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Probing temperature-dependent interlayer coupling in a MoS2/h-BN heterostructure

Nano Research 2020年第2期13卷 576-582页

作者： hamin park Gwang Hyuk Shin Khang June Lee Sung-Yool Choi School of Electrical Engineering Centerfor Advanced Materials Discovery towards 3D Display KAISTDaejeon 34141Republic of Korea

Stacking of atomically thin layers of two-dimensional materials has revealed extraordinary physical phenomena owing to van der Waals(vdW)interaction at the ***,most of the studies focused on the transition metal dichalcogenide(TMD)/TMD heterostructure,while the interlayer coupling of the TMD/hexagonal boron nitride(h-BN)heterostructure has not been extensively explored despite its *** this study,the temperature-dependent interlayer coupling is demonstrated in a heterostructure of molybdenum disulfide(MoS2)and *** interface between MoS2 and the insulating substrate exerts a significant spectroscopic impact on MoS2 through substrate-induced local strain,charged impurity,and vdW *** non-resonant conditions,temperature-dependent peak shifts in Raman and photoluminescence(PL)spectra of MoS2 reveal the evolution of interlayer *** frequencies and PL peak energies at different temperatures demonstrate how substrate-induced strain,impurity,and vdW interactions at the interface influence phonon vibration and excitonic transition of *** resonant conditions at low temperature,anomalous Raman modes appear in the MoS2/h-BN heterostructure because of the enhanced electron-phonon coupling and vdW *** anomalous Raman modes are quantitatively investigated by the deconvolution of the resonance Raman spectra and described by interlayer coupling at low temperature,in agreement with complementary indications from the temperature-dependent evolution of non-resonant Raman and PL spectra.

关键词： van der Waals heterostructures interlayer coupling Raman spectroscopy excitonic resonance photoluminescence

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