检索结果-南通市图书馆

journal of Semiconductors 2013年第3期34卷 7-11页

作者： j.o.akinlami A.o.Ashamu Department of Physics Federal University of AgricultureP.M.B 2240AbeokutaOgun StateNigeria

We have investigated the optical properties of gallium arsenide(GaAs) in the photon energy range 0.6- 6.0 *** obtained a refractive index which has a maximum value of 5.0 at a photon energy of 3.1 eV;an extinction coefficient which has a maximum value of 4.2 at a photon energy of 5.0 eV;the dielectric constant,the real part of the complex dielectric constant has a maximum value of 24 at a photon energy of 2.8 eV and the imaginary part of the complex dielectric constant has a maximum value of 26.0 at a photon energy of 4.8 eV;the transmittance which has a maximum value of 0.22 at a photon energy of 4.0 eV;the absorption coefficient which has a maximum value of 0.22×10~8 m^(-1) at a photon energy of 4.8 eV,the reflectance which has a maximum value of 0.68 at 5.2eV; the reflection coefficient which has a maximum value of 0.82 at a photon energy of 5.2 eV;the real part of optical conductivity has a maximum value of 14.2×10^(15) at 4.8 eV and the imaginary part of the optical conductivity has a maximum value of 6.8×10^(15) at 5.0 *** values obtained for the optical properties of GaAs are in good agreement with other results.

关键词： complex index of refraction extinction coefficient complex dielectric constant transmittance absorption coefficient semiconductor and photon energy

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