重庆高速公路集团有限公司重庆401121

介绍一种基于B/S结构的高速公路机电设备维护费用预算系统设计方法与具体实现。该系统的理论基础为国家公路工程概预算理论体系,采用***技术实现,数据库接口采用***,编程语言采用C#。实践证明,该系统具有界面友好、交互能力强、操作方... 详细信息

介绍一种基于B/S结构的高速公路机电设备维护费用预算系统设计方法与具体实现。该系统的理论基础为国家公路工程概预算理论体系,采用***技术实现,数据库接口采用***,编程语言采用C#。实践证明,该系统具有界面友好、交互能力强、操作方便、易上手、实用性强等特点。

关键词：维护费用预算 B/S *** *** C#

高速公路机电设备维护费用预算系统设计与开发

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公路交通技术 2012年第5期28卷 141-144,149页

作者：董培超刘金江许宏科蔡加发长安大学电子与控制工程学院西安710064 河南中原高速公路股份有限公司郑州450016 重庆高速公路集团有限公司重庆401121

介绍一种高速公路机电设备维护费用预算系统设计及实现方法。该系统以公路工程概预算理论体系为基础构建维护预算定额数据库,系统软件采用B/S结构,可很好地解决高速公路机电设备数量大、分布广、基础数据难以管理的难题,并可采用***技... 详细信息

介绍一种高速公路机电设备维护费用预算系统设计及实现方法。该系统以公路工程概预算理论体系为基础构建维护预算定额数据库,系统软件采用B/S结构,可很好地解决高速公路机电设备数量大、分布广、基础数据难以管理的难题,并可采用***技术实现。实践证明,该系统界面友好、交互能力强、操作方便,具有较强实用性。

关键词：高速公路机电设备维护费用预算 B/S ***

Impacts of hydrogen annealing on the carrier lifetimes in p-type 4H-SiC after thermal oxidation

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Chinese Physics B 2023年第6期32卷 60-65页

作者：张锐军洪荣墩韩景瑞丁雄杰李锡光蔡加法陈厦平傅德颐林鼎渠张明昆吴少雄张宇宁吴正云张峰 Department of physics Xiamen universityXiamen 361005China Guangdong Tianyu Semiconductor Co. LtdDongguan 523808China

Thermal oxidation and hydrogen annealing were applied on a 100μm thick Al-doped p-type 4H-Si C epitaxial wafer to modulate the minority carrier lifetime,which was investigated by microwave photoconductive decay(μ-PCD).The minority carrier lifetime decreased after each thermal *** the contrary,with the hydrogen annealing time increasing to3 hours,the minority carrier lifetime increased from 1.1μs(as-grown)to 3.14μs and then saturated after the annealing time reached 4 *** increase of surface roughness from 0.236 nm to 0.316 nm may also be one of the reasons for limiting the further improvement of the minority carrier ***,the whole wafer mappings of minority carrier lifetimes before and after hydrogen annealing were measured and *** average minority carrier lifetime was up to 1.94μs and non-uniformity of carrier lifetime reached 38%after 4-hour hydrogen *** increasing minority carrier lifetimes could be attributed to the double mechanisms of excess carbon atoms diffusion caused by selective etching of Si atoms and passivation of deep-level defects by hydrogen atoms.

关键词： 4H-SiC carrier lifetime hydrogen annealing