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Growth of Gallium Oxide Nanowires by Pulsed Laser Deposition

Journal of Crystallization Process and Technology 2012年第4期2卷 125-129页

作者： Hiroyasu Yamahara Munetoshi Seki hitoshi tabata Department of Bioengineering Graduate School of Engineering University of Tokyo Tokyo Japan Department of Electrical Engineering and Information Systems Graduate School of Engineering University of Tokyo Japan

We report on the synthesis of gallium oxide nanowires by pulsed laser deposition using a gold catalyst. In the vapor-liquid-solid process, gold thickness was the crucial parameter for deciding the morphology of nanowires. In the case of 1 nm thick gold, homogeneous nanowire growth was confirmed at temperatures of 700°C to 850°C. Transmission electron microscopy and selected area electron diffraction measurements showed that the nanowires were polycrystalline. In the cathode luminescence spectra, UV, blue, green and red emission peaks were observed, as reported in previous studies. As growth temperature was increased, the relative intensities of blue, green, and red emissions decreased. Thermal annealing treatments were effective in decreasing the blue, green and red emission peaks, suggesting that these emission peaks were associated with oxygen vacancies.

关键词： Gallium Oxide Nanowires Pulsed Laser Deposition Cathode Luminescence

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